Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №2 2017 (550,00 руб.)

0   0
Страниц95
ID544491
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2017 .— №2 .— 95 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/544491 (дата обращения: 26.05.2022)

Также для выпуска доступны отдельные статьи:
Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения / Попков (250,00 руб.)
Моделирование орбиталей в тетраэдре кристалла кубического углерода / Неустроев (250,00 руб.)
Влияние функционализации углеродных нанотрубок в плазме на процесс формирования электродного композитного материала УНТ – оксид никеля / Алексеев (250,00 руб.)
Зависимость механических напряжений в пленках нитрида кремния от режимов плазмохимического осаждения / Новак (250,00 руб.)
Метод построения индикаторов длительности переходных процессов на основе формирователя коротких импульсов в асинхронных сумматорах / Старых (250,00 руб.)
Иерархия моделей работы ячейки магниторезистивной памяти с продольной анизотропией слоев кобальта / Юсипова (250,00 руб.)
Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры / Королёв (250,00 руб.)
Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора / Лапин (250,00 руб.)
Коррекция геометрического ослабления излучения в позитронно-эмиссионной томографии / Терещенко (250,00 руб.)
Алгоритм кластеризации ключевых точек на изображениях ИК-диапазона / Семаков (250,00 руб.)
Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si3N4–SiO2 в условиях низкой полимеризации / Голишников (250,00 руб.)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. <...> Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения . <...> Моделирование орбиталей в тетраэдре кристалла кубического углерода . <...> Рязанов Р.М., Дудин А.А., Полохин А.А., Громов Д.Г. Влияние функционализации углеродных нанотрубок в плазме на процесс формирования электродного композитного материала УНТ – оксид никеля . <...> Зависимость механических напряжений в пленках нитрида кремния от режимов плазмохимического осаждения. <...> Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 ниторезистивной памяти с продольной анизотропией слоев кобальта . <...> Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИструктуры . <...> Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора . <...> Коррекция геометрического ослабления излучения в позитронноэмиссионной томографии . <...> Алгоритм кластеризации ключевых точек на изображениях ИК-диапазона . <...> Field Features of Spin-Torque Diode Microwave Sensitivity Presence of Bias Current . <...> The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. <...> The Effect of Quantization in the Polysilicon Gate on the Shift of C-V Curves MOStransistor . <...> Показано, что в отсутствие тока смещения максимальное выпрямленное напряжение на переходе достигается при взаимно перпендикулярной геометрии намагничивания его берегов и падает с ростом резонансной частоты колебаний в магнитном поле при сохранении равновесной ориентации спинов в слоях. <...> Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения // Изв. вузов. <...> Within the linear macrospin approximation the frequency characteristics of resonant response of the spin-torque diode on the microwave signal have been calculated depending on the direction and amplitude of the applied magnetic field and bias current. <...> When applying the bias current the resonance amplitude of forced spin oscillations dramatically increases <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника_№2_2017.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. Зам. главного редактора Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, акад. РАН, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. СОДЕРЖАНИЕ Фундаментальные исследования Попков А.Ф., Кулагин Н.Е., Демин Г.Д., Звездин К.А. Полевые особенности микроволновой чувствительности спинового диода при наличии тока смещения ................... 109 Материалы электроники Неустроев С.А. Моделирование орбиталей в тетраэдре кристалла кубического углерода ......................................... 120 Алексеев А.В., Лебедев Е.А., Гаврилин И.М., Кицюк Е.П.,. Рязанов Р.М., Дудин А.А., Полохин А.А., Громов Д.Г. Влияние функционализации углеродных нанотрубок в плазме на процесс формирования электродного композитного материала УНТ – оксид никеля .. 128 Технологические процессы и маршруты Новак А.В., Новак В.Р., Дедкова А.А., Гусев Е.Э. Зависимость механических напряжений в пленках нитрида кремния от режимов плазмохимического осаждения........ 138 Схемотехника и проектирование Старых А.А., Ковалев А.В. Метод построения индикаторов длительности переходных процессов на основе формирователя коротких импульсов в асинхронных сумматорах ............................................................................ 147 Элементы интегральной электроники Юсипова Ю.А. Иерархия моделей работы ячейки маг© “Известия вузов. Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 ниторезистивной памяти с продольной анизотропией слоев кобальта ....................................................................... 156 2017 март–апрель Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Россия г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 13.04.2017. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 10,695 усл.печ.л., 10,164 уч.-изд.л. Тираж 155 экз. Заказ 12. Свободная цена. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Включен в Russian Science Citation Index на платформе Web of Science. Королёв М.А., Павлюк М.И., Девликанова С.С. Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИструктуры ............................................................................. 166 Лапин А.Е., Парменов Ю.А. Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора .......................................... 171 Биомедицинская электроника Терещенко С.А., Лысенко А.Ю. Коррекция геометрического ослабления излучения в позитронноэмиссионной томографии ................................................... 180 Краткие сообщения Семаков В.П. Алгоритм кластеризации ключевых точек на изображениях ИК-диапазона .................................. 187 Голишников А.А., Путря М.Г., Шабанов А.А. Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si3N4–SiO2 в условиях низкой полимеризации ......................................................................... 191 Конференции 2-й Международный форум по электронно-лучевым технологиям для микроэлектроники – «Техноюнити – ЭЛТМ 2017» (9–12 октября 2017 г.) .............. 3 стр. обложки К сведению авторов ............................................................ 195 106 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017
Стр.2
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Volume 22 N 2 Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Deputy Editor-in-Chief Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. NAS, Acad. RAS Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. CONTENTS Fundamental researches Popkov A.F., Kulagin N.E., Demin G.D., Zvezdin K.A. Field Features of Spin-Torque Diode Microwave Sensitivity Presence of Bias Current ......................................................... 109 Electronics materials Neoustroev S.A. Modeling of Orbitals in c-C Crystal Tetrahedron .................................................................................. 120 Alekseev A.V., Lebedev E.A., Gavrilin I.M., Kitsuk E.P., Ryazanov R.M., Dudin A.A., Polokhin A.A., Gromov D.G. Carbon Nanotubes Plasma Functionalization Effect on Formation Process of CNT – Nickel Oxide Composite Electrode Material .......................................................................... 128 Technological processes and routes Novak A.V., Novak V.R., Dedkova A.A., Gusev E.E. Dependence of Mechanical Stress in Silicon Nitride Films on Conditions of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 138 Circuit engineering and design Starykh A.A., Kovalev A.V. Method for Development of © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2017 © MIET, 2017 Indicators of Transients Based on Short Pulses in Asynchronous Adders ............................................................................ 147 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 107 2017 March–April The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff Zvereva S.G. Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Signed to print 13.04.2017. Sheet size 6084 1/8. Digital printing. Conventional printed sheets 10,695. Number of copies 155. Order no. 12. Free price. The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis. Integrated electronics elements Iusipova Iu.A. Hierarchy of Models of Operation of Magnetic Random-Access Memory Cell With in-plane Anisotropy of Cobalt Layers ............................................................... 156 Korolev M.A., Pavlyuk M.I., Devlikanova S.S. Physical Model of SOI Field-Effect Hall Sensor ................................. 166 Lapin A.E., Parmenov Y.A. The Effect of Quantization in the Polysilicon Gate on the Shift of C-V Curves MOStransistor ................................................................................. 171 Biomedical electronics Tereshchenko S.A., Lysenko A.Yu. Correction of Solid Angle Fraction in Positron Emission Tomography ............... 180 Brief reports Semakov V.P. Clustering Algorithm of Key Points on IRRange Images ........................................................................ 187 Golishnikov A.A., Putrya M.G., Shabanov A.A. Study on Anisotropic Plasma Etching Process of Passivation Si3N4–SiO2 Layers with Low Polymerization Level ............. 191 108 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017
Стр.4