ophjk`dm`“ thghj`
2015, № 1
m`r)mn-Šeumh)eqjhi frpm`k
Основан в 1994 г.
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Серегина Е. В., Степович М. А., Макаренков А. М., Филиппов М. Н., Платошин Е. В. О возможности использования тригонометрических
выражений в виде рекурсивных функций для решения диффузионного уравнения с разрывными коэффициентами ......... 5
Виноградов С. В., Кононов М. А., Кононов В. М. Атомно-силовая микроскопия поверхностноcти нанокристаллов галогентдов
серебра сенсибилизированных красителем ............................................................................................................................................... 11
Мануковская Д. В., Сидоров Н. В., Палатников М. Н., Сюй А. В. Применение фрактального анализа для исследования картин
фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах ниобата лития...................................................................................................... 14
Крылов В. И., Хомяков В. В. О тормозном излучении электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых
центров и ускоряемых слабым однородным электрическим полем........................................................................................................ 18
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Майоров С. А., Голятина Р. И., Коданова С. К., Рамазанов Т. С., Бастыкова Н. Х. О свойствах плазменно-пылевых структур в
He–Ar высокочастотном разряде ................................................................................................................................................................ 24
Лебедев Ю. А., Крашевская Г. В., Гоголева М. А. Пространственное распределение параметров электронной компоненты азотной
плазмы электродного микроволнового разряда при пониженных давлениях ................................................................................. 30
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
Климов А. С., Бурдовицин В. А., Гришков А. А., Окс Е. М., Зенин А. А., Юшков Ю. Г. Формирование ленточного электронного
пучка форвакуумным плазменным источником электронов.................................................................................................................... 35
Баловнев А. В., Визгалов И. В., Салахутдинов Г. Х. Диагностика аномальной электрон-электронной эмиссии в автоколебательном
режиме пучково-плазменного разряда при помощи метода фильтров и термолюминесцентных детекторов............................. 40
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Вишняков А. В., Стучинский В. А., Брунев Д. В., Зверев А. В., Дворецкий С. А. Использование двумерной модели для описания
диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe ....................................... 44
Акимов В. М., Болтарь К. О., Васильева Л. А., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А. Модифицированная топология
индиевых микроконтактов .......................................................................................................................................................................... 51
Андреев Д. С., Будтолаев А. К., Огнева О. В., Тришенков М. А., Чинарева И. В. Пассивация и защита поверхности фотодиодов
на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния ........................................................................................................................... 56
Боровков П. М., Казарин Л. Н., Кравченко Н. В., Потапов А. В., Тришенков М. А. Особенности схемотехники импульсных
пороговых ФПУ c малым временем восстановления чувствительности после воздействия импульса перегрузки............................ 61
Демидов В. И., Колесова А. А., Кононов М. Е., Лобачев А. В., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Хамидуллин К. А. Исследование
влияния динамического диапазона фотоприемных устройств на точность измерения функций рассеяния точки оптических
систем............................................................................................................................................................................................................ 66
Оганесян Н. Н., Самвелов А. В., Сысоев Д. А., Минаев Д. В. Исследование зависимостей основных характеристик матричного
фотоприёмного устройства от давления криоагента микрокриогенной системы .................................................................................. 72
Болтарь К. О., Кашуба А. С., Седнев М. В., Шаронов Ю. П. Исследование релаксационных процессов в гетероэпитаксиальных
структурах КРТ ............................................................................................................................................................................................ 76
Варганова В. С., Кравченко Н. В., Патрин В. М., Тришенков М. А., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В. Особенности спектральной
характеристики ультрафиолетовых GaP-фотодиодов на основе барьера Шоттки................................................................................. 80
Никонов А. В., Куляхтина Н. М., Болтарь К. О., Яковлева Н. И. Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и
InGaAsP......................................................................................................................................................................................................... 83
Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Седнев М. В., Лопухин А. А., Коротаев Е. Д. Лавинный матричный фотомодуль формата
320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs........ 87
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Бадертдинов Э. Р., Денисов И. Г., Козлов А. В. Особенности построения телевизионного канала в совмещенных теплотелевизионных
системах ........................................................................................................................................................................................ 92
Мелкумян Б. В. Применение резонаторного датчика ускорения.............................................................................................................. 96
ИНФОРМАЦИЯ
Резолюция Всероссийского форума технологического лидерства России «ТЕХНОДОКТРИНА™-2014»................................... 101
Сводный перечень статей, опубликованных в журнале в 2014 г. ....................................................................................................... 103
Правила для авторов журнала................................................................................................................................................................. 108
Бланк-заказ для подписки на 2015 г. ........................................................................................................................................................ 110
Москва
Стр.1
Учредители журнала:
Федеральное государственное унитарное предприятие
"Всероссийский научно-исследовательский институт межотраслевой информации —
федеральный информационно-аналитический центр оборонной промышленности" (ФГУП "ВИМИ")
Государственный научный центр Российской Федерации —
Открытое акционерное общество
«Научно-производственное объединение "Орион"» (ОАО «НПО "Орион"»)
Межрегиональная общественная организация
«Московское физическое общество» (МОО «МФО»)
Журнал зарегистрирован в Роскомпечати. Регистрационный № 018354
Международный стандартный сериальный номер ISSN 1996-0948
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А. М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор
Редакционная коллегия
А. Ф. Александров, д.ф.-м.н., профессор
С. Н. Андреев, к.ф.-м.н.
В. И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (зам. гл. ред.)
А. С. Бугаев, д.ф.-м.н., академик РАН, профессор
Л. М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (зам. гл. ред.)
И. С. Гайдукова, к.т.н., (отв. секретарь)
В. А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент
В. И. Конов, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
Ю. А. Лебедев, д.ф.-м.н.
М. Л. Лямшев, к.ф.-м.н.
В. П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор
А. А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор
М. А. Тришенков, д.ф.-м.н., профессор
Г. М. Фрайман, д.ф.-м.н.
В. Ю. Хомич, д.ф.-м.н., академик РАН
В. А. Ямщиков, д.т.н.
Адрес редакции журнала "Прикладная физика":
111123, Москва, шоссе Энтузиастов, д. 46/2,
ОАО «НПО «Орион».
Телефон: 8 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Подписано в печать 16.02.2015.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 12,8. Уч.-изд. л. 13,2.
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии Издателя журнала
Адрес: 119991, Москва, Ленинский проспект, 53.
Прикладная физика®
Издатель журнала —
ООО «Издательский дом МФО»,
119991, Москва, Ленинский проспект, 53
Подписной индекс в Объединенном Каталоге
«Пресса России» — 40779
© Редколлегия журнала "Прикладная физика",
составление, 2015
Стр.2
PRIKLADNAYA FIZIKA
(APPLIED PHYSICS)
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
2015, No. 1
Founded in 1994
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
E. V. Seregina, M. A. Stepovich, A. M. Makarenkov, M. N. Filippov, and E. V. Platoshin About the possibility of using the trigonometric
expressions in the form of recursive functions for solving the diffusion equation with discontinuous coefficients.................................. 5
S. V. Vinogradov, M. A. Kononov, and V. M. Kononov Atomic-force microscopy of silver iodide nanocrystals under surface optical
sensitization.................................................................................................................................................................................................... 11
D. V. Manukovskaya, N. V. Sidorov, М. N. Palatnikov, and А. V. Syuy Use of the fractal analysis for research of photoinduced light
scattering pictures in lithium niobate crystals................................................................................................................................................. 14
V. I. Krylov and V. V. Khomyakov About bremsstrahlung of electrons passing through the multilayer structure of Coulomb centers and
accelerated by a small homogeneous electric field......................................................................................................................................... 18
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
S. A. Maiorov, R. I. Golyatina, S. K. Kodanova, T. S. Ramazanov, and N. Kh. Bastykova Properties of plasma–dust structures in the He–
Ar RF discharge ............................................................................................................................................................................................. 24
Yu. A. Lebedev, G. V. Krashevskaya, and M. A. Gogoleva Spatial distribution of the electron component parameters in nitrogen plasma
of a microwave electrode discharge at reduced pressure................................................................................................................................ 30
ELECTRON, ION, AND LASER BEAMS
A. S. Klimov, V. A. Burdovitsin, A. A. Grishkov, E. M. Oks, A. A. Zenin, and Yu. G. Yushkov Ribbon electron beam formation by a
forevacuum plasma electron source ............................................................................................................................................................... 35
A. V. Balovnev, I. V. Vizgalov, and G. H. Salahutdinov Abnormal electron-electron emission diagnostics in autooscillation regime of a
beam plasma discharge by the filter method and termoluminescent detectors ............................................................................................... 40
PHOTOELECTRONICS
A. V. Vishnyakov, V. A. Stuchinsky, D. V. Brunev, A. V. Zverev, and S. A. Dvoretsky Two-dimensional diffusion model as applied to the
analysis of the diffusion process of charge carriers in the photosensitive film of HgCdTe IR FPA detectors................................................ 44
V. M. Akimov, K. O. Boltar, L. A. Vasileva, N. A. Demidov, N. A. Irodov, and E. A. Klimanov Modified topology of indium microcontacts
................................................................................................................................................................................................................ 51
D. S. Andreev, A. K. Budtolaev, O. V. Ogneva, M. A. Trishenkov, and I. V. Chinareva Passivation and protection of a surface of photodiodes
based on In1-xGaxAs1-yPy /InP by the silicon-nitride film ..................................................................................................................... 56
P. M. Borovkov, L. N. Kazarin, N. V. Kravchenko, A. V. Potapov, and M. A. Trishenkov Features of a circuit technology for pulse
threshold photodetectors with rapid sensitivity recovery after the influence of an overloading pulse......................................................... 61
V. I. Demidov, A. A. Kolesova, M. E. Kononov, A. V. Lobachyov, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, and K. A. Khamidullin Research
of influence of the photodetectors’ dynamic range on the measurement accuracy of the optical system’s point spread function.................. 66
N. N. Oganesyan, A. V. Samvelov, D. A. Sysoev, and D. V. Minaev The study of the dependence of main characteristics of matrix
photodetectors on cryoagent pressure of microcryogenic system................................................................................................................. 72
K. O. Boltar, A. S. Kashuba, M. V. Sednev, and Yu. P. Sharonov Investigation of the relaxation processes in heteroepitaxial HgCdTe
structures........................................................................................................................................................................................................ 76
V. S. Varganova, N. V. Kravchenko, V. M. Patryn, M. A. Trishenkov, P. E. Khakuashev, and I. V. Chinareva Features of spectral characteristics
of ultraviolet GaP photodiodes using Schottky barrier .................................................................................................................. 80
A. V. Nikonov, N. M. Kulyahtina, K. O. Boltar, and N. I. Iakovleva Refractive index of InP and InGaAsP epitaxial layers ......................... 83
N. I. Iakovleva, K. O. Boltar, М. V. Sednev, A. A. Lopuxin, and E .D. Korotaev 320256 ADP FPA based on A3B5 heterostructures with
InGaAs absorber layer and InAlAs barrier layer............................................................................................................................................ 87
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
E. R. Badertinov, I. G. Denisov, and A. V. Kozlov Design features of a television channel in the infrared-visible optical systems............... 92
B. V. Melkoumian Using the resonator sensor of acceleration ....................................................................................................................... 96
INFORMATION
Resolution of All-Russian Forum on Technological Leadership of Russia - TECHNODOCTRINA™-2014......................................... 101
Summary list of articles published in 2014................................................................................................................................................... 103
Rules for authors........................................................................................................................................................................................... 108
Subscription................................................................................................................................................................................................... 110
Moscow
Стр.3
Founders of the Journal:
All-Russian Research Institute for Inter-Industry Information —
a Federal Informational and Analytical Center of the Defense Industry, a Federal State Unitary Enterprise
(VIMI FSUE)
Orion Research-and-Production Association,
a State Scientific Center of the Russian Federation
(Orion R&P Association, Inc.)
Moscow Physical Society
The bi-monthly journal
ISSN 1996-0948
Editor-in-Chief
А.М. Filachev,
D.Sc., Corresponding Member of the RAS, Professor
Editorial Board
A. F. Aleksandrov, D.Sc., Professor.
S. N. Andreev, Ph.D.
V. I. Barinov, Ph.D., Associate Professor (Deputy Editor-inChief).
A.
S. Bugaev, D.Sc., Academician of the RAS, Professor.
G. M. Fraiman, D.Sc.
I. S. Gayidukova, Ph.D. (Executive Secretary).
V. A. Ivanov, Ph.D., Associate Professor.
V. A. Yamschikov, D.Sc.
Yu. A. Lebedev, D.Sc.
M. L. Lyamshev, Ph.D.
V. Yu. Khomich, D.Sc., Academician of the RAS.
V. I. Konov, D.Sc., Corresponding Member of the RAS.
V. P. Ponomarenko, D.Sc., Professor.
A. A. Rukhadze, D.Sc., Professor.
M. A. Trishenkov, D.Sc., Professor.
L. M. Vasilyak, D.Sc., Professor, (Deputy Editor-inChief)
Address
of the Editorial Staff:
Orion R&P Association,
46/2 Enthusiasts highway, Moscow, 111123, Russia
Phone: +7 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Стр.4