50 УДК 621.311 Оптические исследования искровых каналов в грунте при растекании импульсного тока В. В. Ивонин, А. Н. Данилин, Б. В. Ефимов, В. В. Колобов, В. Н. Селиванов, Л. М. Василяк, С. П. Ветчинин, В. Я. Печеркин, Э. Е. Сон В лабораторных условиях исследовано возникновение искровых каналов во влажном грунте у электрода при растекании импульсного тока длительностью 5—100 мкс при амплитуде импульса напряжения 20—50 кВ. <...> Разработана методика регистрации искровых каналов в объеме грунта. <...> Впервые получены оптические изображения искровых каналов в грунте. <...> Определены пороговые значения плотности тока и напряженности электрического поля при образовании плазменных каналов в зависимости от влажности грунта и длительности импульсного воздействия. <...> Введение Исследования растекания импульсного тока с заземлителей в различных грунтах проводятся как в лабораториях, так и в полевых условиях достаточно давно, начиная с сороковых годов прошлого столетия [1—8]. <...> При растекании больших импульсных токов в грунте как электрические свойства самого грунта, так и характеристики заземления могут существенно отличаться от величин, полученных при растекании слабого стационарного тока. <...> Это связано с ионизацией грунта вблизи электрода и образованием искровых каналов, что приводит к заметному снижению удельного сопротивления грунта ρ [1—3]. <...> При увеличении импульсного тока в грунте происходит ионизация и образуются Сон Эдуард Евгеньевич, зам. <...> E-mail: vаsilyak@ihed.ras.ru Статья поступила в редакцию 29 июня 2015 г. © Ивонин В. В., Данилин А. Н., Ефимов Б. В., Колобов В. В., Селиванов В. Н., Василяк Л. М., Ветчинин С. П., Печеркин В. Я., Сон Э. Е., 2015 Прикладная физика, 2015, № 4 искры, в результате чего сопротивление заземления уменьшается, а динамическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) становится нелинейной. <...> Причиной ионизации является достаточно сильное электрическое поле проводимости Е = ρj, которое возникает при растекании импульсного тока с плотностью <...>