МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.391.822 Двухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик В. <...> В.А. Котельникова Российской академии наук 2Ульяновский государственный технический университет Double Stage Low Frequency Noise Equivalent Circuit of Green InGaN LEDs for Description of Noise Characteristics V.A. <...> Shirokov1 1Ulyanovsk Branch of Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences 2Ulyanovsk State Technical University Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. <...> Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры. <...> Ключевые слова: гетеропереходный светодиод; низкочастотный шум; средний квадрат низкочастотного шумового тока; токовая зависимость; шумовая эквивалентная схема; генераторы шумового тока; туннельно-рекомбинационные процессы. <...> To explain the current dependencies of the mean square of the lowfrequency noise of green InGaN light emitting diodes, the double stage lowfrequency noise equivalent circuit of LED has been offered. <...> It has been shown that the non-monotonic dependence of the low-frequency noise of the LED’s injection current can be explained by two low-frequency noise generators: noise current generator, localized near the heterojunction and determined by tunnel В.А. Сергеев, И.В. Фролов, А.А. Широков, 2015 598 Известия вузов. <...> Keywords: heterojunction LED; low-frequency noise; the mean square of the lowfrequency noise current; the current dependence; the noise equivalent circuit; the noise current generators; tunnel-recombination processes. <...> Параметры и характеристики низкочастотного (НЧ <...>