Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 531542)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Прикладная физика

Прикладная физика №4 2015 (15,00 руб.)

0   0
Страниц112
ID353353
АннотацияОснован в 1994 г. Журнал "Прикладная физика" в настоящее время предназначен в основном для срочной публикации кратких статей о последних достижениях в области физики, имеющих перспективу прикладного (технического и научного) применения. Графические материалы (фото, схемы, рисунки, графики и т.п.) представляются теперь в черно-белом и полноцветном форматах, что выгодно отличает данный журнал от абсолютного большинства других периодических научно-технических изданий, где обычно ограничиваются только черно-белым форматом. Журнал за прошедшие годы стал лидером в области освещения физических основ прикладных задач по некоторым наиболее наукоемким направлениям развития техники и технологии (фотоэлектронной, лазерной, плазменной, электронно- и ионнолучевой, микроволновой, наноматериалов, высокотемпературной сверхпроводимости и т.п.), публикуя научные статьи и обзоры по упомянутым вопросам. В журнале по-прежнему освещаются прикладные проблемы, обсуждаемые на важнейших отечественных и международных физических конференциях. В частности, журнал остается одним из официальных информационных спонсоров ряда таких периодически проводимых конференций, как Международная (Звенигородская) конференция по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Всероссийский семинар по электронной и ионной оптике и др., оперативно публикуя на своих страницах наиболее значимые их материалы, подготовленные и представленные (по рекомендации соответствующих Программных комитетов) в виде отдельных статей участников конференций. В журнале публикуются статьи авторов не только из РФ и стран СНГ, но и из Франции, США, Израиля, Польши, Индии и ряда других стран дальнего зарубежья.
Прикладная физика [Электронный ресурс] : Научно-технический журнал .— М. : Издательский дом МФО .— 2015 .— №4 .— 112 с. : ил. — Режим доступа: https://rucont.ru/efd/353353

Также для выпуска доступны отдельные статьи:
Влияние ионов Al на оптические и кинетические свойства эпитаксиальных пленок (Pb,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce / Васильев (10,00 руб.)
Эффект переключения и памяти в слоистых кристаллах GeS / Мадатов (10,00 руб.)
О практической реализации одной схемы времяпролётных измерений в катодолюминесцентной микроскопии / Поляков (10,00 руб.)
Моделирование электростатического поля заряженного непроводящего тороида / Ташаев (10,00 руб.)
Трансформация пылевых структур в разряде постоянного тока в неоне / Шумова (10,00 руб.)
Влияние частоты поля на особенности плазменной обработки полимеров / Марусин (10,00 руб.)
Влияние нагрева газа на вольт-амперную характеристику генератора электронного пучка на основе стационарного открытого разряда / Головин (10,00 руб.)
Масс-зарядовый состав ионов плазмы дугового разряда форвакуумного широкоапертурного источника электронов / Тюньков (10,00 руб.)
Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного тока / Ивонин (10,00 руб.)
Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию / Короннов (10,00 руб.)
Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах / Селяков (10,00 руб.)
Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–n-диодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN / Смирнов (10,00 руб.)
Исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров / Залетаев (10,00 руб.)
Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP:Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм / Грузевич (10,00 руб.)
Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Грузевич (10,00 руб.)
Определение требований к качеству оптических поверхностей входных окон неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового и инфракрасного диапазона спектра / Колесова (10,00 руб.)
Исследование точности измерения спектральной характеристики методом Монте-Карло матричных ИК-фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм / (10,00 руб.)
Влияние низкочастотных шумов на точность измерения сигнала фотоприемных устройств второго и третьего поколений / Деомидов (10,00 руб.)
ВНИМАНИЮ СПЕЦИАЛИСТОВ ПО ИНФРАКРАСНОЙ ТЕХНИКЕ, РАЗРАБОТЧИКОВ ФОТОПРИЕМНИКОВ И ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ / (10,00 руб.)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Эффект переключения и памяти в слоистых кристаллах GeS. <...> Трансформация пылевых структур в разряде постоянного тока в неоне. <...> Масс-зарядовый состав ионов плазмы дугового разряда форвакуумного широкоапертурного источника электронов . <...> Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного тока. <...> Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию . <...> Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах. <...> Исследование планарной матрицы p–i–nфотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров. <...> Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP:Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм. <...> Определение требований к качеству оптических поверхностей входных окон неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового и инфракрасного диапазона спектра . <...> Влияние низкочастотных шумов на точность измерения сигнала фотоприемных устройств второго и третьего поколений. <...> Vasilyak Transformation of dust structures in a dc discharge in neon. <...> Gabbasova Study of the InGaAs planar p–i–n photodiode focal plane array with p–n junctions of reduced sizes . <...> Vatcenko Photodetector photocathode with a Schottky barrier based on the InP/InGaAs/InP: Ag structure sensitive up to 1.7 µ. <...> Васильев, К. А. Верещагин, А. К. Верещагин, Д. А. Спасский, В. О. Соколов, А. В. Хахалин, Н. В. Васильева, А. М. Галстян, В. Г. Плотниченко Исследованы спектры оптического поглощения и кинетика затухания люминесценции пленок состава (Pb,Gd)3-уСеуAlхGa5-хO12 (х = 0; 3,43 и 4,29 и у = 0,03; 0,04 и 0,05), выращенных методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденных растворов-расплавов на основе системы PbO–B2O3. <...> Jq, 85.60.-q Ключевые слова: эпитаксиальные гранатовые пленки, оптическое поглощение, время затухания, Се3+ и Се4+. <...> E-mail: victor@fo.gpi.ac.ru Статья поступила в редакцию 7 июля 2015 г. © Васильев Д. А., Верещагин К. А., Верещагин А. К., Спасский Д <...>
Прикладная_физика_№4_2015.pdf
Стр.1
Стр.2
Стр.3
Стр.4
Прикладная_физика_№4_2015.pdf
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА 2015, № 4 НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ Основан в 1994 г. С О Д Е Р Ж А Н И Е ОБЩАЯ ФИЗИКА Васильев Д. А., Верещагин К. А., Верещагин А. К., Спасский Д. А., Соколов В. О., Хахалин А. В., Васильева Н. В., Галстян А. М., Плотниченко В. Г. Влияние ионов Al на оптические и кинетические свойства эпитаксиальных пленок (Pb,Gd)3(Al,Ga)5O12:Ce...................................................................................................................................................................... 5 Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М. Эффект переключения и памяти в слоистых кристаллах GeS....................... 11 Поляков А. Н., Noltemeyer M., Hempel T., Christen J., Степович М. А. О практической реализации одной схемы времяпролётных измерений в катодолюминесцентной микроскопии ................................................................................................... 16 Ташаев Ю. Н. Моделирование электростатического поля заряженного непроводящего тороида ............................................ 21 ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ Шумова В. В., Поляков Д. Н., Василяк Л. М. Трансформация пылевых структур в разряде постоянного тока в неоне.......... 27 Марусин В. В., Щукин В. Г. Влияние частоты поля на особенности плазменной обработки полимеров.................................. 33 Головин А. И. Влияние нагрева газа на вольт-амперную характеристику генератора электронного пучка на основе стационарного открытого разряда ........................................................................................................................................................ 39 Тюньков А. В., Бурдовицин В. А., Казаков А. В., Медовник А. В., Окс Е. М. Масс-зарядовый состав ионов плазмы дугового разряда форвакуумного широкоапертурного источника электронов ...................................................................................... 45 Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е. Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного тока....................................... 50 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА Короннов А. А., Зверев Г. М., Землянов М. М., Жарикова Е. В., Марсагишвили Д. В. Исследование характеристик германиевого лавинного фотодиода, подвергнутого мощному лазерному воздействию .................................................................... 54 Селяков А. Ю., Бурлаков И. Д., Филачёв А. М. Свойства корреляторов тепловых и фотоиндуцированных случайных полей концентраций и токов подвижных носителей заряда в ИК-фотодиодах........................................................................... 59 Смирнов Д. В., Болтарь К. О., Седнев М. В., Шаронов Ю. П. Исследование характеристик мезаструктур матриц p–i–nдиодов на основе гетероэпитаксиальных структур AlxGa1-xN....................................................................................................... 66 Залетаев Н. Б., Болтарь К. О., Лопухин А. А., Чинарёва И. В, Габбасова Э. В. Исследование планарной матрицы p–i–nфотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров.................................................................................. 71 Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Альков П. С., Иванов В. Ю., Дятлов А. Л., Ваценко П. И. Фотоприемный модуль с фотокатодом с барьером Шоттки на основе структуры InP/InGaAs/InP:Ag и с чувствительностью до 1,7 мкм........................................................................................................................................................................................... 76 Грузевич Ю. К., Гордиенко Ю. Н., Балясный Л. М., Чистов О. В., Альков П. С., Широков Д. А., Жмерик В. Н., Нечаев Д. В., Иванов С. В. Разработка фотокатодов солнечно-слепого диапазона на основе ГЭС нитрида галлия алюминия, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии...................................................................................................................... 82 Колесова А. А., Лобачев А. В., Соломонова Н. А., Хамидуллин К. А. Определение требований к качеству оптических поверхностей входных окон неохлаждаемых матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового и инфракрасного диапазона спектра ............................................................................................................................................................................. 88 ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ Деомидов А. Д., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Тресак В. К., Смирнов А. А. Исследование точности измерения спектральной характеристики методом Монте-Карло матричных ИК фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм............................ 94 Деомидов А. Д., Козлов К. В., Полесский А. В., Соломонова Н. А., Фирсенкова Ю. А. Влияние низкочастотных шумов на точность измерения сигнала фотоприемных устройств второго и третьего поколений............................................................. 102 ИНФОРМАЦИЯ Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике................................................................................................................... 109 Правила для авторов журнала ...................................................................................................................................................... 111 Москва
Стр.1
Учредители журнала: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт межотраслевой информации — федеральный информационно-аналитический центр оборонной промышленности" (ФГУП "ВИМИ") Государственный научный центр Российской Федерации — Акционерное общество «Научно-производственное объединение "Орион"» (АО «НПО "Орион"») Межрегиональная общественная организация «Московское физическое общество» (МОО «МФО») Журнал зарегистрирован в Роскомпечати. Регистрационный № 018354 Международный стандартный сериальный номер ISSN 1996-0948 Выходит 6 раз в год Главный редактор А. М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор Редакционная коллегия А. Ф. Александров, д.ф.-м.н., профессор С. Н. Андреев, д.ф.-м.н. В. И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (зам. гл. ред.) А. С. Бугаев, д.ф.-м.н., академик РАН, профессор Л. М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (зам. гл. ред.) И. С. Гайдукова, к.т.н., (отв. секретарь) В. Дамньанович, д.ф.-м.н., профессор (Сербия) В. А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент В. И. Конов, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Ю. А. Лебедев, д.ф.-м.н. М. Л. Лямшев, к.ф.-м.н. В. П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор А. А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор Э. Ю. Салаев, д.ф.-м.н., академик НАН Азербайджана, профессор М. А. Тришенков, д.ф.-м.н., профессор Г. М. Фрайман, д.ф.-м.н. В. Ю. Хомич, д.ф.-м.н., академик РАН В. А. Ямщиков, д.т.н. Адрес редакции журнала "Прикладная физика": 111538, Москва, ул. Косинская, д. 9, АО «НПО «Орион». Телефон: 8 (499) 374-82-40 E-mail: advance@orion-ir.ru Internet: applphys.orion-ir.ru Подписано в печать 11.09.2015. Формат А4. Бумага офсетная. Печать цифровая. Усл. печ. л. 13,0. Уч.-изд. л. 13,4. Тираж 140 экз. Цена договорная. Отпечатано в типографии Издателя журнала Адрес: 119991, Москва, Ленинский проспект, 53. Прикладная физика® Издатель журнала — ООО «Издательский дом МФО», 119991, Москва, Ленинский проспект, 53 Подписной индекс в Объединенном Каталоге «Пресса России» — 40779 © Редколлегия журнала "Прикладная физика", составление, 2015 © Редакция журнала «Прикладная физика», оформление, 2015
Стр.2
PRIKLADNAYA FIZIKA (APPLIED PHYSICS) 2015, No. 4 THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL Founded in 1994 C O N T E N T S GENERAL PHYSICS D. А. Vasil’ev, К. А. Vereshchagin, А. К. Vereshchagin, D. А. Spassky, V. O. Sokolov, A. V. Khakhalin, N. V. Vasil’eva, A. M. Galstyan, and V. G. Plotnichenko Influence of Al ions on optical and kinetic properties of (Pb, Gd)3(Al, Ga)5O12:Ce epitaxial films .................................................................................................................................................................................................... 5 R. S. Madatov, A. S. Alekperov, and O. M. Hasanov Change-over and memory effects in the layered GeS monocrystals ................ 11 А. N. Polyakov, M. Noltemeyer, T. Hempel, J. Christen, and M. A. Stepovich About the practical implementation of same timeof-flight measurements scheme in cathodoluminescence microscopy ................................................................................................ 16 Y. N. Tashayev Modeling of the electrostatic field of the charged non-conducting torus ................................................................... 21 PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS V. V. Shumova, D. N. Polyakov, and L. M. Vasilyak Transformation of dust structures in a dc discharge in neon............................. 27 V. V. Marusin and V. G. Shchukin Influence of frequency of a field on features of plasma treatment of polymers ........................... 33 A. I. Golovin Influence of gas heating on the voltage-current characteristic of an electron beam generator based on a stationary open discharge..................................................................................................................................................................................... 39 A. V. Tyunkov, V. A. Burdovitsin, A. V. Kazakov, A. V. Medovnik, and E. M. Oks Mass-to-charge ion composition of arc discharge plasma in a forevacuum wide-aperture electron source........................................................................................................... 45 V. V. Ivonin, A. N. Danilin, B. V. Efimov, V. V. Kolobov, V. N. Selivanov, L. M. Vasilyak, S. P. Vetchinin, V. Ya. Pecherkin, and E. E. Son Optical investigations of spark channels in soil under spreading of pulse current ....................................................... 50 PHOTOELECTRONICS А. А. Koronnov, G. M. Zverev, М. М. Zemlyanov, E. V. Zharicova, and D. V. Marsagishvili Characteristics of the germanium avalanche photodiode subjected to a high power laser irradiation ...................................................................................................... 54 A. Yu. Selyakov, I. D. Burlakov, and A. M. Filachev Correlator’s properties for thermal and photo-induced stochastic fields of mobile charge carriers concentrations and currents in IR photodiodes ............................................................................................... 59 D. V. Smirnov, K. O. Boltar, M. V. Sednev, and Y. P. Sharonov Research of characteristics mesa structures of the matrixes of p– i–n diodes based on the AlxGa1-xN heteroepitaxial structures ............................................................................................................. 66 N. B. Zaletaev, K. O. Boltar, A. A. Lopukhin, I. V. Chinareva, and E. V. Gabbasova Study of the InGaAs planar p–i–n photodiode focal plane array with p–n junctions of reduced sizes .................................................................................................................. 71 Y. K. Gruzevich, Y. N. Gordienko, L. M. Balyasnyi, P. S. Alkov, V. Y. Ivanov, A. L. Diatlov, and P. I. Vatcenko Photodetector photocathode with a Schottky barrier based on the InP/InGaAs/InP: Ag structure sensitive up to 1.7 µ............................................ 76 Y. K. Gruzevich, Y. N. Gordienko, L. M. Balyasnyi, O. V. Chistov, P. S. Alkov, D. A. Shirokov, V. N. Zhmerik, D. V. Nechayev, and S. V. Ivanov Development of the solar-blind range photocathodes based on aluminum gallium nitride heterostructure fabricated by molecular beam epitaxial ...................................................................................................................................................... 82 A. A. Kolesova, A. V. Lobachyov, N. A. Solomonova, and K. A. Khamidullin Quality requirements to the windows’ optical surfaces for the non-cooled ultraviolet and infrared photodetectors ........................................................................................................ 88 PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS A. D. Deomidov, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, V. C. Tresak, and A. A. Smirnov Using Monte Carlo method for uncertainty analysis of SWIR FPA spectral response measurement............................................................................................................ 94 A. D. Deomidov, K. V. Kozlov, A. V. Polesskiy, N. A. Solomonova, and Yu. A. Firsenkova Impact of the low-frequency noise on measurement accuracy of a signal for photodetectors of the second and third generations ................................................................ 102 INFORMATION Three Volumes on Photoelectronics .................................................................................................................................................. 109 Rules for authors................................................................................................................................................................................ 111 Moscow
Стр.3
Founders of the Journal: All-Russian Research Institute for Inter-Industry Information — a Federal Informational and Analytical Center of the Defense Industry, a Federal State Unitary Enterprise (VIMI FSUE) Orion Research-and-Production Association, a State Scientific Center of the Russian Federation (Orion R&P Association, Inc.) Moscow Physical Society The bi-monthly journal ISSN 1996-0948 Editor-in-Chief А.М. Filachev, D.Sc., Corresponding Member of the RAS, Professor Editorial Board A. F. Aleksandrov, D.Sc., Professor. S. N. Andreev, D.Sc. V. I. Barinov, Ph.D., Associate Professor (Deputy Editor-inChief). A. S. Bugaev, D.Sc., Academician of the RAS, Professor. G. M. Fraiman, D.Sc. I. S. Gayidukova, Ph.D. (Executive Secretary). V. Damnjanoviĉ, D.Sc., Professor (Serbia) V. A. Ivanov, Ph.D., Associate Professor. Yu. A. Lebedev, D.Sc. M. L. Lyamshev, Ph.D. V. Yu. Khomich, D.Sc., Academician of the RAS. V. I. Konov, D.Sc., Corresponding Member of the RAS. V. P. Ponomarenko, D.Sc., Professor. A. A. Rukhadze, D.Sc., Professor. E. Yu. Salayev, D.Sc., Academician of the NAS of Azerbajan, Professor. M. A. Trishenkov, D.Sc., Professor. L. M. Vasilyak, D.Sc., Professor, (Deputy Editor-inChief) V. A. Yamschikov, D.Sc. Address of the Editorial Staff: Orion R&P Association, Inc. 9 Kosinskaya str., Moscow, 111538, Russia Phone: +7 (499) 374-82-40 E-mail: advance@orion-ir.ru Internet: applphys.orion-ir.ru
Стр.4