УДК 621.382.002 DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-2-191-194 Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si3N4–SiO2 в условиях низкой полимеризации А.А. Голишников, М.Г. Путря, А.А. Шабанов Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия shabanov.andr1@.yandex.ru Разработан процесс плазменного травления пассивирующей структуры Si3N4–SiO2, обеспечивающий получение анизотропного профиля травления и отсутствие полимерной пленки на поверхности алюминиевых контактных площадок. <...> Рассмотрено влияние различных операционных параметров, таких как расход газовой смеси и ВЧ-мощность, на технологические характеристики процесса плазменного травления диэлектрических слоев нитрида и оксида кремния. <...> Установлена корреляция основных технологических характеристик этого процесса с операционными параметрами. <...> Исследование процесса анизотропного плазменного травления пассивирующих слоев Si3N4–SiO2 в условиях низкой полимеризации // Изв. вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 191 Краткие сообщения Study on Anisotropic Plasma Etching Process of Passivation Si3N4–SiO2 Layers with Low Polymerization Level A.A. <...> Shabanov National Research University of Electronic Technology, Russia, Moscow shabanov.andr1@.yandex.ru The process of plasma etching of the passivation Si3N4–SiO2 structure, which provides to obtain the etching anisotropic profile, has been developed. <...> The influence of various operation parameters, such as the gas mixture consumption and HP power on the technological characteristics of the plasma etching process of silicon nitride and oxide dielectric layers, has been considered. <...> Study on Anisotropic Plasma Etching Process of Passivation Si3N4–SiO2 Layers with Low Polymerization Level // Proc. of universities. <...> DOI: 10.214151/1561-54052017-22-2-191-194 В современной микроэлектронике и микросистемной технике диэлектрические материалы, такие как нитрид и оксид кремния, нашли широкое применение при изготовлении полупроводниковых приборов и элементов МЭМС. <...> Применение системы Si3N4–SiO2 обусловлено тем, что пленки Si3N4 эффективно препятствуют миграции щелочных металлов и проникновению влаги, но менее значительно противодействуют движению электронов в <...>