Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 587535)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №2 2017

Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора (250,00 руб.)

0   0
Первый авторЛапин
АвторыПарменов Ю.А.
Страниц9
ID604564
АннотацияПри производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниевого затвора обычно учитываются введением эффективной электрической толщины оксида. В то же время в сильнолегированном поликремниевом затворе проявляется еще один квантовый эффект. Он связан с квантованием носителей вблизи высокого потенциального барьера и образованием квантового диполя, приводящего к сдвигу порогового напряжения МДП-транзистора в сторону уменьшения Проведено моделирование квантового эффекта с помощью модели градиента плотности, которая включена в состав пакета Synopsys Sentaurus TCAD. Установлено, что сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора не зависит от толщины подзатворного диэлектрика. Величина сдвига зависит от концентрации примеси в подложке и лежит в пределах от 40 до 110 мВ в зависимости от типа канала при изменении концентрации примеси от 1016 до 1018 см–3. Сдвиг порогового напряжения сильно зависит от концентрации примеси в затворе и составляет порядка 20–140 мВ для n-МОПтранзистора и порядка 20–200 мВ для p-МОП-транзистора при изменении концентрации примеси от 1∙1019 до 3∙1020 см–3. Показано, что локальное изменение концентрации примеси в затворе вблизи границы раздела polySi/SiO2 оказывает сильное влияние на сдвиг порогового напряжения и этот эффект следует учитывать при моделировании МОП-транзистора. Результаты работы могут использоваться для калибровки модели при расчете ВАХ транзисторов.
УДК004.94:621.382.323
Лапин, А.Е. Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора / А.Е. Лапин, Ю.А. Парменов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2017 .— №2 .— С. 69-77 .— URL: https://rucont.ru/efd/604564 (дата обращения: 02.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Лапин, Ю.А. Парменов Национальный исследовательский университет «МИЭТ», г. Москва, Россия parmenov@mail.ru При производстве МДП-транзисторов с технологическими нормами вплоть до 65 нм в настоящее время в качестве материала затвора используется сильнолегированный поликремний. <...> Эффекты квантования носителей инверсного слоя в подложке и обеднения поликремниевого затвора обычно учитываются введением эффективной электрической толщины оксида. <...> В то же время в сильнолегированном поликремниевом затворе проявляется еще один квантовый эффект. <...> Проведено моделирование квантового эффекта с помощью модели градиента плотности, которая включена в состав пакета Synopsys Sentaurus TCAD. <...> Установлено, что сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора не зависит от толщины подзатворного диэлектрика. <...> Величина сдвига зависит от концентрации примеси в подложке и лежит в пределах от 40 до 110 мВ в зависимости от типа канала при изменении концентрации примеси от 1016 до 1018 см–3. <...> Показано, что локальное изменение концентрации примеси в затворе вблизи границы раздела polySi/SiO2 оказывает сильное влияние на сдвиг порогового напряжения и этот эффект следует учитывать при моделировании МОП-транзистора. <...> Результаты работы могут использоваться для калибровки модели при расчете ВАХ транзисторов. <...> Ключевые слова: МДП-транзистор; квантовый эффект в поликремнии; обеднение поликремниевого затвора; метод градиента плотности; TCAD. <...> Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДПтранзистора // Изв. вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 2 2017 171 А.Е. Лапин, Ю.А. Парменов The Effect of Quantization in the Polysilicon Gate on the Shift of C-V Curves MOS-transistor A.E. <...> Parmenov National Research University of Electronic Technology, Moscow, Russia parmenov@mail.ru Currently polysilicon with high dopant concentration is used as a gate material in industrial manufacturing of MOST with the technological mode of up to 65 nm. <...> The effects of quantization of inversion layer carriers in the substrate and of polysilicon gate depletion usually are taken into account by administering an effective <...>