Прикладная физика, 2015, № 4 УДК 621.315.5 Исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов на основе InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров Н. Б. Залетаев, К. О. Болтарь, А. А. Лопухин, И. В. Чинарёва, Э. В. Габбасова Проведено исследование планарной матрицы p–i–n-фотодиодов формата 320 256 на гетероэпитаксиальной структуре InGaAs/InP с размерами p–n-переходов 9 9 мкм при шаге матрицы 30 мкм. <...> Уменьшение размеров p–n-переходов по сравнению с аналогичными матрицами, имеющими размер p–n-переходов 25 25 мкм, при несущественном снижении токовой чувствительности элементов матрицы привело к снижению темновых токов элементов на полтора порядка величины и к увеличению обнаружительной способности фотоприёмного устройства с такой матрицей. <...> Введение Приборы ночного видения нового поколения на основе матриц p–i–n-фотодиодов на InGaAs находят в настоящее время широкое применение как в военной, так и в гражданской сферах [1]. <...> Целью данной работы являлось исследование параметров планарной фотоприёмной матрицы p–i–n-фотодиодов на InGaAs с p–n-переходами уменьшенных размеров (по сравнению с шагом элементов в матрице) для создания приборов с улучшенными параметрами и, в первую очередь, для обеспечения следующих факторов: – улучшения обнаружительной способности за счёт снижения темновых токов элементов матрицы без существенного ухудшения их токовой чувствительности, – снижения уровня дефектности. <...> В ходе работы предполагалось экспериментально исследовать темновой ток и токовую чувЗалетаев Николай Борисович, ведущий научный сотрудник1. <...> Система конденсаторов, вид сбоку 71 ствительность элементов матрицы p–i–n-фотодиодов формата 320256 на гетероэпитаксиальной структуре InGaAs/InP с p–n-переходами уменьшенных размеров (в сравнении с аналогичными матрицами, имеющими размер p–n-переходов 2525 мкм [2]), а также обнаружительную способность матричного фотоприёмного устройства с такой матрицей. <...> Особенности распределения электрического <...>