Лапин, Ю.А. Парменов Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия parmenov@mail.ru При производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. <...> Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниевого затвора обычно учитываются введением эффективной электрической толщины оксида. <...> В то же время в сильнолегированном поликремниевом затворе проявляется еще один квантовый эффект. <...> Проведено моделирование квантового эффекта с помощью модели градиента плотности, которая включена в состав пакета Synopsys Sentaurus TCAD. <...> Установлено, что сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора не зависит от толщины подзатворного диэлектрика. <...> Величина сдвига зависит от концентрации примеси в подложке и лежит в пределах от 40 до 110 мВ в зависимости от типа канала при изменении концентрации примеси от 1016 до 1018 см–3. <...> Показано, что локальное изменение концентрации примеси в затворе вблизи границы раздела polySi/SiO2 оказывает сильное влияние на сдвиг порогового напряжения и этот эффект следует учитывать при моделировании МОП-транзистора. <...> Результаты работы могут использоваться для калибровки модели при расчете ВАХ транзисторов. <...> Ключевые слова: МДП-транзистор; квантовый эффект в поликремнии; обеднение поликремниевого затвора; метод градиента плотности; TCAD. <...> Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДПтранзистора // Изв. вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 171 А.Е. Лапин, Ю.А. Парменов The Effect of Quantization in the Polysilicon Gate on the Shift of C-V Curves MOS-transistor A.E. <...> Parmenov National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia parmenov@mail.ru Currently polysilicon with high dopant concentration is used as a gate material in industrial manufacturing of MOST with the technological mode of up to 65 nm. <...> The effects of quantization of inversion layer carriers in the substrate and of polysilicon gate depletion usually are taken into account by administering an effective <...>