Прикладная физика, 2015, № 1 УДК 621.383.4/5 Модель показателя преломления эпитаксиальных слоёв InP и InGaAsP А. В. <...> Никонов, Н. М. Куляхтина, К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева Проведено исследование показателя преломления бинарных соединений InP и четверных растворов InGaAsP. <...> Проведен анализ критических точек в зоне Бриллюэна для полупроводниковых сплавов группы A3B5 со структурой цинковой обманки. <...> Построена модель показателя преломления на широком диапазоне длин волн. <...> Ci Ключевые слова: лавинные фотоприемники, InGaAsP, InP, гетероэпитаксиальные структуры, показатель преломления, зона Бриллюэна. <...> Введение Четверные гетероэпитаксиальные структуры InGaAsP, выращенные на подложке InP, активно используются в p─i─n-фотодиодах для создания нового поколения лавинных фотоприемников оптического диапазона 1,2—1,6 мкм [1, 2]. <...> Данный материал обладает прямозонной структурой, что обеспечивает высокий коэффициент поглощения. <...> Благодаря современным методам эпитаксиального выращивания обеспечивается приемлемая морфология поверхности и высокое структурное совершенство материала с минимальной плотностью дефектов. <...> Показатель преломления и коэффициент оптического поглощения полупроводниковых структур In1-xGaxAsyP1-y/InP являются важнейшими оптическими характеристиками при энергиях фотонов вблизи ширины запрещенной зоны, обеспечивающими высокие фотоэлектрические параметры фотоприемников, изготовленных на их основе. <...> Большинство этих зависимостей описывают поведение показателя преломления для энергий, значения которых меньше ширины запрещенной зоны. <...> Целью данной работы являлось исследование значений показателя преломления бинарных Яковлева Наталья Ивановна, зам. начальника НИЦ1. <...> Статья поступила в редакцию 29 сентября 2014 г. © Никонов А. В., Куляхтина Н. М., Болтарь К. О., Яковлева Н. И., 2015 Никонов Антон Викторович, инженер1, аспирант2. <...> Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1, профессор2. соединений InP и четверных растворов InGaAsP, которые могут <...>