УДК 621.3.049.776 Уточненная модель низкоомных пленочных резисторов с гребенчатой структурой В.Д. Садков, А.В. Лопаткин Институт радиоэлектроники и информационных технологий Нижегородского государственного технического университета им. <...> Р.Е. Алексеева Методами конечных элементов и конформных отображений построены аналитические модели низкоомных и ультранизкоомных пленочных резисторов основных типов гребенчатых (встречно-штыревых) структур при произвольных отношениях удельных поверхностных сопротивлений резистивной и проводящей пленок. <...> В результирующем сопротивлении учтены сопротивления электродов гребенчатой структуры и объединяющих электродов, а также дополнительное сопротивление, связанное с переходом тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот. <...> Выявлены условия, при которых граница раздела пленок может считаться эквипотенциальной. <...> Построена схема замещения низкоомных гребенчатых резисторов, используемых в качестве датчиков тока в схемах стабилизации, контроля, тепловой и токовой защиты. <...> Ключевые слова: сопротивление низкоомного пленочного резистора с гребенчатой структурой; контактное сопротивление; схема замещения пленочного резистора. <...> Низкоомные и ультранизкоомные пленочные резисторы с высокой температурной и временной стабильностью, низким уровнем шумов, высокими частотно-мощностными характеристиками и малой погрешностью воспроизведения номиналов широко используются в качестве датчиков тока в схемах стабилизации, контроля, тепловой и токовой защиты [13]. <...> Разработка таких резисторов требует не только перехода к более сложным топологиям, но и тщательного учета их контактных сопротивлений, включающих сопротивление собственно электродов контактов и дополнительное сопротивление области перехода тока из проводящей пленки в резистивную и наоборот [4, 5]. <...> Последнее обусловлено резкой неравномерностью тока вблизи области перехода как по длине, так и по толщине <...>