Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 20 № 6
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф.
Зам. главного редактора
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Руденко А.А., канд.т.н., доц.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2015
© МИЭТ, 2015
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Завгородняя М.И., Лавров И.В. Методы учета случайности
формы включений при вычислении эффективных
диэлектрических характеристик гетерогенных текстурированных
материалов ........................................................... 565
Голубятников В.А., Лысенко А.П., Белов А.Г.,
Каневский В.Е. Метод исследования гальваномагнитных
свойств CdхHg 1хTe и CdхHg 1хTe/Cd1уZnуTe ............ 576
Технология микро- и наноэлектроники
Пятилова О.В., Сыса А.В., Гаврилов С.А., Якимова Л.В.,
Павлов А.А., Белов А.Н., Раскин А.А. Влияние переноса
ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного
травления поверхности кремния ......................................... 582
Лаврентьев К.К., Неволин В.К., Розанов Р.Ю.,
Царик К.А., Зайцев А.А. Формирование наноразмерных
элементов затворов СВЧ-транзисторов методом ионнолучевой
литографии .............................................................. 591
Микроэлектронные приборы и системы
Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А. Двухсекционная
низкочастотная эквивалентная схема зеленых
InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик
......................................................................................... 598
Садков В.Д., Лопаткин А.В. Уточненная модель
низкоомных пленочных резисторов с гребенчатой
структурой ............................................................................. 607
2015 ноябрь–декабрь
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 16.12.2015.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,63 усл.печ.л.,
11,4 уч.-изд.л.
Заказ № 96.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Схемотехника и проектирование
Бачманов В.А., Заболотнов И.В., Лапин А.В. Применение
табличных моделей туннельных эффектов для ускорения
SPICE-моделирования нанометровых МОПтранзисторов
......................................................................... 616
Информационные технологии
Джиган В.И., Смекалов А.И. Цифровой синтезатор с
прямым вычислением гармонического сигнала ................ 625
Переверзев А.Л., Силантьев А.М. Анализ проблем
создания платформонезависимого HDL-описания модуля
быстрого преобразования Фурье ................................... 634
Краткие сообщения
Дюжев Н.А., Королёв М.А., Катеев М.В., Гусев Е.Э.
Моделирование зависимости выходных характеристик
первичного преобразователя датчика потока мембранного
типа от его конструктивных параметров ....................... 644
Петросянц К.О., Кожухов М.В. Влияние параметров
слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева
в структуре гетеропереходного биполярного транзистора
...................................................................................... 648
Тимошенков В.П., Ваньков В.А., Стародубцев К.С.
Дельта-сигма-модулятор для мультистандартной обработки
сигналов ...................................................................... 652
Тематический указатель статей, опубликованных в
2015 году ................................................................................ 656
Встреча в МИЭТ с нобелевским лауреатом
по физике Жоресом Ивановичем Алфёровым .......................
2 стр. обложки
562
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 20 N 6
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Verner V.D., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof.
Deputy Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gavrilov S. A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Rudenko A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Cor. Mem. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2015
© MIET, 2015
2015 November–December
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
CONTENTS
Electronic engineering materials
Zavgorodnyaya M.I., Lavrov I.V. Methods of Accounting
of Randomness of Inclusions’ Form in Calculation of Effective
Dielectric Characteristics of the Heterogeneous Textured
Materials ........................................................................ 565
Golubyatnikov V.A., Lysenko A.P., Belov A.G.,
Kanevskii V.E. Method of Study on Galvanomagnetic Properties
of CdxHg1xTe and CdxHg1xTe/Cd1yZnyTe .................. 576
Micro- and nanoelectronic technology
Pyatilova O.V., Sysa A.V., Gavrilov S.A., Yakimova L.V.,
Pavlov A.A., Belov A.N., Raskin A.A. Effect of Ionic Ag+
Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon
Surface ............................................................................. 582
Lavrentyev K.K., Nevolin V.K., Rozanov R.Yu.,
Tsarik K.A., Zaitsev A.A. Formation of Nanosize Elements
of Microwave Transistors Gates by Ion Beam Lithography ... 591
Microelectronic devices and systems
Sergeev V.A., Frolov I.V., Shirokov A.A. Double Stage
Low Frequency Noise Equivalent Circuit of Green InGaN
LEDs for Description of Noise Characteristics ....................... 598
Sadkov V.D., Lopatkin A.V. More Precise Model of Low
Impedance Film Resistors with Comb Structure..................... 607
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015
563
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings
of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
Circuit engineering and design
Bachmanov V.A., Zabolotnov I.V., Lapin A.V. Implementation
of Table Models of Tunneling Effects for Acceleration
SPICE-Simulation of Nanometer MOSFET Transistors . 616
Information technologies
Djigan V.I., Smekalov A.I. Digital Synthesizer Based on
Direct Calculation of Harmonic Signal .................................. 625
Pereverzev A.L., Silantyev A.M. Analysis Problems in of
Creating a Platform Independent HDL-Description of Fast
Fourier Transform Module ..................................................... 634
Brief reports
Dyuzhev N.A., Korolev M.A., Kateev M.V., Gusev Ye.E.
Simulation of Dependence of Output Characteristics of
Membrane Type Primary Flow Sensor Converter on Its Design
Parameters ...................................................................... 644
Petrosyants K.O., Kozhukhov M.V. Effect of SiGe Base
Layer Parameters on Self-Heating Effect on Temperature
Distribution in Heterojuction Bipolar Transistor Structure .... 648
Timoshenkov V.P., Vankov V.A., Starodubtsev K.S. Delta
Sigma Modulator for Multistandard Signal Processing ......... 652
564
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015
Стр.4