Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №4 2017 (550,00 руб.)

0   0
Страниц110
ID544493
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2017 .— №4 .— 110 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/544493 (дата обращения: 26.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю. <...> Применение комбинированных оптических методов для контроля процесса травления щелевой изоляции . 331 Рябышенков А. <...> Оценка адекватности тепловой модели КМОП цифровых интегральных схем по переходным тепловым характеристикам . 350 Кононов В. <...> Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 логико-топологического синтеза библиотечных элементов и блоков с регулярной структурой для технологических норм проектирования 32 нм . 369 2017 июль–август Научно-технический журнал Издается с 1996 г. <...> Использование модификации алгоритма работы сетей Петри для функционального моделирования логических схем, представленных на вентильном уровне . 379 Микро- и наносистемная техника Аунг Тхура, Симонов Б. <...> Review. . 305 Vigdorovich E.N. Mechanism of Forming of QuantumSize Layers of AlGaN/GaN/InGaN/GaN Layers . 322 Volokhovskiy A.D., Gerasimenko N.N., Petrakov D.S. Application of Optical Combined Methods to Control of Shallow Etching Process . 331 Ryabyshenkov A.S. Thermodynamic Analysis of Process of Clean Rooms Air Handling . 341 Integrated electronics elements Sergeev V.A., Tetenkin Ya. <...> Address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of Universities. <...> The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017 ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И МАРШРУТЫ TECHNOLOGICAL PROCESSES AND ROUTES УДК 621.382 Обзор Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. <...> Одним из перспективных объектов исследований являются мемристоры (от англ. memory resistor) – все энергонезависимые двухполюсные запоминающие устройства, основанные на переключении сопротивления [2]. <...> Резистивное переключение в пленках металл/оксид металла/металл было обнаружено еще в 1960-х гг. [17–19]. <...> В мемристорных структурах <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника_№4_2017.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. Зам. главного редактора Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, акад. РАН, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. СОДЕРЖАНИЕ Технологические процессы и маршруты Белов А.Н., Перевалов А.А., Шевяков В.И. Мемристорные структуры для микро- и наноэлектроники. Физика и технология. Обзор. .................................................... 305 Вигдорович Е.Н. Механизм формирования квантоворазмерных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/InGaN/GaN ... 322 Волоховский А.Д., Герасименко Н.Н., Петраков Д.С. Применение комбинированных оптических методов для контроля процесса травления щелевой изоляции .............. 331 Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. Рябышенков А.С. Термодинамический анализ процесса воздухоподготовки чистых помещений ......................... 341 Элементы интегральной электроники Сергеев В.А., Тетенькин Я.Г. Оценка адекватности тепловой модели КМОП цифровых интегральных схем по переходным тепловым характеристикам ............................ 350 Кононов В.С., Шелепин Н.А. Повышение эффективности моделирования переходных процессов в КМОПмикросхемах с учетом одиночных радиационных эффектов .................................................................................... 361 Схемотехника и проектирование Гаврилов С.В., Карева Е.С., Рыжова Д.И. Алгоритмы © “Известия вузов. Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 логико-топологического синтеза библиотечных элементов и блоков с регулярной структурой для технологических норм проектирования 32 нм .......................................... 369 2017 июль–август Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.2
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Булах Д.А., Казённов Г.Г., Лапин А.В. Использование Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Россия г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 31.07.2017. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 12,6 усл.печ.л., 11,136 уч.-изд.л. Тираж 150 экз. Заказ 14. Свободная цена. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Включен в Russian Science Citation Index на платформе Web of Science. модификации алгоритма работы сетей Петри для функционального моделирования логических схем, представленных на вентильном уровне ........................................... 379 Микро- и наносистемная техника Аунг Тхура, Симонов Б.М., Тимошенков С.П. Влияние параметров конструкции актюаторов на чувствительность частотных микроакселерометров ............................ 386 Краткие сообщения Кондратьев П.К. Методика регулирования концентрации углеродных нанотрубок при формировании композитной металлизации ИС .................................................... 398 Тимошенков В.П., Фатеев И.А. DICE КМОП КНИтриггер, устойчивый к воздействию тяжелых заряженных частиц для применения в приемных трактах ............ 402 К сведению авторов ............................................................ 407 302 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017
Стр.3
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Deputy Editor-in-Chief Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. NAS, Acad. RAS Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. CONTENTS Technological processes and routes Belov A.N., Perevalov A.A., Shevyakov V.I. PhysicsTechnological Fabrication of Memresistors for Micro- and Nanoelectronics. Review. ......................................................... 305 Vigdorovich E.N. Mechanism of Forming of QuantumSize Layers of AlGaN/GaN/InGaN/GaN Layers .................... 322 Volokhovskiy A.D., Gerasimenko N.N., Petrakov D.S. Application of Optical Combined Methods to Control of Shallow Etching Process ......................................................... 331 Ryabyshenkov A.S. Thermodynamic Analysis of Process of Clean Rooms Air Handling ................................................ 341 Integrated electronics elements Sergeev V.A., Tetenkin Ya.G. Assessment of Adequacy of the СMOS Linear Thermal Model of Digital Integrated Circuits on Transient Thermal Characteristics ............................. 350 Kononov V.S., Shelepin N.A. An Increase of Efficiency in Modeling Transient Processes in CMOS-Microchips Considering Single Radiation Effects ............................................ 361 Circuit engineering and design Gavrilov S.V., Kareva E.S., Ryzhova D.I. Algorithms of © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2017 © MIET, 2017 Logical and Physical Synthesis of Library Elements with Regular Structure for Design Rules 32 nm ............................. 369 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017 303 Volume 22 No. 4 2017 July–August The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.4
Head of editorial staff Zvereva S.G. Bulakh D.A., Kazennov G.G., Lapin A.V. Use of ModifiChief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of Universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Signed to print 31.07.2017. Sheet size 6084 1/8. Digital printing. Conventional printed sheets 12,6. Number of copies 150. Order no. 14. Free price. The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis. cation of Petri Nets Operation Algorithm for Functional Simulation of Gate Level Digital Circuits ............................. 379 Micro- and nanosystem technology Aung Thura, Simonov В.М., Timoshenkov S.P. Influence of Parameters of Actuators Constructions on Sensitivity of Frequency Microaccelerometers ........................................... 386 Brief reports Kondratiev P.K. Controlling of Carbon Nanotubes Concentration in VLSI Metallization Based on Metal Matrix – CNT Composite Conductors .......................................................... 398 Timoshenkov V.Р., Fateev I.А. DICE Flip Flop Trigger Tolerant to Effect of Heavy Charged Particles ...................... 402 304 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 4 2017
Стр.5