Прикладная физика, 2015, № 1 УДК 621.383.4/5 Лавинный матричный фотомодуль формата 320Ч256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs Н. И. <...> Яковлева, К. О. Болтарь, М. В. Седнев, А. А. Лопухин, Е. Д. Коротаев Проведено исследование лавинного матричного фотомодуля формата 320Ч256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs на спектральный диапазон 0,9—1,7 мкм и барьерным слоем InAlAs. <...> Матрица лавинных фотодиодов формата 320Ч256 элементов изготавливалась в nBp-наногетероструктуре по мезатехнологии. <...> Измерены количество неработоспособных элементов, зависимость темнового тока от напряжения смещения и коэффициент лавинного усиления. <...> Актуальность применения лавинных матричных фотомодулей на основе гетероэпитаксиальных структур А3В5 с поглощающим слоем InGaAs в системах активного формирования изображений заключается в том, что такие модули имеют высокую эффективность преобразования оптического излучения, высокие фотоэлектрические параметры, малые вес, рассеиваемую мощность и габариты, не чувствительны к магнитным полям, обладают способностью к накоплению и интегрированию сигнала [3]. <...> Статья поступила в редакцию 29 декабря 2014 г. © Яковлева Н. И., Болтарь К. О., Седнев М. В., Лопухин А. А., Коротаев Е. Д., 2015 слова: InGaAs, коротковолновый диапазон спектра, инфракрасный, наногетероструктуры, лавинный фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, лавинный фотомодуль. <...> Достижение максимального коэффициента умножения при минимальном значении темновых токов и шум-фактора в лавинных фотомодулях достигается за счет выбора и конструирования оптимальной многослойной наногетероструктуры с разделенными областями поглощения и умножения на основе тройных соединений InGaAs/InAlAs на подложках InP [4—6]. <...> Для согласования кристаллических структур полупроводниковых материалов InGaAs и InAlAs используется тонкий эпитаксиальный слой на основе четверного соединения <...>