ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ MICRO- AND NANOELECTRONIC TECHNOLOGY УДК 539.23 Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию металл-стимулированного травления поверхности кремния О. <...> Раскин1 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (г. Москва) Исследованы особенности создания 3D-структур кремния путем локального формирования жертвенного слоя пористого кремния жидкостным травлением с использованием пленок серебра толщиной 50 и 100 нм в качестве катализатора. <...> Установлено влияние интенсивности массопереноса ионов Ag+ за счет градиента температур на морфологию поверхности формируемой структуры в зависимости от линейного размера маскикатализатора. <...> Effect of Ionic Ag+ Transfer on Localization of Metal-Assisted Etching of Silicon Surface O.V.Pyatilova1, A.V.Sysa1, S.A.Gavrilov1, L.V.Yakimova1, A.A.Pavlov2, A.N.Belov1, A.A.Raskin1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2Establishment of the Russian Academy of Sciences, Institute of Nanotechnology Microelectronics, Moscow Some features of the 3D silicon structures formation by locally formation of porous silicon as a sacrificial layer have been studied. <...> It has been formed by metal-assisted chemical etching of a single crystal wafer of Si with silver films (50 and 100 nm) as a catalyst. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 6 2015 Влияние переноса ионов Ag+ на локализацию травления поверхности кремния Введение. <...> Более дешевым методом создания 3D-структур является химическое травление в растворах щелочей или кислот. <...> Эта проблема решается за счет локального формирования пористого кремния (por-Si) в качестве жертвенного слоя. <...> Пористый кремний обычно формируют анодной обработкой кремния в растворах HF [57]. <...> В ряду благородных металлов, имеющих каталитические свойства для травления кремния, серебро является самым распространенным, но малоизученным [9], так как механизм травления кремния с помощью серебра отличается от травления металлами Pt, Au и Pd. <...> Удешевление технологии создания 3D-структур способствует использованию маломощных бета-вольтаических преобразователей, позволяющих преобразовывать энергию <...>