Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 572009)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2015 (975,00 руб.)

0   0
Страниц116
ID302318
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2015 .— №4 .— 116 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/302318 (дата обращения: 21.10.2021)

Также для выпуска доступны отдельные статьи:
Уменьшение фазового шума источников СВЧ-колебаний путем совместного использования автогенераторов и умножителей частоты / Романюк (140,00 руб.)
Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы / Вигдорович (140,00 руб.)
Взаимодействие электромагнитного излучения с магнитно-функционализированным УНТ-нанокомпозитом в субтерагерцовом диапазоне частот / Атдаев (140,00 руб.)
Атомно-слоевое осаждение: реакторы и применение / Кузнецов (140,00 руб.)
Математическое моделирование влияния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла / Козлов (140,00 руб.)
Эффективность преобразования частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке / Журавлёв (140,00 руб.)
Разработка и исследование МДП-варикапов с переносом заряда / Сурин (140,00 руб.)
Компенсация движения для видеокодирования на основе гексагональных блоков / Умняшкин (140,00 руб.)
Энергетические характеристики распространения электромагнитных волн внутри зданий / Гуреев (140,00 руб.)
Решение навигационной задачи на основе моделей пространственных траекторий / Соколов (140,00 руб.)
Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) / Ловыгин (140,00 руб.)
Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста / Жуков (140,00 руб.)
Распределение температуры по длине термомеханического актюатора / Тимошенков (140,00 руб.)
Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки / Авров (140,00 руб.)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. <...> Электроника”, 2015 © МИЭТ, 2015 СОДЕРЖАНИЕ Материалы электронной техники Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. <...> Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> Математическое моделирование влияния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла 377 Микроэлектронные приборы и системы Журавлёв Д.В., Мушта А.И. <...> Эффективность преобразования частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке . <...> Разработка и исследование МДП-варикапов с переносом заряда . <...> Распределение температуры по длине термомеханического актюатора . <...> Компенсация движения для видеокодирования на основе гексагональных блоков . <...> Решение навигационной задачи на основе моделей пространственных траекторий . <...> Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии . <...> Уменьшение фазового шума источников СВЧ-колебаний путем совместного использования автогенераторов и умножителей частоты 443 К сведению авторов . <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. <...> Petersburg Приведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> Продолжен обзор дефектов, существующих в слитках и эпитаксиальных пленках карбида кремния и препятствующих созданию приборов силовой и СВЧэлектроники, начатый в работе [1], где рассмотрена дислокационная структура слитков и эпитаксиальных слоев карбида кремния, а также выявлены их морфологические дефекты. <...> В соответствии с классическими представлениями, развитыми в [3], винтовые <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника._№4_2015.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. Зам. главного редактора Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Руденко А.А., канд.т.н., доц. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Тихонов А.Н., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. © “Известия вузов. Электроника”, 2015 © МИЭТ, 2015 СОДЕРЖАНИЕ Материалы электронной техники Авров Д.Д., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки. Обзор .................................................................... 337 Вигдорович Е.Н. Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы ..................................................................... 350 Атдаев А., Данилюк А.Л., Лабунов В.А., Прищепа С.Л., Павлов А.А., Басаев А.С., Шаман Ю.П. Взаимодействие электромагнитного излучения с магнитнофункционализированным УНТ-нанокомпозитом в субтерагерцовом диапазоне частот ........................................... 357 Технология микро- и наноэлектроники Кузнецов В.И. Атомно-слоевое осаждение: реакторы и применение ............................................................................ 365 Козлов А.В., Королёв М.А., Петрунина С.С. Математическое моделирование влияния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла 377 Микроэлектронные приборы и системы Журавлёв Д.В., Мушта А.И. Эффективность преобразования частоты на наноразмерных МОП-транзисторах с индуцированным каналом в интенсивной помеховой обстановке ................................................................................. 382 Сурин Ю.В., Спиридонов А.Б., Лицоев С.В. Разработка и исследование МДП-варикапов с переносом заряда ........ 391 Тимошенков С.П., Самойликов В.К., Евстафьев С.С., Терещенко А.М., Бритков И.М. Распределение температуры по длине термомеханического актюатора ............. 397 2015 июль–август Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 22.07.2015. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 13,49 усл.печ.л., 11,88 уч.-изд.л. Заказ № 56. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень российских рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук. Включен в Российский индекс научного цитирования. Информационные технологии Умняшкин С.В., Шаронов И.О. Компенсация движения для видеокодирования на основе гексагональных блоков .................................................................................... 405 Соколов С.В. Решение навигационной задачи на основе моделей пространственных траекторий ........................ 414 Интегральные радиоэлектронные устройства Гуреев А.В. Энергетические характеристики распространения электромагнитных волн внутри зданий ........... 421 Методы и техника измерений Ловыгин М.В., Боргардт Н.И., Бугаев А.С., Волков Р.Л., Зайбт М. Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии .................................................................. 431 Краткие сообщения Жуков А.А., Ильин Е.Ю., Герасименко Н.Н. Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста. 440 Романюк В.А., Яр Зар Хтун. Уменьшение фазового шума источников СВЧ-колебаний путем совместного использования автогенераторов и умножителей частоты 443 К сведению авторов ............................................................ 447 334 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.2
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Volume 20 N 4 Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Verner V.D., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Deputy Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. RAS Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gavrilov S. A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof. Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.) Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. RAS Selishev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2015 © MIET, 2015 CONTENTS Electronic engineering materials Avrov D.D., Lebedev A.O., Tairov Yu.M. Main Defects in Ingots and Epitaxial Layers of Silicon Carbide. II. Micropipes. Low-Angle Boundaries. Stacking Faults. Review ......................................................................................... Vigdorovich E.N. Possibilities for Improvement of Gallium Nitride Functional Characteristics by Epitaxy from Gas Phase ....................................................................................... 350 Atdaev A., Danilyuk A.L., Labunov V.A, Prischepa S.L., Pavlov A.A., Basaev A.S., Shaman Yu.P. Interaction of the Electromagnetic Radiation with the Magnetofunctionalized CNT-nanocomposite in the Subteraherz Frequency Range .... 357 Micro- and nanoelectronic technology Kuznetsov V.I. Atomic Layer Deposition: Reactors and Layer Applications .................................................................. 365 Kozlov A.V., Korolev M.A., Petrunina S.S. Mathematical Simulation of Doping Concentration Influence on Drain Current Value of SOI Field-Effect Hall Sensor ...................... 377 Microelectronic devices and systems Zhuravlev D.V., Mushta A.I. Efficiency of Frequency Transformation on MOP-Transistors with Built-In Channel in an Intensive Handicap of Radioreception ........................... 382 Surin Y.V., Spiridonov A.B., Litsoev S.V. Development and Investigation of MIS Varicaps with Charge Transfer ...... 391 Timoshenkov S.P., Samoylikov V.K., Evstafev S.S., Tereshchenko A.M., Britkov I.M. Temperature Distribution along Length of Thermomechanical Actuator ........................ 397 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 335 337 2015 July–August The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff Zvereva S.G. Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of the Russian reviewed scientific journals, in which the main scientific results of thesis submitted for a doctor’s and candidate’s degree must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. Information technologies Umnyashkin S.V., Sharonov I.O. Hexagonal Block Motion Compensation for Video Compression ............................ 405 Sokolov S.V. Solution of Navigation Task Based on Spatial Trajectories Models........................................................... 414 Integrated radioelectronic devices Gureev A.V. Energetic Characteristics of Indoor Wave Propagation ............................................................................. 421 Measurement methods and technology Lovygin M.V., Borgardt N.I., Bugaev A.S., Volkov R.L., Seibt M. Studies on Structure and Composition of Strained Epitaxial Layer in Heterostructure InAlAs/GaAs(100) by Transmission Electron Microscopy .... 431 Brief reports Zhukov A.A., Ilyin E.Y., Gerasimenko N.N. Influence of Photolithographic Process Conditions on Obtaining a Negative Tilt of Thick Positive Photoresist Mask ........................... 440 Romanyuk V.A., Yar Zar Htun. Reduction of Phase Noise Microwave Sources by Using Oscillators and Frequency Multipliers ............................................................................... 443 336 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.4
К СВЕДЕНИЮ АВТОРОВ (Правила оформления рукописей действуют с 1 октября 2014 г.) ВНИМАНИЕ! Для публикации статьи в журнале автор оформляет подписку на 2 экземпляра номера, в котором будет размещена его статья. ВАЖНАЯ ИНФОРМАЦИЯ! Статьи принимаются в редакцию только при наличии договора о передаче авторского права. Статьи, рекомендованные для публикации в журналах Semiconductors и Russian Microelectronics (English translation of selected articles from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Elektronika), необходимо также сопровождать договорами о передаче авторского права. Научно-технический журнал «Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА» публикует на русском и английском языках оригинальные и обзорные (заказные) статьи. Верстка журнала осуществляется в издательской системе, функционирующей в сети IBM-совместимых компьютеров. Журнал имеет формат А4 и изготавливается по технологии цифровой печати. Основные рубрики:  фундаментальные исследования;  материалы электронной техники;  вакуумная электроника;  технология микро- и наноэлектроники;  микроэлектронные приборы и системы;  нанотехнология;  схемотехника и проектирование;  микро- и наносистемная техника;  микропроцессорная техника;  информационные технологии;  интегральные радиоэлектронные устройства;  методы и техника измерений;  биомедицинская электроника;  проблемы высшего образования. В редакцию представляются: 1. Текст статьи, включая аннотации, рисунки, таблицы, библиографический список, список авторов и сведения о них, подготовленный на компьютере и распечатанный на лазерном принтере на белой бумаге формата А4 с четким и ясным шрифтом в 2-х экземплярах. 2. Электронный вариант статьи на лазерном диске для верстки, подготовленный на IBM PC в формате MS Word for Windows. Для иногородних авторов допускается передача электронного варианта статьи по e-mail. 3. Экспертное заключение, рекомендация кафедры, сопроводительное письмо на официальном бланке (для сторонних организаций). 4. Лицензионный договор о передаче авторского права в 2-х экземплярах. Форму лицензионного договора с автором можно найти по ссылке: http:/miet.ru/structure/s/894/e/39211/191. Статья должна быть подписана всеми авторами. Ориентировочный объем публикаций: для статьи не более 12 страниц текста и 5 рисунков, для краткого сообщения не более 4 страниц текста и 2 рисунка. Первая страница статьи оформляется следующим образом: индекс УДК; название статьи; инициалы, фамилия автора; название учреждения, где выполнена работа; аннотация на русском языке, ключевые слова. Далее следует текст статьи. Статья должна быть пронумерована насквозь. Аннотация: Включает характеристику основной темы, проблемы объекта, цели работы, методы исследования и результаты. Рекомендуемый объем: не менее 600 печатных знаков. Аннотации должны быть распечатаны на отдельных страницах: - на английском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы; - на русском языке с названием статьи, инициалами и фамилией автора и местом работы. После аннотаций необходимо дать ключевые слова на русском и английском языках. В электронном варианте аннотации на английском и русском языках оформляются в виде отдельных текстовых файлов. Текст: - печатается через два интервала с размером шрифта не меньше стандартного машинописного (13 кегль, Times New Roman); - абзацы отделяются друг от друга одним маркером конца абзаца (применение этого символа в других целях не допускается), ширина отступа (0,75 см) устанавливается в меню Word Формат/Абзац; набор текста начинается с левого края; по правому краю текст не выравнивается; текст набирается без переносов; - все слова внутри абзаца разделяются только одним пробелом; Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 447
Стр.115
- перед знаками препинания пробелы не ставятся, после них – один пробел; - разрядка слов не допускается; - не допускается применение псевдографики, а также стилей. Формулы: Для набора формул в MS Word используется MS Equation 3.0. Установки редактора формул Styles/Sizes (Стили/Размеры) только по умолчанию. Пронумерованные формулы (нумеруются только те, на которые ссылаются в тексте) выносятся отдельной строкой и располагаются по центру. На втором экземпляре статьи автором должна быть сделана следующая разметка: - близкие по начертанию прописные и строчные буквы помечаются двумя чертами снизу (прописные) или сверху (строчные) - близкие по начертанию русские, латинские буквы и цифры поясняются на полях, например: - в – русск., е – не эль, З – буква, к – русск., О,о – буква, У – русск., Ч,ч – буква, b – лат., Y – игрек, l – эль,  – ню,  – ипсилон,  – эпсилон; - русские буквы помечаются снизу знаком , а латинские ~; - буквы греческого алфавита обводятся красным карандашом; - векторные величины подчеркиваются одной прямой линией; - подстрочные индексы помечаются дугой сверху, надстрочные – снизу; индексы, являющиеся сокращением слов, должны быть пояснены отдельно. Иллюстрации: 1. Векторные рисунки представляются в формате файла CDR (версии не выше CorelDraw X3). Текст и линии на рисунке должны быть редактируемыми (текст не «в кривых»). 2. Полутоновые рисунки (фотографии) могут быть представлены в формате TIFF (без компрессии). Использование MS Word не допускается. 3. Фотографии могут быть представлены в градациях серого на матовой бумаге (предпочтительно формат 912 см). Каждый рисунок должен быть представлен в отдельном файле. Формат рисунков не должен превышать 1522 см. Рисунки должны быть упомянуты в тексте, пронумерованы и надписаны (на обороте каждого рисунка разборчиво написать порядковый номер, ФИО автора). На иллюстрациях, по внешнему виду которых трудно или невозможно определить их расположение, следует писать «верх» и «низ». Подрисуночные подписи прилагаются на отдельном листе. Таблицы должны быть обязательно упомянуты в тексте и иметь заголовки. Библиографический список: - оформляется согласно ГОСТ P 7.0.5–2008 «Библиографическая ссылка. Общие требования и правила составления»; не должен превышать 10 названий (в обзорных (заказных) статьях – не более 50 названий); ссылки в тексте даются в квадратных скобках: [1]; - нумерация источников должна соответствовать очередности ссылок в тексте. В библиографическом списке указываются:  для книг - фамилия, инициалы автора, название книги, город, издательство, год издания, число страниц;  журнальных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, название журнала, год, том, серия, номер, выпуск, первая – последняя страницы статьи;  депонированных статей – фамилия, инициалы автора, название статьи, город, год, количество страниц, название организации, в которой выполнена работа, дата депонирования, регистрационный номер;  препринта – фамилия, инициалы автора, название издания, количество страниц, полное название издающей организации, год;  материалов конференций, школ, семинаров – фамилия, инициалы автора, название статьи, время и место проведения конференции, название конференции, город, издательство, год, первая - последняя страницы статьи;  ссылок на авторские свидетельства и патенты – номер документа, аббревиатура страны, МПК, название А.с. или Пат., инициалы, фамилия автора. Опубл., год. Бюл. N. Если А.с. не опубликовано, а патент пока не получен, то вместо даты опубликования пишется дата приоритета;  электронных ресурсов – фамилия, инициалы автора, название, год, номер, URL, дата обращения. Ссылки на неопубликованные работы не допускаются. Список авторов и сведения о них: - оформляется отдельным файлом; - необходимо указать: фамилию, имя, отчество полностью (на русском и английском языках); ученую степень, ученое звание; должность; краткую научную биографию, область научных интересов (5-6 строк); место работы (на русском и английском языках), служебный и домашний адреса; служебный и домашний телефоны, e-mail. - указать автора, ответственного за прохождение статьи, для аспирантов – научного руководителя. Плата за публикацию статьи с аспиранта не взимается. Статьи направлять по адресу: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, редакция журнала «Известия вузов. Электроника», комн. 7231. Тел.: 8-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru/structure/s/894/e/12142/191 448 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015
Стр.116