Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 574005)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №4 2015

Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) (140,00 руб.)

0   0
Первый авторЛовыгин
АвторыБоргардт Н.И., Бугаев А.С.
Страниц9
ID376590
АннотацияПредставлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия.
УДК539.25; 620.187.3
Ловыгин, М.В. Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) / М.В. Ловыгин, Н.И. Боргардт, А.С. Бугаев // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №4 .— С. 99-107 .— URL: https://rucont.ru/efd/376590 (дата обращения: 09.12.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 539.25; 620.187.3 Исследование структуры и состава напряженного эпитаксиального слоя в гетерокомпозиции InAlAs/GaAs(100) методами просвечивающей электронной микроскопии М. <...> Зайбт3 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН 34-й Физический институт Геттингенского университета (Германия) Studies on Structure and Composition of Strained Epitaxial Layer in Heterostructure InAlAs/GaAs(100) by Transmission Electron Microscopy M.V.Lovygin1, N.I.Borgardt1, A.S.Bugaev2, R.L.Volkov1, M.Seibt3 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2Institute of Ultra-High Frequency Semiconductor Electronics, Moscow Russian Academy of Sciences 34 Physical Institute, Gцttingen University (Germany) Представлены результаты электронно-микроскопических исследований эпитаксиального слоя InAlAs на подложке GaAs(100). <...> Установлено, что на границе раздела материалов присутствуют дислокации несоответствия, а в слое имеются остаточные деформации, искажающие решетку. <...> В результате измерения параметров решетки слоя вдоль направления роста и перпендикулярно ему вдали от дислокаций несоответствия локально вычислен номинальный параметр решетки слоя и определена доля индия. <...> Ключевые слова: арсенид галлия; арсенид индия-алюминия; молекулярнолучевая эпитаксия; дислокации несоответствия; тетрагональное искажение; просвечивающая электронная микроскопия. <...> The results of the electron microscopy studies of a thin InAlAs epitaxial layer on the GaAs(100) substrate have been reported. <...> The misfit dislocations at the heterointerface have been revealed, however, a residual strain has been found to exist in the layer, which distorts its lattice. <...> By measuring the layer lattice parameters along the growth direction and perpendicular to it away from the  М.В. Ловыгин, Н.И. Боргардт, А.С. Бугаев, Р.Л. Волков, М. <...> Зайбт misfit dislocations, the nominal lattice parameter has been locally calculated and the indium content has been found. <...> Keywords: gallium arsenide; indium aluminum arsenide; misfit dislocations <...>