Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 573484)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №4 2015

Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки (140,00 руб.)

0   0
Первый авторАвров
АвторыЛебедев А.О., Таиров Ю.М.
Страниц13
ID380840
АннотацияПриведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. Рассмотрены микропоры, малоугловые границы и дефекты упаковки.
УДК621.315
Авров, Д.Д. Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки / Д.Д. Авров, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №4 .— С. 5-17 .— URL: https://rucont.ru/efd/380840 (дата обращения: 05.12.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. <...> А.Ф.Иоффе РАН (г. Санкт-Петербург) Review Main Defects in Ingots and Epitaxial Layers of Silicon Carbide II. <...> Petersburg Приведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> The data on the defects, existing in ingots and epitaxial silicon carbide, have been presented. <...> The micropipes, the low-angle boundaries and the stacking faults have been considered. <...> Продолжен обзор дефектов, существующих в слитках и эпитаксиальных пленках карбида кремния и препятствующих созданию приборов силовой и СВЧэлектроники, начатый в работе [1], где рассмотрена дислокационная структура слитков и эпитаксиальных слоев карбида кремния, а также выявлены их морфологические дефекты. <...> Наиболее серьезным дефектом, приводящим к фатальным последствиям при работе силовых приборов на основе карбида кремния SiC, всегда считались микропоры – протяженные дефекты, вытянутые вдоль направления [0001], с полой областью ядра. <...> Микропоры уменьшают пробивные напряжения в p i n-диодах и диодах Шоттки, а также увеличивают токи утечки в приборных структурах на основе карбида кремния. <...> . Известно, что микропоры возникают в дефектных областях кристалла. <...> Образование и огранение полых каналов, параллельных направлению роста слитка, можно объяснить эффектом вторичного испарения материала затравки [4], в частности, при недостаточно плотном креплении его к подложкодержателю [5]. <...> Обычно микропору отождествляют с супервинтовой дислокацией с вектором Бюргерса, в несколько раз превышающем размер элементарной ячейки карбида кремния в направлении [0001]. <...> В соответствии с классическими представлениями, развитыми в [3], винтовые дислокации, в том числе с полым ядром, образуются в процессе зарастания включений второй фазы в растущем кристалле. <...> При этом винтовые дислокации зарождаются парами с противоположными векторами Бюргерса или группой с суммарным вектором Бюргерса, равным нулю [3]. <...> Согласно модели <...>