Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 20 № 4
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2015
© МИЭТ, 2015
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. Основные дефекты
в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния.
II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты
упаковки. Обзор .................................................................... 337
Вигдорович Е.Н. Возможности улучшения функциональных
характеристик нитрида галлия при эпитаксии
из газовой фазы ..................................................................... 350
Атдаев А., Данилюк А.Л., Лабунов В.А., Прищепа С.Л.,
Павлов А.А., Басаев А.С., Шаман Ю.П. Взаимодействие
электромагнитного излучения с магнитнофункционализированным
УНТ-нанокомпозитом в субтерагерцовом
диапазоне частот ........................................... 357
Технология микро- и наноэлектроники
Кузнецов В.И. Атомно-слоевое осаждение: реакторы и
применение ............................................................................ 365
Козлов А.В., Королёв М.А., Петрунина С.С. Математическое
моделирование влияния концентрации примеси
на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла 377
Микроэлектронные приборы и системы
Журавлёв Д.В., Мушта А.И. Эффективность преобразования
частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с
индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке
................................................................................. 382
Сурин Ю.В., Спиридонов А.Б., Лицоев С.В. Разработка
и исследование МДП-варикапов с переносом заряда ........ 391
Тимошенков С.П., Самойликов В.К., Евстафьев С.С.,
Терещенко А.М., Бритков И.М. Распределение температуры
по длине термомеханического актюатора ............. 397
2015 июль–август
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 22.07.2015.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 13,49 усл.печ.л.,
11,88 уч.-изд.л.
Заказ № 56.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень российских
рецензируемых научных журналов,
в которых должны быть опубликованы
основные научные результаты
диссертаций на соискание ученых
степеней доктора и кандидата наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования.
Информационные технологии
Умняшкин С.В., Шаронов И.О. Компенсация движения
для видеокодирования на основе гексагональных
блоков .................................................................................... 405
Соколов С.В. Решение навигационной задачи на основе
моделей пространственных траекторий ........................ 414
Интегральные радиоэлектронные устройства
Гуреев А.В. Энергетические характеристики распространения
электромагнитных волн внутри зданий ........... 421
Методы и техника измерений
Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Бугаев А.С., Волков Р.Л.,
Зайбт М. Исследование структуры и состава напряженного
эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции
InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной
микроскопии .................................................................. 431
Краткие сообщения
Жуков А.А., Ильин Е.Ю., Герасименко Н.Н. Влияние
режимов фотолитографического цикла на величину
отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста. 440
Романюк В.А., Яр Зар Хтун. Уменьшение фазового
шума источников СВЧ-колебаний путем совместного
использования автогенераторов и умножителей частоты 443
К сведению авторов ............................................................ 447
334
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 20 N 4
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Verner V.D., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof.
Deputy Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gavrilov S. A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Cor. Mem. RAS
Selishev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2015
© MIET, 2015
CONTENTS
Electronic engineering materials
Avrov D.D., Lebedev A.O., Tairov Yu.M. Main Defects in
Ingots and Epitaxial Layers of Silicon Carbide. II.
Micropipes. Low-Angle Boundaries. Stacking Faults. Review
.........................................................................................
Vigdorovich E.N. Possibilities for Improvement of Gallium
Nitride Functional Characteristics by Epitaxy from Gas
Phase ....................................................................................... 350
Atdaev A., Danilyuk A.L., Labunov V.A, Prischepa S.L.,
Pavlov A.A., Basaev A.S., Shaman Yu.P. Interaction of the
Electromagnetic Radiation with the Magnetofunctionalized
CNT-nanocomposite in the Subteraherz Frequency Range .... 357
Micro- and nanoelectronic technology
Kuznetsov V.I. Atomic Layer Deposition: Reactors and
Layer Applications .................................................................. 365
Kozlov A.V., Korolev M.A., Petrunina S.S. Mathematical
Simulation of Doping Concentration Influence on Drain
Current Value of SOI Field-Effect Hall Sensor ...................... 377
Microelectronic devices and systems
Zhuravlev D.V., Mushta A.I. Efficiency of Frequency
Transformation on MOP-Transistors with Built-In Channel
in an Intensive Handicap of Radioreception ........................... 382
Surin Y.V., Spiridonov A.B., Litsoev S.V. Development
and Investigation of MIS Varicaps with Charge Transfer ...... 391
Timoshenkov S.P., Samoylikov V.K., Evstafev S.S.,
Tereshchenko A.M., Britkov I.M. Temperature Distribution
along Length of Thermomechanical Actuator ........................ 397
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
335
337
2015 July–August
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings
of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of the Russian reviewed scientific journals,
in which the main scientific results
of thesis submitted for a doctor’s and
candidate’s degree must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
Information technologies
Umnyashkin S.V., Sharonov I.O. Hexagonal Block Motion
Compensation for Video Compression ............................ 405
Sokolov S.V. Solution of Navigation Task Based on Spatial
Trajectories Models........................................................... 414
Integrated radioelectronic devices
Gureev A.V. Energetic Characteristics of Indoor Wave
Propagation ............................................................................. 421
Measurement methods and technology
Lovygin M.V., Borgardt N.I., Bugaev A.S., Volkov R.L.,
Seibt M. Studies on Structure and Composition
of Strained Epitaxial Layer in Heterostructure
InAlAs/GaAs(100) by Transmission Electron Microscopy .... 431
Brief reports
Zhukov A.A., Ilyin E.Y., Gerasimenko N.N. Influence of
Photolithographic Process Conditions on Obtaining a Negative
Tilt of Thick Positive Photoresist Mask ........................... 440
Romanyuk V.A., Yar Zar Htun. Reduction of Phase Noise
Microwave Sources by Using Oscillators and Frequency
Multipliers ............................................................................... 443
336
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.4
К СВЕДЕНИЮ АВТОРОВ
(Правила оформления рукописей действуют с 1 октября 2014 г.)
ВНИМАНИЕ! Для публикации статьи в журнале автор оформляет подписку на 2 экземпляра
номера, в котором будет размещена его статья.
ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ! Статьи принимаются в редакцию только при наличии договора
о передаче авторского права. Статьи, рекомендованные для публикации в журналах
Semiconductors и Russian Microelectronics (English translation of selected articles from Izvestiya
Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Elektronika), необходимо также сопровождать договорами о передаче
авторского права.
Научно-технический журнал «Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА» публикует на русском и английском
языках оригинальные и обзорные (заказные) статьи. Верстка журнала осуществляется в издательской
системе, функционирующей в сети IBM-совместимых компьютеров. Журнал имеет формат А4 и изготавливается
по технологии цифровой печати.
Основные рубрики:
фундаментальные исследования;
материалы электронной техники;
вакуумная электроника;
технология микро- и наноэлектроники;
микроэлектронные приборы и системы;
нанотехнология;
схемотехника и проектирование;
микро- и наносистемная техника;
микропроцессорная техника;
информационные технологии;
интегральные радиоэлектронные устройства;
методы и техника измерений;
биомедицинская электроника;
проблемы высшего образования.
В редакцию представляются:
1. Текст статьи, включая аннотации, рисунки, таблицы, библиографический список, список авторов и
сведения о них, подготовленный на компьютере и распечатанный на лазерном принтере на белой бумаге
формата А4 с четким и ясным шрифтом в 2-х экземплярах.
2. Электронный вариант статьи на лазерном диске для верстки, подготовленный на IBM PC в
формате MS Word for Windows. Для иногородних авторов допускается передача электронного варианта
статьи по e-mail.
3. Экспертное заключение, рекомендация кафедры, сопроводительное письмо на официальном бланке (для
сторонних организаций).
4. Лицензионный договор о передаче авторского права в 2-х экземплярах. Форму лицензионного договора
с автором можно найти по ссылке: http:/miet.ru/structure/s/894/e/39211/191.
Статья должна быть подписана всеми авторами.
Ориентировочный объем публикаций: для статьи не более 12 страниц текста и 5 рисунков, для краткого
сообщения не более 4 страниц текста и 2 рисунка.
Первая страница статьи оформляется следующим образом: индекс УДК; название статьи; инициалы,
фамилия автора; название учреждения, где выполнена работа; аннотация на русском языке, ключевые
слова. Далее следует текст статьи. Статья должна быть пронумерована насквозь.
Аннотация:
Включает характеристику основной темы, проблемы объекта, цели работы, методы исследования и результаты.
Рекомендуемый объем: не менее 600 печатных знаков.
Аннотации должны быть распечатаны на отдельных страницах:
- на английском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы;
- на русском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы.
После аннотаций необходимо дать ключевые слова на русском и английском языках.
В электронном варианте аннотации на английском и русском языках оформляются в виде отдельных
текстовых файлов.
Текст:
- печатается через два интервала с размером шрифта не меньше стандартного машинописного
(13 кегль, Times New Roman);
- абзацы отделяются друг от друга одним маркером конца абзаца (применение этого символа в других целях
не допускается), ширина отступа (0,75 см) устанавливается в меню Word Формат/Абзац; набор текста начинается
с левого края; по правому краю текст не выравнивается; текст набирается без переносов;
- все слова внутри абзаца разделяются только одним пробелом;
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
447
Стр.115
- перед знаками препинания пробелы не ставятся, после них – один пробел;
- разрядка слов не допускается;
- не допускается применение псевдографики, а также стилей.
Формулы:
Для набора формул в MS Word используется MS Equation 3.0. Установки редактора формул
Styles/Sizes (Стили/Размеры) только по умолчанию. Пронумерованные формулы (нумеруются только те,
на которые ссылаются в тексте) выносятся отдельной строкой и располагаются по центру.
На втором экземпляре статьи автором должна быть сделана следующая разметка:
- близкие по начертанию прописные и строчные буквы помечаются двумя чертами снизу (прописные)
или сверху (строчные)
- близкие по начертанию русские, латинские буквы и цифры поясняются на полях, например:
- в – русск., е – не эль, З – буква, к – русск., О,о – буква, У – русск., Ч,ч – буква, b – лат., Y – игрек,
l – эль, – ню, – ипсилон, – эпсилон;
- русские буквы помечаются снизу знаком , а латинские ~;
- буквы греческого алфавита обводятся красным карандашом;
- векторные величины подчеркиваются одной прямой линией;
- подстрочные индексы помечаются дугой сверху, надстрочные – снизу; индексы, являющиеся
сокращением слов, должны быть пояснены отдельно.
Иллюстрации:
1. Векторные рисунки представляются в формате файла CDR (версии не выше CorelDraw X3). Текст и
линии на рисунке должны быть редактируемыми (текст не «в кривых»).
2. Полутоновые рисунки (фотографии) могут быть представлены в формате TIFF (без компрессии). Использование
MS Word не допускается.
3. Фотографии могут быть представлены в градациях серого на матовой бумаге (предпочтительно
формат 912 см).
Каждый рисунок должен быть представлен в отдельном файле. Формат рисунков не должен превышать
1522 см. Рисунки должны быть упомянуты в тексте, пронумерованы и надписаны (на обороте каждого
рисунка разборчиво написать порядковый номер, ФИО автора). На иллюстрациях, по внешнему
виду которых трудно или невозможно определить их расположение, следует писать «верх» и «низ».
Подрисуночные подписи прилагаются на отдельном листе.
Таблицы должны быть обязательно упомянуты в тексте и иметь заголовки.
Библиографический список:
- оформляется согласно ГОСТ P 7.0.5–2008 «Библиографическая ссылка. Общие требования и правила составления»;
не должен превышать 10 названий (в обзорных (заказных) статьях – не более 50 названий); ссылки в тексте даются
в квадратных скобках: [1];
- нумерация источников должна соответствовать очередности ссылок в тексте.
В библиографическом списке указываются:
для книг - фамилия, инициалы автора, название книги, город, издательство, год издания, число страниц;
журнальных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, название журнала, год, том, серия, номер,
выпуск, первая – последняя страницы статьи;
депонированных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, город, год, количество страниц, название
организации, в которой выполнена работа, дата депонирования, регистрационный номер;
препринта – фамилия, инициалы автора, название издания, количество страниц, полное название издающей
организации, год;
материалов конференций, школ, семинаров – фамилия, инициалы автора, название статьи, время и место проведения
конференции, название конференции, город, издательство, год, первая - последняя страницы статьи;
ссылок на авторские свидетельства и патенты – номер документа, аббревиатура страны, МПК, название А.с.
или Пат., инициалы, фамилия автора. Опубл., год. Бюл. N. Если А.с. не опубликовано, а патент пока не получен, то
вместо даты опубликования пишется дата приоритета;
электронных ресурсов – фамилия, инициалы автора, название, год, номер, URL, дата обращения.
Ссылки на неопубликованные работы не допускаются.
Список авторов и сведения о них:
- оформляется отдельным файлом;
- необходимо указать: фамилию, имя, отчество полностью (на русском и английском языках); ученую
степень, ученое звание; должность; краткую научную биографию, область научных интересов (5-6
строк); место работы (на русском и английском языках), служебный и домашний адреса; служебный и
домашний телефоны, e-mail.
- указать автора, ответственного за прохождение статьи, для аспирантов – научного руководителя.
Плата за публикацию статьи с аспиранта не взимается.
Статьи направлять по адресу: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ,
редакция журнала «Известия вузов. Электроника», комн. 7231.
Тел.: 8-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru/structure/s/894/e/12142/191
448
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.116