Мадатов, А. С. Алекперов, О. М. Гасанов Эффекты переключения и памяти в полупроводниках были открыты в середине 50-х годов. <...> Только в 90-х годах японские ученые предложили новую систему халькогенидных стеклообразных полупроводников, которые отличаются своей стабильностью и высокой скоростью фазовых переходов. <...> Моносульфид германия может находиться как в аморфном, так и в кристаллическом состояниях, и это позволяет использовать слоистые кристаллы GeS в современных носителях информации PAСS: 72.40. <...> +W, 76.30Kg, 78.20, 79.60.-i Ключевые слова: вольтамперная характеристика, эффекты переключения и памяти, высокоомное и низкоомное состояния, шнур тока, отрицательное дифференциальное сопротивление, пороговое значение напряжения, тепловой и электронные механизмы, гамма-излучение, редкоземельные металлы. <...> Введение Среди полупроводниковых материалов, которые могут быть использованы для регистрации оптической информации и голограмм, значительный интерес представляют слоистые кристаллы. <...> Недавно в Университете Северной Каролины (США) было создано уникальное устройство из сульфида германия. <...> Наряду с этим качеством слоистый монокристалл GeS обладает эффектами переключения и памяти [2]. <...> Цель данной работы состояла в изучении эффекта переключения, а также влияния на этот процесс атомов примесей редкоземельных элементов (РЗЭ) и воздействия гамма-излучения. <...> Методика эксперимента Специально нелегированные и легированные РЗЭ (Nd, Sm, Gd) монокристаллы GeS выраМадатов Рагим Селим оглы1, зав. лабораторией. <...> E-mail: aydin60@inbox.ru, 1959oktay@mail.ru Статья поступила в редакцию 6 июля 2015 г. © Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., 2015 щивались методом Бриджмена в запаянных и предварительно откачанных до давления 10-4 мм. рт. ст. кварцевых ампулах с внутренним диаметром 18— 20 мм и длиной 200 мм. <...> В качестве исходного материала для синтеза кристаллов использовались: германий с удельным сопротивлением 50 Омсм, сера марки «В5», неодим марки «Нм-2», самарий <...>