ЭЛЕМЕНТЫ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ INTEGRATED ELECTRONICS ELEMENTS УДК 538.955, 621.377.624.6, 004.942, 51.74 DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-2-156-165 Иерархия моделей работы ячейки магниторезистивной памяти с продольной анизотропией слоев кобальта Ю.А. Юсипова Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г. Москва, Россия linda_nike@mail.ru Магниторезистивная память с произвольным доступом (MRAM) имеет значительные преимущества перед уже существующими типами памяти. <...> Исследование динамики вектора намагниченности свободного слоя MRAM в приближении Стонера – Вольфарта сводится к анализу нелинейной динамической системы трех уравнений. <...> Для упрощения нелинейной динамической системы трех уравнений изучено влияние вида функции токового члена Слончевского – Берже на динамику вектора намагниченности при переключении ячейки магниторезистивной памяти с произвольным доступом. <...> С этой целью проведено разложение токового члена в ряд Тейлора в окрестности особых точек динамической системы. <...> Проанализированы относительные погрешности вычислений токового члена при разложении его в ряд Тейлора от нулевой до четвертой степени. <...> Найдены особые точки системы уравнений, описывающих динамику намагниченности трехслойной структуры Co/Cu/Co для различных токовых членов. <...> Построены и проанализированы бифуркационные диаграммы динамической системы. <...> При расчетах динамики вектора намагниченности вентильной структуры, а также критических токов и полей переключений ячейки MRAM допустимо использовать разложение в ряд Тейлора токового члена Слончевского – Берже до четвертой степени и выше. <...> Ключевые слова: спиновый вентиль; MRAM; магниторезистивная память с произвольным доступом. <...> Иерархия моделей работы ячейки магниторезистивной памяти с продольной анизотропией слоев кобальта// Изв. вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 Иерархия моделей работы ячейки магниторезистивной памяти. <...> Hierarchy of Models of <...>