56 УДК 621.315.5:621.3.049.77 Пассивация и защита поверхности фотодиодов на основе In1-xGaxAs1-yPy/InP пленкой нитрида кремния Д. С. Андреев, А. К. Будтолаев, О. В. Огнева, М. А. Тришенков, И. В. Чинарева В статье обсуждается методика пассивации и защиты поверхности In1-xGaxAs1-yPy с помощью обработки в плазме СF4 и N2 и осаждения пленки Si3N4 плазмохимическим методом при температурах не более 200 оС. <...> Разработанная технология обеспечивает получение и стабилизацию плотности темнового тока при U = 10 B на уровне 10-5—10-6 А/см-2, а также плотность микропор 0—20 см-2 при диэлектрической прочности 107 В/см. <...> PACS: 85.60.-q Ключевые слова: диэлектрические покрытия, темновой ток, нитрид кремния, плазмохимическая обработка, плотность микропор. <...> Интерес к проблеме связан с интенсивными разработками фотодиодов (ФД), фотодиодных матриц и фотоприемных устройств с монолитной интеграцией pin-ФД, полевого транзистора и волновода на основе указанных соединений для систем обнаружения лазерного излучения, а также волоконнооптических систем передачи информации, работающих в спектральном диапазоне 0,9—1,7 мкм. <...> Существует два аспекта проблемы разработки диэлектрического покрытия для таких ФД: необходимость разработки метода пассивации и защиты поверхности p–n-переходов, выделенных по мезатехнологии, обеспечивающего сохранение плотности темнового тока jT на уровне 10-6—10-8 А/см-2; необходимость разработки метода маскирования поверхности соединений In1-xGaxAs1-yPy при проведении локальной диффузии (имплантаАндреев Дмитрий Сергеевич, вед. инженер. <...> Статья поступила в редакцию 21 ноября 2014 г. © Андреев Д. С., Будтолаев А. К., Огнева О. В., Чинарева И. В., Тришенков М. А., 2015 Прикладная физика, 2015, № 1 ции) донорных и акцепторных примесей по планарной технологии и последующей защиты полученного перехода. <...> В качестве пассивационно-защитных покрытий для приборов на основе In1-xGaxAs1-yPy наиболее широкое распространение получили полиамидные пленки [4], осаждаемые химическим методом, а <...>