Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 22 № 6
Учредитель:
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., академик РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гапоненко С.В., акад. НАН Беларуси,
д.ф.-м.н., проф. (Беларусь)
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электроники
Кравцова В.Д., Умерзакова М.Б., Коробова Н.Е.,
Вертянов Д.В. Медьсодержащие композиции на основе
алициклического полиимида для микроэлектроники ........ 509
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси,
иностр. чл.. РАН, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Сидоренко А.С., акад. АН Молдовы,
д.ф.-м.н., проф. (Молдова)
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2017
© МИЭТ, 2017
Terekhov D.Y., Lazarenko P.I., Sherchenkov A.A.,
Investigation of
Технологические процессы и маршруты
Супонников Д.А., Путилин А.Н., Баринов А.А. Структурирование
люминофорных слоев для повышения пространственной
разрешающей способности детекторов
рентгеновского изображения. ОБЗОР ................................. 528
Усачев Н.А., Елесин В.В., Назарова Г.Н., Сотсков Д.И.,
Никифоров А.Ю., Чуков Г.В., Метелкин И.О.,
Жидков Н.М., Дмитриев В.А., Селецкий А.В.,
Шелепин Н.А. Исследования возможностей отечественной
технологии КМОП КНИ 180 нм для создания
радиочастотных приемо-передающих БИС космического
назначения......................................................................... 546
Элементы интегральной электроники
Вигдорович Е.Н. Квантовый выход гетероструктур на
основе нитрида галлия с квантовыми ямами GaInN .......... 559
Петросянц К.О., Попов Д.А., Быков Д.В. TCADмоделирование
дозовых радиационных эффектов в суб100-нм
high-k МОП-транзисторных структурах ................ 569
Shtern Y.I., Kozyukhin S.A., Filatov S.A., Babich A.V.,
Pepelyaev D.V., Presnukhina A.A.
Temperature Dependencies of Seebeck Coefficient and
Electrical Conductivity of Ge2Sb2Te5 Thin Films ................... 518
2017 ноябрь–декабрь
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.3
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Гамкрелидзе С.А., Мальцев П.П., Федоров Ю.В. МоРедактор
А.В.
Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.ivuz-e.ru
Адрес издателя: 124498, Россия,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ.
Адрес полиграфического предприятия:
124498, Россия, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1,
МИЭТ.
Подписано в печать 07.12.2017.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 13,48 усл.печ.л.,
11,87 уч.-изд.л.
Тираж 200 экз.
Заказ 16.
Свободная цена.
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на платформе Web of Science.
Является членом Cross Ref.
нолитные СВЧ ИС миллиметрового диапазона на основе
нитридных гетероструктур с интегрированными антенными
элементами ................................................................ 582
Сергеев В.А., Ходаков А.М. Теплоэлектрическая модель
InGaN/GaN светодиода с учетом влияния подложки
гетероструктуры .................................................................. 589
Краткие сообщения
Высоких Ю.Е., Краснобородько С.Ю., Шевяков В.И.,
Бержанский В.Н., Михайлова Т.В., Шапошников А.Н.,
Прокопов А.Р., Недвига А.С. Магнитно-силовая микроскопия
доменной структуры феррит-гранатовых пленок –
носителей термомагнитной записи ..................................... 596
Жгунев З.Г., Татаринова Е.А., Дабагов А.Р. Модель
для определения размера ячейки фотосчитывающего
устройства ............................................................................ 602
Конференции
10-я Всероссийская научно-практическая конференция
«Актуальные проблемы информатизации в науке и образовании
– 2017» ................................................................. 608
Памяти Казённова Геннадия Георгиевича ........................ 609
Юбилеи
50 лет кафедре интегральной электроники и микросистем
МИЭТ .............................................................................. 611
Тематический указатель статей, опубликованных в
2017 году ............................................................................... 614
К сведению авторов ............................................................ 619
506
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 6 2017
Стр.4
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 22 No. 6
Founder:
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Acad. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bakhtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gaponenko S.V. (Belarus),
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. NAS
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belarus),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. NAS, For. memb. of the RAS
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyants K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. AS
Sidorenko A.S. (Moldova),
Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. AS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2017
© MIET, 2017
2017 November–December
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
CONTENTS
Electronics materials
Kravtsova V.D., Umerzakova M.B., Korobova N.E.,
Vertyanov D.V. Copper-Containing Compositions Based on
Alicyclic Polyimide for Microelectronics. .............................. 509
Terekhov D.Y., Lazarenko P.I., Sherchenkov A.A.,
Shtern Y.I., Kozyukhin S.A., Filatov S.A., Babich A.V.,
Pepelyaev D.V., Presnukhina A.A. Investigation of Temperature
Dependencies of Seebeck Coefficient and Electrical
Conductivity of Ge2Sb2Te5 Thin Films ................................... 518
Technological processes and routes
Suponnikov D.А., Putilin А.N., Barinov А.А.
Structurization of the Phosphor Layers to Improve Resolution
of the X-ray Detectors. REVIEW .............................................. 528
Usachev N.A., Elesin V.V., Nazarova G.N., Sotkov D.I.,
Nikiforov A.Yu., Chukov G.V., Metelkin I.O.,
Zhidkov N.M., Dmitriev V.A., Seletskiy A.V., Shelepin N.A.
Capabilities of the Domestic 180-nm CMOS SOI Technology
to Design Radio Frequency Transceiver ICs for Space
Applications ............................................................................ 546
Integrated electronics elements
Vigdorovich E.N. The Quantum Yield of Heterostructures
Based on Gallium Nitride Quantum-Well GaInN ................... 559
Petrosyants K.O., Popov D.A., Bykov D.V. TCAD Simulation
of Dose Radiation Effects in Sub-100 nm High-k
MOSFET Structures ............................................................... 569
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 6 2017
507
Стр.5
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Gamkrelidze S.A., Maltsev P.P., Fedorov Yu. V. MonoChief
editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Editorial Board’s address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET, editorial office of the Journal
«Proceedings of Universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.ivuz-e.ru
Publisher’s address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET
Printery address:
124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET
Signed to print 07.12.2017.
Sheet size 6084 1/8.
Digital printing.
Conventional printed sheets 13,48.
Number of copies 200.
Order no. 16.
Free price.
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Russia, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Is the member of Cross Ref.
lithic Microwave ICs of mm Range on Basis of Nitride
Heterostructures .................................................................... 582
Sergeev V.A., Hodakov A.M. Thermoelectric Model of
InGaN/GaN LEDs Taking into Account Influence of
Heterostructure Substrate ....................................................... 589
Brief reports
Vysokikh Yu.E., Krasnoborodko S.Yu., Shevyakov V.I.,
Berzhansky V.N., Mikhailova T.V., Shaposhnikov A.N.,
Prokopov A.R., Neviga A.S. Magnetic Force Microscopy of
Domain Structure of Ferrite-Garnet Thin Films – Carriers of
Thermomagnetic Recording ................................................... 596
Zhgunev Z.G., Tatarinova E.A., Dabagov A.R. Model for
Determination of Optimum Size of a Photo Reading Device
Cell ........................................................................................ 602
508
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 6 2017
Стр.6