76 УДК 621.315.5 Исследование релаксационных процессов в гетероэпитаксиальных структурах КРТ К. О. <...> Болтарь, А. С. Кашуба, М. В. Седнев, Ю. П. Шаронов Проведены исследования по определению влияния различных технологий обработки поверхности КРТ на скорость поверхностной рекомбинации и, как следствие, на измеряемый параметр времени жизни неосновных носителей заряда. <...> В качестве метода для определения параметра времени жизни был выбран неразрушающий метод бесконтактного измерения времени жизни по релаксационным кривым фотопроводимости, что позволило проводить исследования на реальных структурах, используемых в производстве матричных фотоприемных устройств. <...> PACS: 85.60.-q Ключевые слова: гетероэпитаксиальные полупроводниковые структуры, КРТ, гетероэпитаксиальные структуры, время жизни носителей заряда. <...> Введение Экспериментальные результаты Гетероэпитаксиальные полупроводниковые структуры (ГЭС) на основе тройных соединений HgCdTe (КРТ) в настоящее время широко используются для создания различных фотодетекторов инфракрасного диапазона в области спектральных атмосферных окон 3—5 и 8—12 мкм [1—3]. <...> Основные параметры фотодетекторов — чувствительность, обнаружительная способность, быстродействие и др. — во многом определяются рекомбинационно-диффузионными параметрами данных структур. <...> Целью данной работы было исследование кинетики рекомбинации электронно-дырочных пар, что даст возможность определить качество исходных полупроводниковых материалов и оценить свойства поверхностей пластин до и после технологических операций [6—9]. <...> Статья поступила в редакцию 29 декабря 2014 г. © Болтарь К. О., Кашуба А. С., Седнев М. В., Шаронов Ю. П., 2015 В работе исследовалась зависимость времени жизни неосновных носителей заряда от толщины рабочего слоя гетероэпитаксиальных структур КРТ, изготовленных в ИФП РАН методом молекулярно-лучевой эпитаксии, при послойном стравливании, термической обработке и пассивации поверхности <...>