Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 22 № 2
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., академик РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси,
акад. РАН, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
СОДЕРЖАНИЕ
Фундаментальные исследования
Попков А.Ф., Кулагин Н.Е., Демин Г.Д., Звездин К.А.
Полевые особенности микроволновой чувствительности
спинового диода при наличии тока смещения ................... 109
Материалы электроники
Неустроев С.А. Моделирование орбиталей в тетраэдре
кристалла кубического углерода ......................................... 120
Алексеев А.В., Лебедев Е.А., Гаврилин И.М.,
Кицюк Е.П.,. Рязанов Р.М., Дудин А.А., Полохин А.А.,
Громов Д.Г. Влияние функционализации углеродных
нанотрубок в плазме на процесс формирования электродного
композитного материала УНТ – оксид никеля .. 128
Технологические процессы и маршруты
Новак А.В., Новак В.Р., Дедкова А.А., Гусев Е.Э. Зависимость
механических напряжений в пленках нитрида
кремния от режимов плазмохимического осаждения........ 138
Схемотехника и проектирование
Старых А.А., Ковалев А.В. Метод построения индикаторов
длительности переходных процессов на основе
формирователя коротких импульсов в асинхронных
сумматорах ............................................................................ 147
Элементы интегральной электроники
Юсипова Ю.А. Иерархия моделей работы ячейки маг©
“Известия вузов.
Электроника”, 2017
© МИЭТ, 2017
ниторезистивной памяти с продольной анизотропией
слоев кобальта ....................................................................... 156
2017 март–апрель
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 13.04.2017.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 10,695 усл.печ.л.,
10,164 уч.-изд.л.
Тираж 155 экз.
Заказ 12.
Свободная цена.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Россия, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на платформе Web of Science.
Королёв М.А., Павлюк М.И., Девликанова С.С. Физическая
модель полевого датчика Холла на основе КНИструктуры
............................................................................. 166
Лапин А.Е., Парменов Ю.А. Влияние квантования носителей
в поликремниевом затворе на сдвиг порогового
напряжения МДП-транзистора .......................................... 171
Биомедицинская электроника
Терещенко С.А., Лысенко А.Ю. Коррекция геометрического
ослабления излучения в позитронноэмиссионной
томографии ................................................... 180
Краткие сообщения
Семаков В.П. Алгоритм кластеризации ключевых точек
на изображениях ИК-диапазона .................................. 187
Голишников А.А., Путря М.Г., Шабанов А.А. Исследование
процесса анизотропного плазменного травления
пассивирующих слоев Si3N4–SiO2 в условиях низкой полимеризации
......................................................................... 191
Конференции
2-й Международный форум по электронно-лучевым
технологиям для микроэлектроники – «Техноюнити –
ЭЛТМ 2017» (9–12 октября 2017 г.) ..............
3 стр. обложки
К сведению авторов ............................................................ 195
106
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 22 N 2
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Acad. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. NAS, Acad. RAS
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
CONTENTS
Fundamental researches
Popkov A.F., Kulagin N.E., Demin G.D., Zvezdin K.A.
Field Features of Spin-Torque Diode Microwave Sensitivity
Presence of Bias Current ......................................................... 109
Electronics materials
Neoustroev S.A. Modeling of Orbitals in c-C Crystal Tetrahedron
.................................................................................. 120
Alekseev A.V., Lebedev E.A., Gavrilin I.M., Kitsuk E.P.,
Ryazanov R.M., Dudin A.A., Polokhin A.A., Gromov D.G.
Carbon Nanotubes Plasma Functionalization Effect on Formation
Process of CNT – Nickel Oxide Composite Electrode
Material .......................................................................... 128
Technological processes and routes
Novak A.V., Novak V.R., Dedkova A.A., Gusev E.E. Dependence
of Mechanical Stress in Silicon Nitride Films on
Conditions of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition 138
Circuit engineering and design
Starykh A.A., Kovalev A.V. Method for Development of
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2017
© MIET, 2017
Indicators of Transients Based on Short Pulses in Asynchronous
Adders ............................................................................ 147
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017
107
2017 March–April
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET, editorial office of the Journal
«Proceedings of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Signed to print 13.04.2017.
Sheet size 6084 1/8.
Digital printing.
Conventional printed sheets 10,695.
Number of copies 155.
Order no. 12.
Free price.
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Russia, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Integrated electronics elements
Iusipova Iu.A. Hierarchy of Models of Operation of Magnetic
Random-Access Memory Cell With in-plane Anisotropy
of Cobalt Layers ............................................................... 156
Korolev M.A., Pavlyuk M.I., Devlikanova S.S. Physical
Model of SOI Field-Effect Hall Sensor ................................. 166
Lapin A.E., Parmenov Y.A. The Effect of Quantization in
the Polysilicon Gate on the Shift of C-V Curves MOStransistor
................................................................................. 171
Biomedical electronics
Tereshchenko S.A., Lysenko A.Yu. Correction of Solid
Angle Fraction in Positron Emission Tomography ............... 180
Brief reports
Semakov V.P. Clustering Algorithm of Key Points on IRRange
Images ........................................................................ 187
Golishnikov A.A., Putrya M.G., Shabanov A.A. Study on
Anisotropic Plasma Etching Process of Passivation
Si3N4–SiO2 Layers with Low Polymerization Level ............. 191
108
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017
Стр.4