Девликанова1 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия 2АО «ПКК Миландр», г. Москва, Россия petrunina.s@mail.ru Исследования в области создания новых структур датчиков Холла с улучшенными характеристиками, в частности с повышенной магниточувствительностью, широко востребованы. <...> Предложена физическая модель, объясняющая особенности холлзатворной характеристики и возникновение области повышенной магниточувствительности КНИ полевого датчика Холла (КНИ ПДХ). <...> Результаты моделирования в системе Synopsys TCAD подтверждают предложенную физическую модель функционирования КНИ ПДХ. <...> Модель объясняет особенности холл-затворной характеристики КНИ ПДХ в широком диапазоне напряжений на затворе и позволяет сделать вывод, что КНИ ПДХ имеет две рабочие области функционирования и их выбор определяется конкретными условиями применения датчика. <...> Для достижения максимальной магниточувствительности необходимо выбрать области неполного обеднения и обогащения. <...> Для обеспечения высокой помехоустойчивости целесообразно выбрать режим полного обогащения. <...> Ключевые слова: полевой датчик Холла на основе КНИ; повышенная магниточувствительность; режим неполного обеднения и обогащения; режим полного обогащения. <...> Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры // Изв. вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 Физическая модель полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры Physical Model of SOI Field-Effect Hall Sensor M.A. <...> In this study, we derive an analytical model that explains the features of Hall-gate characteristics and appearance of the area of high magnetics sensitivity of the SOI field-effect Hall sensor. <...> The simulation results in the Synopsys Sentaurus TCAD confirm the analytical model proposed in this work. <...> The proposed physical model explains the features of the Hall-gate characteristics of SOI FEHS in a wide range of gate voltages and allows us to conclude that the SOI FEHS has two working areas of operation and their choice is determined by the specific conditions of the sensor application <...>