Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №5 2017 (550,00 руб.)

0   0
Страниц99
ID544494
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2017 .— №5 .— 99 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/544494 (дата обращения: 26.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Формируются специальные выпуски по тематическому признаку. по каталогу «Газеты, журналы» АО Агентства «Роспечать» в любом почтовом отделении Подписаться на печатную версию журнала можно: Подписной индекс 47570 по прямой подписке в АО Агентстве «Роспечать»: www.press.rosp.ru по каталогу АО «МК-Периодика»: www.periodicals.ru; info@periodicals.ru через редакцию - с любого номера и до конца года Подписку на электронную копию журнала можно оформить на сайтах ▪ Научной электронной библиотеки: www.elibrary.ru ▪ ООО «Агентство «Книга-Сервис»: www.rucont.ru; www.akc.ru; www.pressa-rf.ru ▪ ООО «УП Урал-Пресс»: www.delpress.ru ▪ ООО «ИВИС»: www.dlib.eastview.com Адрес редакции: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, комн. <...> Перенос электронов поперечной акустоэлектрической волной типа Стоунли. <...> Анализ характеристик переключения ячеек памяти MRAM на основе материалов с одноосной анизотропией . <...> Влияние концентрации примеси в пленке кремния на магниточувствительность КНИ полевых датчиков Холла . <...> Использование системы TCAD для разработки маршрута изготовления комплементарных биполярных транзисторов в составе ОУ . <...> Схемотехническое моделирование одиночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП СБИС с суб-100-нм проектными нормами . <...> Влияние параметров барьеров Шоттки AlGaN/GaN/SiC НЕМТ-транзисторов на фазовые шумы СВЧ-генераторов . <...> Аналитическое решение для подавления уровня интегральных боковых лепестков АКФ псевдослучайных последовательностей в РСА 487 Попов В.Д. <...> Transport of Electrons by Acoustoelectric Wave of Stonely Type. <...> Analysis of Switching Characteristics of MRAM Cells Based on Materials with Uniaxial Anisotropy . <...> Using TCAD System for Development of Manufacture Route of Complimentary Bipolar Transistors as a Part of OD Devices. <...> 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of Universities. <...> The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. <...> Перенос электронов поперечной акустоэлектрической волной типа Стоунли, распространяющейся вдоль границы гетероконтакта двух пьезополупроводниковых слоев, рассматривается впервые. <...> Показано, что переменный акустоэлектрический ток <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника_№5_2017.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 Учредитель: Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. Зам. главного редактора Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. СОДЕРЖАНИЕ Фундаментальные исследования Мороча А.К., Рожков А.С. Перенос электронов попеКубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, иностр. чл.. РАН, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. речной акустоэлектрической волной типа Стоунли. ......... 413 Элементы интегральной электроники Юсипова Ю.А. Анализ характеристик переключения ячеек памяти MRAM на основе материалов с одноосной анизотропией ......................................................................... 421 Королёв М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Девликанова С.С. Влияние концентрации примеси в пленке кремния на магниточувствительность КНИ полевых датчиков Холла .............................................................. 433 Соловьев А.В., Крупкина Т.Ю., Лагун А.М. Использование системы TCAD для разработки маршрута изготовления комплементарных биполярных транзисторов в составе ОУ ............................................................................. 440 Схемотехника и проектирование Смолин А.А., Боруздина А.Б., Уланова А.В., Яненко А.В., Согоян А.В., Никифоров А.Ю., Телец В.А., Чумаков А.И., Шелепин Н.А. Схемотехническое моделирование одиночных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц в КМОП СБИС с суб-100-нм проектными нормами ..................................... 447 Груздов В.В., Енишерлова К.Л., Колковский Ю.В., © “Известия вузов. Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 Давыдов Н.В., Капилин С.А. Влияние параметров барьеров Шоттки AlGaN/GaN/SiC НЕМТ-транзисторов на фазовые шумы СВЧ-генераторов ........................................ 460 2017 сентябрь–октябрь Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.3
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Информационно-коммуникационные технологии Беляев И.В., Федоров А.Р., Гагарина Л.Г. Применение Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Россия г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru http://www.ivuz-e.ru Адрес издателя: 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ. Адрес полиграфического предприятия: 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ. Подписано в печать 09.10.2017. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 11,16 усл.печ.л., 10,032 уч.-изд.л. Тираж 150 экз. Заказ 15. Свободная цена. Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Включен в Russian Science Citation Index на платформе Web of Science. Является членом Cross Ref. генетического алгоритма для повышения качества работы поисковых систем ........................................................... 471 Акиншин Н.С., Румянцев В.Л., Акиншин О.Н. Экспериментальная оценка информативности поляризационно-модулированных сигналов ............................................. 478 Краткие сообщения Козлов В.А., Чистюхин В.В. Аналитическое решение для подавления уровня интегральных боковых лепестков АКФ псевдослучайных последовательностей в РСА 487 Попов В.Д. Образование дефектов поверхности КМОП-структуры при облучении гамма-лучами и при повышенной температуре .................................................... 491 Минаков Е.И., Калистратов Д.С. Применение векторных полей для анализа и прогнозирования движения в цифровых динамических видеоизображениях ............... 494 Дуюнов Е.Д., Дуюнов Д.А., Теплова Я.О. Снижение торсионных вибраций в приводах установок для выращивания кремния ................................................................. 499 К сведению авторов ............................................................ 503 410 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017
Стр.4
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Volume 22 No. 5 Founder: The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Deputy Editor-in-Chief Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Editorial Board: Barhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bakhtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. NAS, For. memb. of the RAS Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyants K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. CONTENTS Fundamental researches Morocha A.K., Roshkov A.S. Transport of Electrons by Acoustoelectric Wave of Stonely Type. .................................. 413 Integrated electronics elements Iusipova Iu.А. Analysis of Switching Characteristics of MRAM Cells Based on Materials with Uniaxial Anisotropy . 421 Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y., Devlikanova S.S. Influence of Doping Concentration in Silicon Film on Magnetic Sensitivity of SOI Field-Effect Hall Sensors .................................................................................... 433 Solov'ev A.V., Krupkina T.U., Lagun A.M. Using TCAD System for Development of Manufacture Route of Complimentary Bipolar Transistors as a Part of OD Devices............. 440 Circuit engineering and design Smolin A.A., Boruzdina A.B., Ulanova A.V., Yanenko A.V., Sogoyan A.V., Nikiforof A.Y., Telets V.A., Chumakov A.I., Shelepin N.A. Circuit Engineering Modeling of Single Event Effects under Impact of Heavy-Charged Particles in SUB-100 NM CMOS ICs .................................... 447 Gruzdov V.V., Enisherlova K.L., Kolkovsky Y.V., © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2017 © MIET, 2017 Davidov N.V., Kapilin S.A. Influence of AlGaN/GaN/SiC Parameters of HEMPT-Transistors on Microwave Generators Phase Noises .................................................................... 460 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017 411 2017 September–October The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.5
Head of editorial staff Zvereva S.G. Information-communication technologies Belyaev I.V., Fedorov A.R., Gagarina L.G. Use of Genetic Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Editorial Board’s address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of Universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru http://www.ivuz-e.ru Publisher’s address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET Printery address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET Signed to print 09.10.2017. Sheet size 6084 1/8. Digital printing. Conventional printed sheets 11,16. Number of copies 150. Order no. 15. Free price. The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis. Is the member of Cross Ref. Algorithms for Enhancing Efficiency of Search Systems ...... 471 Akinshin N.S., Rumiantsev V.L., Akinshin O.N. Experimental Evaluation of Information Content of Polarization Parameters .............................................................................. 478 Brief reports Kozlov V.A., Chistyuhin V.V. An Analytic Solution to Suppress Level of ACF Integral Sidelobes of PseudoRandom Sequences in SAR ................................................... 487 Popov V.D. Formation of CMOS-Structure Surface Defects under Irradiation by Gamma-Rays and at Higher Temperature .................................................................................. 491 Minakov E.I., Kalistratov D.S. Application of Vector Fields for Analysis and Motion Compensation Prediction in Dynamic Digital Video Images .............................................. 494 Duyunov E.D., Duyunov D.A., Teplova Ya.O. Reducing Torsional Vibrations in Silicon Growing Facilities Drives .... 499 412 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 5 2017
Стр.6