538.9Физика конденсированного состояния
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Компьютерное моделирование базовых печатных фрагментов топологии 4-лучевой ФАР В этом разделе описаны <...> Согласно этим размерам на рис. 8 представлена топология этого пересечения. <...> Рис. 8 – Топология пересечения Fig. 8 – Intersection topology На рис. 9 видны затухания в исследуемом <...> Согласно расчетам и программной оптимизации получилась топология, представленная на рис. 10. <...> Рис. 14 – Топология излучателя Fig. 14 – Radiator topology Результаты моделирования представлены на рис
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №3 2019.pdf (1,2 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
На рис. 2 приведена топология одного IG FinFET-транзистора p-типа. <...> Топология IG FinFET-транзистора p-типа Fig.2. <...> Алгоритм генерации регулярной топологии IG FinFET-структур. <...> Происходит это из-за того, что в шаблоне топологии два функциональных затвора и топология вентиля должна <...> Получение топологии из графа (рис. 6). Рис.5.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2017.pdf (1,0 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Разработка топологии охранных колец мощных кремниевых диодов с блокирующим напряжением до 6,7 кВ .... <...> Создание топологии DICE-триггера с асинхронным сигналом сброса. <...> Влияние топологии субмикронных КМОП ячеек памяти DICE на чувствительность ОЗУ к воздействию отдельных <...> Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» Разработка топологии охранных колец мощных <...> Нумерация участков топологии на рис.2,а соответствует нумерации узлов на рис.2,б. Рис.1.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2018.pdf (1,1 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Модификация топологии квази-импедансного инвертора для автономных систем электроснабжения ........... <...> Предложенная топология КИИ изображена на рис. 1, б. 1. <...> Данная топология показана на рис. 4, б. <...> Модели силовых схем соответствуют топологиям, представленным на рис. 4. <...> Топология местности и застройка прилегающей территории также играют роль.
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №4 2015.pdf (1,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Исследование тензочувствительности и ТКС при изменении топологии тонкопленочных резисторов при подгонке <...> Топология понижающего смесителя и МШУ приведена на рис.6. Рис.4. <...> Топология смесителя (а) и малошумящего усилителя (б) Разработанные малошумящий усилитель, обладающий <...> ЭЛЕКТРОНИКА № 4(108) 2014 УДК 621.316.8 Исследование тензочувствительности и ТКС при изменении топологии <...> Таким образом, изменение топологии ТПР в результате их подгонки к требуемому допускаемому отклонению
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №4 2014.pdf (0,6 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
The selected resistance is 10 kΩ corresponds to the curve 2 Топология разработанной фотоячейки. <...> На основании результата моделирования предложена усовершенствованная топология фотоячейки (рис.7). <...> Данная топология приблизительна и требует уточнений. <...> На основе полученной схемы проработана топология фотоячейки с использованием библиотек процесса XS018 <...> Разработка топологии охранных колец мощных кремниевых диодов с блокирующим напряжением до 6,7 кВ.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2018.pdf (1,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
измерений S-параметров n-МОП-транзистора А-типа (ТС №1) с последующим исключением влияния элементов топологии <...> На вставках – топология исследуемого транзистора (а) и топология усилителя (б) Fig.1. <...> На вставке – топология ГУН Fig.2. <...> На вставках – топология ПрУМ (а) и топология переключателей (б) Fig.3. <...> Однокристальный нитридгаллиевый ППМ со встроенными антеннами для диапазона частот 57–64 ГГц: а – топология
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2017.pdf (1,1 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
ЭЛЕКТРОНИКА Том 23 № 2 2018 – сеть с топологией решетки и пакетной коммутацией, асинхронность на уровне <...> решетки, 3 сети с пакетной коммутацией Однородная Локальная память ПЭ (64 Кбайт кода и данных) KiloCore Топология <...> память размером 1264 Кбайт, локальная память ПЭ (12840 бит кода, 512 байт данных) MPPA-256 Bostan Топология <...> когерентности. 2 МБайт разделяемой памяти и контроллер прямого доступа к памяти (ПДП) на группу SW26010 Топология <...> При проектировании топологии межъядерных связей необходимо учитывать технологические ограничения на эффективно
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2018.pdf (1,0 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Ключевые слова: умножитель частоты, модель, топология, спектр сигнала, побочные гармоники, субмикронный <...> Проектирование схемы и топологии выполнялось на базе приложения Virtuoso. <...> В процессе наноимпринт-литографии с помощью данного штампа получена топология периодической структуры <...> Штамп для наноимпринт-литографии (а) и топология прибора (б) Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство <...> АСМ-изображения топологии и токового контраста ОНС представлены на рис.6.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №2 2014.pdf (4,4 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Методы быстрой зарядки состоят из трех различных топологий: топология с преобразователями переменного <...> Общая многоточечная топология с подключением переменного тока и бестрансформаторная топология представлены <...> Кузнецов Был сделан вывод, что метод V2G, который является подветвью топологии станции быстрой зарядки
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №4 2021.pdf (1,2 Мб)
Автор: Изюмов Ю. А.
М.: Институт компьютерных исследований
Анализируются физические свойства и электронные модели нового класса высокотемпературных сверхпроводников в слоистых соединениях на основе железа. Несмотря на различный химический состав и различие в кристаллической структуре, они имеют похожие физические свойства, обусловленные электронными носителями в FeAs-слоях и их взаимодействием с флуктуациями магнитного порядка. Исключительный интерес к ним объясняется перспективами практического применения. В монографии дается полная картина формирования их физических свойств на основе теоретических моделей и электронной структуры.
Топология поверхности Ферми не показывает нестинга между дырочными и электронными листами, как во многих <...> Неожиданное уточнение топологии Ферми-поверхности сделано для соединения Ba1−xKxSrFe2As2 [151]. <...> Выявленная топология поверхности Ферми существенно отличается от CaFe2As2, будучи трехмерной. <...> В зависимости от величины hAs топология поверхности Ферми соединения меняется. <...> Магнитное упорядочение возникает не за счет особенностей топологии поверхности Ферми, а за счет выигрыша
Предпросмотр: Высокотемпературные сверхпроводники на основе FeAs-соединений (2-ое изд., испр. и доп. ).pdf (0,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Все это изменяет заданную топологию элементов ИС, что может привести к смещению областей пространственного <...> С целью обеспечения возможности измерения параметров транзистора топология дополнена тестовыми контактными <...> При этом для обеспечения в ЛВС Ethernet режима реального времени используется, как правило, топология <...> Основную площадь в топологии фазовращателя занимают катушки индуктивности, конденсаторы и варакторы. <...> Разработаны схема измерителя, топология печатной платы, программное обеспечение для микроконтроллера,
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2016.pdf (1,0 Мб)
В журнале публикуются оригинальные экспериментальные и теоретические статьи и обзоры по наиболее актуальным проблемам физики твердого тела, материаловедения, технике эксперимента, конденсированных сред, наноструктур, изучению поверхностей тонких пленок и межфазных границ раздела. Особое внимание уделяется использованию современных методов анализа. Приоритетными являются статьи и обзоры, посвященные получению и диагностике новых наноматериалов.
Строение и топология волнообразной наноструктуры: а – ПЭМ-изображение поперечного сечения (λ = 130 нм <...> Топология двухстадийного изготовления наномаски представлена на рис. 1в. <...> Топология трехстадийного изготовления наномаски с периодом λ = 40 нм представлена на рис. 2а. <...> Таким способом топология волнообразной структуры из слоя a-Si была перенесена на поверхность стекла, <...> Фотовольтаика Массив остроконечных кремниевых нанохребтов с топологией обычной наномаски, полученный
Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №11 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Дирочка Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. <...> В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена "карманом", устраняющим медленные диффузионные <...> Топология p–i–n-ФД на основе InGaAs/InP гетероструктруры: а — стандартный; б — с «карманом» Фотодиоды <...> Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2014630154. <...> Модифицированная топология индиевых микроконтактов 1 51 Номер выпуска Стр. Андреев Д.
Предпросмотр: Прикладная физика №6 2015.pdf (0,9 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
С одной стороны, применение готовой четверичной ячейки разряда в случае проектирования топологии или <...> Воронеж) Проведен расчет физических параметров исходя из топологии цифровой КМОП-транзисторной ячейки <...> На рис.2 приведены варианты топологии элемента 2И-ИЛИ-НЕ. Рис.2. <...> Карман в каждом ряду общий и не прерывается внутри топологии. <...> Получившаяся топология представлена на рис.2.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №5 2014.pdf (0,6 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
В качестве тестовой структуры планарного автоэмиссионного диода разработана топология встречно-штыревого <...> Для формирования топологии тестового планарного эмиссионного прибора путем фотолитографии сформирована <...> Nonlinear LNA parameters Топология МШУ представлена на рис. 9 (габариты кристалла 1,19×1,43 мм). <...> Топология микросхемы малошумящего усилителя Fig. 9. <...> Пример схемы после логического синтеза и топологии для проектируемого устройства показан на рис. 2.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2022.pdf (1,4 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Топология МИС, полученная в результате электромагнитного моделирования, представлена на рис. 6. <...> Топология МИС МШУ с байпас-каналом X-диапазона частот Fig. 6. <...> Исследовали аттенюатор (см. рис. 1, в, д) с оптимизированной топологией ПЭ [8, 16]. Рис. 2. <...> Алгоритм плохо работает с нежесткими объектами и объектами с изменяющейся топологией, необходимость в <...> Во-первых, это независимость от топологии объекта, поскольку неявное представление контура позволяет
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 (0) 2025.pdf (0,3 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Модифицированная топология индиевых микроконтактов .................................................. <...> Aгентство Kнига-Cервис» Прикладная физика, 2015, № 1 51 УДК 621.315.5:621.3.049.77 Модифицированная топология <...> В статье рассмотрена модифицированная топология индиевых микроконтактов, позволяющая повысить надежность <...> Проверка топологии Проведены стыковки кристаллов формата 384×288 элементов с шагом 28 мкм. <...> Методы редактирования топологии БИС считывания 2 37 Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т.
Предпросмотр: Прикладная физика №1 2015.pdf (0,9 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Развитие колебаний потенциала и пространственного заряда в винтовых электронных пучках с разной топологией <...> Анализ скоростных распределений в разные моменты времени и переходных процессов в ВЭП разной топологии <...> На рис. 1 представлена топология МФЧЭ формата 6×576 элементов с шагом вдоль направления сканирования <...> Преимуществами данной топологии являются: уменьшенные размеры фоточувствительной линейки и уменьшенные <...> Топология МФЧЭ — вариант с уменьшенным шагом Кристалл матрицы формата 6×576 для представленной топологии
Предпросмотр: Прикладная физика №3 2012.pdf (0,7 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Разработчик создает высокоуровневое описание топологии с помощью шаблона. <...> Топология генерируется автоматически с помощью эволюционного алгоритма. <...> В методе ALADIN [2] генерация топологии основана на использовании относительно сложных подсхем. <...> Разработчики могут конструировать топологии параметризованных модулей независимо от технологии. <...> На рис.3,а представлен пример топологии параметризованной аналоговой ячейки токового зеркала, созданной
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2016.pdf (1,0 Мб)
Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные
вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным
средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор
МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ
О.Н. Крохин. Основные разделы журнала
1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в
вузе, техникуме, колледже.
2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах.
3. Современный лабораторный практикум по физике.
4. Демонстрационный лекционный эксперимент.
5. Информационные технологии в физическом образовании.
6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних
учебных заведениях.
7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента.
8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами.
9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.
области неустойчивого фокуса, в область устойчивого фокуса совершается смена типа устойчивости, меняется топология <...> Сам сигнал выглядит как многоструйное адронное событие с определенной топологией. <...> физических полей, локализованных на 4 мерной гиперповерхности многомерного суперпространства, определяется топологией <...> заменяется на вопрос «Чем обусловлена топология дополнительных пространственных измерений?» <...> Исключая божественную волю и оставаясь в рамках физики, можно предположить, что топология реального многомерного
Предпросмотр: Физическое образование в вузах №2 2012 (1).pdf (0,1 Мб)
В журнале публикуются оригинальные экспериментальные и теоретические статьи и обзоры по наиболее актуальным проблемам физики твердого тела, материаловедения, технике эксперимента, конденсированных сред, наноструктур, изучению поверхностей тонких пленок и межфазных границ раздела. Особое внимание уделяется использованию современных методов анализа. Приоритетными являются статьи и обзоры, посвященные получению и диагностике новых наноматериалов.
Все эти методы объединяет то, что формируемая на подложке топология определяется программным образом <...> литографу, за исключением одного – производительности, которая падает на шесть–семь порядков с уменьшением топологии <...> В этой технологии топология кодируется состоянием пикселей (микрозеркал) МОЭМС, отражающих рентгеновское <...> Требуемая топология на пластине формируется за счет согласованного движения сканера, микрозеркал МОЭМС <...> кооперативных эффектов, обусловленных взаимодействием компонентов в исходной суспензии, и особенностей топологии
Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №10 2018.pdf (0,1 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Такая топология расположения атомов и последовательность слоев определяются влиянием потенциального барьера <...> Для реализации широкого диапазона ослаблений мощности радиосигналов в работе предложены топологии малогабаритных <...> Топология ПЭ (а) и ее отображения на плоскость w (б, в) и w1 (г) Fig.1. <...> Предложенные топологии ПЭ на основе однородной резистивной пленки обеспечивают при малых габаритах реализацию <...> Установлено, что наиболее сбалансированной по количеству возможных подключений является организация топологии
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2018.pdf (1,3 Мб)
В журнале публикуются оригинальные экспериментальные и теоретические статьи и обзоры по наиболее актуальным проблемам физики твердого тела, материаловедения, технике эксперимента, конденсированных сред, наноструктур, изучению поверхностей тонких пленок и межфазных границ раздела. Особое внимание уделяется использованию современных методов анализа. Приоритетными являются статьи и обзоры, посвященные получению и диагностике новых наноматериалов.
Принципиальное значение для данного направления исследований имеет конкретная топология, определяющая <...> При решении данной задачи решающими становятся три фактора: характерные размеры контакта, топология образующихся <...> Принципиальное значение для данного направления исследований имеет конкретная топология пленочных наноструктур <...> В свою очередь эта топология связана с процессом получения таких структур.
Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №3 2017.pdf (0,1 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
Тензорезисторы в обоих случаях имели одинаковую толщину и топологию, а их легирование проводилось методом <...> Топология тензорезисторов и латеральные размеры были одинаковы. <...> Предложена упрощенная топология регулятора, с одним ключом в фазе. <...> Наиболее известные топологии регуляторов переменного напряжения: − с двунаправленными ключами [1]; − <...> Топологии регуляторов переменного напряжения модернизируются исходя из следующих требований: повышение
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №2 2018.pdf (1,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Трехмерная структура строилась с помощью квадратной топологии (рис.2) с областями нижнего затвора PEPI <...> № 5 2017 гии (на рис.2 выделена жирным), затем путем зеркального отображения восстанавливалась вся топология <...> Топология для построения КНИ ПДХ: 1 – затвор; 2 – исток; 3, 4 – контакты Холла; 5 – сток Fig.2. <...> источников тока в каждом элементе для учета зависимости величины импульса тока от места попадания частицы и топологии
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2017.pdf (1,0 Мб)
Основан в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом.
Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам.
В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций.
В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
-q Ключевые слова: матрицы, p–i–n-фотодиод, гетероэпитаксиальные структуры, InGaAs/InP, топология, коротковолновый <...> Необходимо также было дать теоретическое обоснование топологии матрицы p–i–n-фотодиодов с p–n-переходами <...> Необходимо также отметить, что для рассматриваемой топологии матрицы на краях фоточувствительных площадок <...> Заключение Рассмотрена топология планарной матрицы p–i–n-фотодиодов, в которой поперечные размеры p–n-переходов <...> физика, 2015, № 4 79 единения InGaAs, выращенного на подложке InP, была предложена совершенно иная топология
Предпросмотр: Прикладная физика №4 2015.pdf (0,9 Мб)
В журнале публикуются оригинальные экспериментальные и теоретические статьи и обзоры по наиболее актуальным проблемам физики твердого тела, материаловедения, технике эксперимента, конденсированных сред, наноструктур, изучению поверхностей тонких пленок и межфазных границ раздела. Особое внимание уделяется использованию современных методов анализа. Приоритетными являются статьи и обзоры, посвященные получению и диагностике новых наноматериалов.
Данный метод предполагает использование полнопольного рентгеношаблона (т.е. содержащего топологию всего <...> Полосовой фильтр на основе ПММС с топологией дипольно-щелевых отверстий: а – РЭМ-изображение (толщина <...> На рис. 5 представлен внешний вид, а также фрагменты топологии изготовленных рентгеношаблонов для фильтра <...> Внешний вид (а, б) и РЭМ-изображения фрагментов топологии (в, г) изготовленных ПММС толщиной 1 мм: а <...> Рис. 6 иллюстрируют внешний вид, а также фрагменты топологии фильтра высоких частот и плоской линзы,
Предпросмотр: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования №7 2017.pdf (0,1 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Топология DG JFET благодаря центрально расположенному стоку 7, окруженному со всех сторон верхним затвором <...> 8] заключается в следующем: – малошумящие p-JFET заменены на пару DG JFET, расположение которых на топологии <...> Типовая структура (а) и топология (б) p-JFET, созданные по технологическому маршруту 3CBiT: 1 – скрытый <...> параметров пассивных компонентов схемы на работу модуля, однако не учитываются паразитные параметры топологии <...> Для большинства преобразователей в рамках одной топологии последовательность расчета номиналов компонентов
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2022.pdf (1,4 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Образцы МЭМСпреобразователей представляют собой кремниевый кристалл, топология которого приведена на <...> Топология чувствительного элемента (МЭМС-преобразователя) датчика расхода газа: 1 – терморезистор контроля <...> Постоянное перемещение узлов в пространстве не позволяет сформировать фиксированную топологию такой сети <...> сетей MANET – необходимость постоянного перестроения маршрута из-за повышенной динамичности сетевой топологии
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2018.pdf (0,9 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Топология и поперечное сечение КНИ ПДХ схематически изображены на рис.1. Рис.1. <...> Схематическое изображение КНИ ПДХ: а – топология (1, 2 – токовые электроды; 3, 4 – электроды для измерения <...> ПДХ имеет крестовидную топологию (рис.1,а).
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №4 2015.pdf (1,4 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
В работе предложены перспективные топологии адаптоаттенюаторов для ГИС с близким к оптимальному профилем <...> При расчете прямоугольной топологии использован аппарат теории функций комплексного переменного. <...> Предлагаемые топологии ПЭ адаптоаттенюаторов Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис <...> Прямоугольная (а) и оптимизированная (б) топологии адаптоаттенюатора Fig.1. <...> Прямоугольная топология адаптоаттенюатора с однородной резистивной пленкой (а) и ее последовательное
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2021.pdf (1,3 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
устанавливаем, что счетно порожденному расширению полей отвечает свойство счетности локального веса топологии <...> Ключевые слова: расширение полей, группа Галуа, проконечная группа, счетность топологии. <...> Устанавливаем, что ему отвечает свойство локальной счeтности топологии группы Галуа. <...> В случае бесконечного расширения полей такая группа является топологической проконечной группой, топология <...> Условие счетности фундаментальной системы окрестностей единицы группы означает, что локальная топология
Предпросмотр: Доклады Академии наук высшей школы Российской Федерации №2 2014.pdf (1,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
На рис.3 показана топология тестовой структуры, использованная в эксперименте для оценки электромиграционных <...> Топология тестовой структуры Fig.3.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2019.pdf (1,4 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Метод оценки искажений топологии для детальной трассировки нанометровых СБИС ................... 54 Гаврилов <...> Топология фазовой диаграммы системы Ge-Sb-Te / В.И. Косяков, В.А. Шестаков, Л.Е. <...> Таким образом можно оценить радиус и топологию нанообъекта на поверхности [7]. И.И. <...> Представление топологии. <...> На рис.3 показано представление фрагмента топологии в виде матрицы. Рис.3.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №2 2013.pdf (0,8 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Топология тестовой структуры, которая использовалась в эксперименте для оценки электромиграционных эффектов <...> катодный узел помещался в вакуумную камеру растрового электронного микроскопа для оценки изменения топологии <...> распределения тока, мощности рассеяния, определение электрического сопротивления участков фрагмента топологии <...> дальнейшего совершенствования ТПР требуется более детальный анализ конструкции, в том числе фрагмента топологии <...> наклона зеркальной поверхности φ определяется ее длиной, равной 50 мкм (задается на этапе разработки топологии
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №3 2014.pdf (5,7 Мб)
Начиная со второго номера 2007 г. «Доклады Академии наук высшей школы России» публикуют статьи о новых конкретных результатах законченных оригинальных и особенно имеющих приоритетный характер исследований в области естественных и технических наук, а также в области инноваций.
В «Докладах АН ВШ РФ» не публикуются статьи описательного, обзорного, полемического, общественно-информационного и методического (если метод не является принципиально новым) характера, а также статьи, излагающие результаты промежуточных этапов исследований и не содержащие весомых научных выводов.
«Доклады АН ВШ РФ» публикуют статьи членов АН ВШ РФ и МАН ВШ, членов-корреспондентов их отделений, а также научных работников академических и отраслевых институтов, профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов высших учебных заведений. Все рукописи рецензируются, по результатам рецензирования редколлегия принимает решение о целесообразности опубликования материалов. Для авторов публикация является бесплатной. Редакция журнала «Доклады АН ВШ РФ» просит авторов при подготовке статей строго соблюдать правила, приведенные в конце каждого номера
что среди существующих топологий многоуровневых преобразователей наиболее распространенной является топология <...> с емкостным делителем напряжения (за рубежом она известна как топология NPC-типа или diode-clamped topology
Предпросмотр: Доклады академии наук высшей школы №1 2011.pdf (0,7 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Как правило, элемент Холла имеет крестовидную топологию [7]. <...> В процессе оптимизации топологии рассмотрены варианты топологии с малыми окнами в форме прямоугольных <...> Исследование влияния топологии КМОП совместимого элемента Холла на его магниточувствительность // VI <...> Синтез топологии выполняется с учетом списков цепей приоритетной разводки и скоростных цепей. <...> проверку соответствия полученной топологии БИС ее логической схеме.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2015.pdf (1,0 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> Схематичное представление топологии маски серебра на поверхности пластины монокристаллического кремния <...> Топология для бесшаблонной лазерной фотолитографии создавалась в программе AutoCad 2007 и сохранялась <...> Для топологии рис.2,а (сопротивление контактов подключения 2ρп исключено) R б.э [ k e ln c e ]( <...> Для топологии рис.2,б [ ( / ) 2 ( / ) ] ln ( / ) R б.э b a b a b a , (5) α =
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2015.pdf (1,0 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
РЭМ-изображения исходных фрагментов гетероструктуры для автоэмиттера КСУ и топология кристалла автоэмиттера <...> микроострия; б – массивы кремниевых микроострий; в – гетероструктура кремний / алмаз / α-C:H:Si:Ni; г – топология <...> Схематические изображения эволюции топологии нанообъектов, сформированных локальным электрическим полем <...> : 1 – профиль сечения кластера; 2, 3 – изменения топологии нанообъектов в процессе термообработки при
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №1 2023.pdf (1,5 Мб)
Изд-во НГТУ
В книге представлена основная информация, характеризующая современное состояние нанотехнологии. Особое внимание уделено истории развития науки о нанотехнологиях, применению достижений нанотехнологий в различных областях промышленности, а также проблемам и перспективам развития нанотехнологий.
Однако в основу их положена топология сетей. <...> Топология сетей с четырехсвязными точками ветвления или вершинами: a – dia (алмазная структура); б – <...> Согласно правилам IZA все цеолиты были классифицированы по топологии каркаса 23 без учета химического <...> состава цеолита и симметрии рассматриваемой топологии [2.142]. <...> Цеолиты, имеющие одинаковую топологию, относятся к одному типу цеолитного каркаса.
Предпросмотр: Нанотехнологии. Химические, физические, биологические и экологические аспекты.pdf (0,6 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
длительности стадии перетрава (селективной стадии процесса) на появление подтравов формируемых элементов топологии <...> Топология МЭММС-датчика микроперемещений с поперечным расположением магнитопровода на консоли: 1 – кремниевая <...> Моделирование должно проводиться также после проектирования топологии и учитывать емкости межсоединений <...> Фрагмент топологии матричного приемника, спроектированного в базисе КМОП 0,18 мкм библиотеки стандартных <...> Фрагмент топологии ИС схемы считывания сигналов матричного пироэлектрического приемника, выполненный
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №1 2014.pdf (9,7 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Топологию проявленных структур контролировали с помощью оптического микроскопа и атомно-силового микроскопа <...> Входными данными для моделирования служат топология проводящих слоев, а также параметры используемых <...> Отметим, что вклад данных эффектов зависит и от используемых материалов (их параметров), и от топологии <...> Фрагмент топологии корпуса с отличающимися полигонами выводов (вертикальные проводники идентичны) Fig <...> Electronics 2021 26(5) 389 денческой модели до проектирования топологии.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2021.pdf (3,7 Мб)
Данный журнал является единственным, охватывающим все актуальные
вопросы преподавания физики в вузе, и, как мы надеемся, он станет главным
средством общения кафедр физики вузов стран СНГ. Главный редактор журнала − академик Российской академии наук, профессор
МИФИ, научный руководитель Высшей школы им. Н.Г. Басова НИЯУ МИФИ
О.Н. Крохин. Основные разделы журнала
1. Концептуальные и методические вопросы преподавания общего курса физики в
вузе, техникуме, колледже.
2. Вопросы преподавания курса общей физики в технических университетах.
3. Современный лабораторный практикум по физике.
4. Демонстрационный лекционный эксперимент.
5. Информационные технологии в физическом образовании.
6. Вопросы преподавания общего курса физики в педвузах и специальных средних
учебных заведениях.
7. Текущая практика маломасштабного физического эксперимента.
8. Связь общего курса физики с другими дисциплинами.
9. Интеграция Высшей школы и Российской Академии наук.
Морфология и топология электроосажденных прекурсоров Сu)Zn)Sn для солнечных элементов на основе Cu2ZnSnSe4 <...> Морфология и топология электроосажденных прекурсоров Сu)Zn)Sn для солнечных элементов на основе Cu2ZnSnSe4
Предпросмотр: Физическое образование в вузах №1 2016.pdf (0,2 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Анализ топологии образца с помощью растровой электронной микроскопии подтверждает наличие в нем нанолистов <...> и топологии с оптимизированным профилем входных контактов для повышения равномерности распределения <...> Топология пленочных поглощающих элементов: а – типовой; б – оптимизированный для больших ослаблений; <...> на рис. 1, а составляло 50 Ом/□, для топологии на рис. 1, б, в равно 70 Ом/□. <...> Оптимизация топологии пленочных чипэлементов ВЧ и СВЧ аттенюаторов // Нанои микросистемная техника. 2019
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 (0) 2024.pdf (0,2 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Область научных интересов: разработка топологии и исследование высокотехнологичных датчиков ИК-спектра <...> Проектирование топологии матрицы формата 320×240 пикселей, основную площадь которой занимает двумерный <...> Фрагмент чертежа оригинальной топологии матрицы [8] представлен на рис.4. <...> Фрагмент чертежа оригинальной топологии матрицы Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис <...> Разработанная оригинальная топология интегральной схемы позволяет считывать сигналы матрицы пироэлектрических
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника. №3 2015.pdf (1,5 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
характер, максимальная температура может зависеть от размеров всего кристалла микросхемы, а также его топологии <...> Данная топология обеспечивает коэффициенты преобразования, равные 1/2, 1/3, 2/3 и 1. Рис.2. <...> допустимого уровня, блок управления с обратной связью обновляет 2-битный MS цифровой код для регулировки топологии
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2016.pdf (1,0 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Недостаток представленного метода – необходимость его адаптации для работы на топологиях с большим объемом <...> Для минимизации механических напряжений в диэлектрической мембране и равномерного распределения тепла топология <...> Интегральные ФКС характеризуются относительной простотой реализации, малой площадью топологии, сравнительно <...> Несимметричность топологии приводит к изменению скважности сигнала и увеличению амплитудной и фазовой <...> Триггерные схемы чувствительны к качеству топологии.
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2020.pdf (1,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Классическим методом контроля латеральных размеров элементов топологии ИС является электронная микроскопия <...> Вторичные электроны несут информацию о топологии поверхности, а отраженные – о химическом составе и морфологии <...> Для производства ряд образцов с однотипной топологией является типичным случаем. <...> Анализ возможностей основных методов измерения критических размеров элементов топологии ИС контролировать <...> Это позволяет оценить вероятность возникновения множественных сбоев и скорректировать топологию с учетом
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2023.pdf (0,3 Мб)
На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Можно также экспортировать трехмерную модель микросборки со всей топологией, компонентами и торцевыми <...> В результате совмещение топологии торцевых элементов и выходящих на торец контактов уровней затруднено <...> Общий вид топологии АМР-преобразователя геомагнитного поля Fig. 5. <...> На сформированной топологии АМР-преобразователя изучен эффект влияния формы и расположения шунтирующих <...> В первом варианте топологии зазор составлял 100 мкм, во втором – 5 мкм (рис. 8).
Предпросмотр: Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2023.pdf (0,3 Мб)