Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2014 (915,20 руб.)

0   0
Страниц101
ID239192
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2014 .— №2 .— 101 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/239192 (дата обращения: 26.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

8 ФЕВРАЛЯ – ДЕНЬ РОССИЙСКОЙ НАУКИ Миэтовские научные чтения 3 февраля 2014 г. в Национальном исследовательском университете «МИЭТ» прошли 15-е Миэтовские научные чтения, приуроченные к Дню российской науки. <...> Н.Г. Галкин – выпускник МИЭТ 1977 г., известный учёный в области физики и технологии наноструктурированных и функциональных материалов на основе кремний-силицидных наногетероструктур, физики низкоразмерных структур на кремнии и нанодиагностики. <...> Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА 2(106)’2014 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. <...> Новые типы поверхностных акустоэлектрических волн и акустический перенос заряда в кристаллах GaAs . <...> 16 Технология микро- и наноэлектроники Новиков С.Н., Ермолаева А.И., Тимошенков С.П., Пятилова О.В., Гаврилов С.А., Белов А.Н. <...> Исследование влияния нанорельефа кремниевой поверхности и технологических условий выдержки кремниевых пластин на состояние сорбированной влагосодержащей среды . <...> Электрически перепрограммируемая энергонезависимая память в КМОПтехнологии . <...> 31 Микроэлектронные приборы и системы Шеховцов Д.В., Мушта А. <...> Умножители частоты с улучшенным подавлением побочных компонент спектра выходного сигнала . <...> Формирование кремниевых наноструктур плазменным травлением через маску, созданную фокусированным пучком ионов Ga+ . <...> Авилов В.И., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. Формирование и исследование матрицы мемристоров на основе оксида титана методами зондовой нанотехнологии . <...> Специализированная система управления производственными процессами для участка сборки и испытания микросхем . <...> Алгоритм поиска границ плоскостей на изображениях комнат с частично определенной геометрией . <...> Анализ и синтез импульсных и функциональных генераторов с одним реактивным элементом . <...> Определение среднего радиуса рассеивающих <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника._№2_2014.pdf
8 ФЕВРАЛЯ – ДЕНЬ РОССИЙСКОЙ НАУКИ Миэтовские научные чтения 3 февраля 2014 г. в Национальном исследовательском университете «МИЭТ» прошли 15-е Миэтовские научные чтения, приуроченные к Дню российской науки. По традиции на чтения приглашаются известные российские учёные с докладами по актуальным направлениям науки и технологий. С докладом «Кремний-силицидные нанокомпозитные структуры: от процессов самоформирования к приборам фотоники, электроники и термоэлектроники» на чтениях выступил Галкин Николай Геннадьевич – доктор физикоматематических наук, профессор, учёный секретарь Института автоматики и процессов управления ДВО РАН, заместитель руководителя научно-образовательного центра «Нанофизика и нанотехнологии» Дальневосточного государственного университета. Н.Г. Галкин – выпускник МИЭТ 1977 г., известный учёный в области физики и технологии наноструктурированных и функциональных материалов на основе кремний-силицидных наногетероструктур, физики низкоразмерных структур на кремнии и нанодиагностики. В своём докладе Н.Г. Галкин привёл обзор результатов фундаментальных исследований механизмов проводимости двумерных плёнок металлов и силицидов на кремнии в условиях сверхвысокого вакуума методом двухчастотных холловских температурных измерений; исследований процессов эпитаксиального роста и структуры толстых плёнок полупроводниковых силицидов хрома, железа и магния на кремнии, их свойств и параметров зонной энергетической структуры; экспериментальных работ по росту и свойствам монолитных многослойных нанокристаллических наноматериалов и приборных структур, полученных на их основе: кремниевые фотодиоды с расширенной ИК-фоточувствительностью, термоэлектрические преобразователи и др. Доклад Н.Г. Галкина вызвал большой интерес и активную дискуссию.
Стр.1
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА 2(106)’2014 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. Зам. главного редактора Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Амербаев В.М., акад. НАН Респ. Казахстан, д.т.н., проф. Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Быков Д.В., д.т.н., проф. Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.т.н., проф. Лабунов В.М., акад. НАН Беларуси, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Руденко А.А., канд.т.н., доц. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тихонов А.Н., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. © “Известия вузов. Электроника”, 2014 © МИЭТ, 2014 СОДЕРЖАНИЕ Фундаментальные исследования Мороча А.К. Новые типы поверхностных акустоэлектрических волн и акустический перенос заряда в кристаллах GaAs ......................................................................... 3 Материалы электронной техники Голубятников В.А., Григорьев Ф.И., Лысенко А.П., Строганкова Н.И., Шадов М.Б., Белов А.Г. Особенности фотопроводимости полуизолирующего теллурида кадмия .................................................................................... 16 Технология микро- и наноэлектроники Новиков С.Н., Ермолаева А.И., Тимошенков С.П., Пятилова О.В., Гаврилов С.А., Белов А.Н. Исследование влияния нанорельефа кремниевой поверхности и технологических условий выдержки кремниевых пластин на состояние сорбированной влагосодержащей среды ...................................................................................... 22 Ермаков И.В., Шелепин Н.А. Электрически перепрограммируемая энергонезависимая память в КМОПтехнологии ............................................................................. 31 Микроэлектронные приборы и системы Шеховцов Д.В., Мушта А.И, Балашов Ю.С. Умножители частоты с улучшенным подавлением побочных компонент спектра выходного сигнала ............................... 36 Нанотехнология Бобринецкий И.И., Волкова А.В., Зайцев А.А., Неволин В.К., Царик К.А., Чудинов А.А. Формирование кремниевых наноструктур плазменным травлением через маску, созданную фокусированным пучком ионов Ga+ ................................ 43 Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.2
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор Л.Ф. Летунова Компьютерный дизайн, верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 09.04.2014. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 11,63 усл.печ.л., 11,4 уч.-изд.л. Заказ № 12. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень российских рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук. Включен в Российский индекс научного цитирования. Авилов В.И., Агеев О.А., Коломийцев А.С., Коноплев Б.Г., Смирнов В.А., Цуканова О.Г. Формирование и исследование матрицы мемристоров на основе оксида титана методами зондовой нанотехнологии .................................. 50 Информационные технологии Короткий О.В., Матвеев В.А. Специализированная система управления производственными процессами для участка сборки и испытания микросхем ..................... 58 Фионов Д.А., Туркин А.В., Сотников А.В., Шипатов А.В. Алгоритм поиска границ плоскостей на изображениях комнат с частично определенной геометрией ................... 64 Интегральные радиоэлектронные устройства Балабанов А.А. Анализ и синтез импульсных и функциональных генераторов с одним реактивным элементом ......................................................................................... 71 Биомедицинская электроника Терещенко С.А., Максимова Е.О., Гавриков А.И. Определение среднего радиуса рассеивающих частиц биологической среды по фактору анизотропии ...................... 77 Краткие сообщения Кислицин М.В., Королёв М.А. Влияние режимов термообработки на прочность соединения пластин кремния 81 Щагин А.В., Чжо Ту. Система управления скоростью вращения вала асинхронного электродвигателя с использованием скалярного метода ....................................... 83 Конференции. Выставки Вернер В.Д., Сауров А.Н., Резнев А.А. Инновация по всем направлениям (выставка «Продуктроника-2013», г. Мюнхен, Германия) .......................................................... 86 8 февраля – День российской науки. Миэтовские научные чтения .................................................. 3 стр. обложки Юбилеи Лабунову Владимиру Архиповичу – 75 лет .................... 92 Contents ................................................................................ 94 Abstracts ............................................................................... 95 К сведению авторов ............................................................ 99 2 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 2(106) 2014
Стр.3