Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 573484)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №4 2015

Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста (140,00 руб.)

0   0
Первый авторЖуков
АвторыИльин Е.Ю., Герасименко Н.Н.
Страниц3
ID376591
АннотацияРазработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. Описаны ключевые параметры, влияющие на технологический процесс, и указаны допустимые отклонения данных параметров от номинала.
УДК621.384.4
Жуков, А.А. Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста / А.А. Жуков, Е.Ю. Ильин, Н.Н. Герасименко // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №4 .— С. 108-110 .— URL: https://rucont.ru/efd/376591 (дата обращения: 05.12.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.384.4 Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста А. <...> Герасименко2,3 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 3Национальный исследовательский Томский государственный университет Influence of Photolithographic Process Conditions on Obtaining a Negative Tilt of Thick Positive Photoresist Mask A.A. <...> Gerasimenko2,3 1SMC «Technological Centre», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow 3National Research Tomsk State University Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. <...> Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. <...> Описаны ключевые параметры, влияющие на технологический процесс, и указаны допустимые отклонения данных параметров от номинала. <...> The reproducible technologies for obtaining a negative tilt of the thick positive phototresist mask have been investigated for the lift off and electroplating applications. <...> The possible variation range of the profile has been shown and the control mechanism of the mask tilt has been explained. <...> Технология формирования микросистем на основе кремниевых пластин включает в себя операции «взрывной» литографии. <...> Один из главных факторов успешного выполнения данного типа литографии  наличие отрицательного угла наклона маски фоторезиста, облегчающего процесс удаления «жертвенного» слоя. <...> Основными описанными в литературе методами получения отрицательного угла маски являются:  А.А. Жуков, Е.Ю. Ильин, Н.Н. Герасименко, 2015 440 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 Краткие сообщения - выполнение стандартного фотолитографического цикла с использованием негативного фоторезиста [1]; - формирование фоторезистивной маски при помощи реверсивного фоторезиста (Image Reversal Resist) [2]; - использование LOR-резистов (Lift-off Resist) [3]; - методы, включающие в себя снижение растворимости верхней части фоторезиста перед проявлением <...>