Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 573912)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2016 (975,00 руб.)

0   0
Страниц117
ID316911
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2016 .— №6 .— 117 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/316911 (дата обращения: 08.12.2021)

Также для выпуска доступны отдельные статьи:
О новых типах волн Стоунли и возможности их использования в интегральной акустоэлектронике / Мороча (140,00 руб.)
Влияние структурного совершенства слоев квантовых ям гетероструктур на основе нитрида галлия на их излучательные характеристики / Вигдорович (140,00 руб.)
Модификация поверхности никеля фемтосекундными лазерными импульсами / Костишко (140,00 руб.)
Влияние упаковки на воспроизводство сингонии кристалла кубического углерода / Неустроев (140,00 руб.)
Электропроводность пленочных композитов на основе поливинилиденфторида с углеродными нанотрубками / Солнышкин (140,00 руб.)
Исследование режимов ионно-стимулированного осаждения наноразмерных структур платины методом фокусированных ионных пучков / Лисицын (140,00 руб.)
Выделение галлия из многокомпонентной эвтектики при утилизации технологических отходов / Кольцов (140,00 руб.)
Исследование механизмов образования и переноса поверхностных молекулярных загрязнений / Севрюкова (140,00 руб.)
Моделирование переходного тока в неоднородных органических полупроводниковых системах / Морозова (140,00 руб.)
Клеточно-автоматные алгоритмы сортировки строк и умножения целых чисел по схеме Атрубина / Матюшкин (140,00 руб.)
Агломеративные алгоритмы выделения инвариантных характеристик изображений / Хтет Зо Вин (140,00 руб.)
Проектирование COS/SIN-преобразователей в цифровых вычислительных устройствах синтеза радиолокационных сигналов / Широ (140,00 руб.)
Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС / Соловьев (140,00 руб.)
Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзистора / Карташёв (140,00 руб.)
Оценка уточненного ресурса оптических кабелей с учетом условий эксплуатации / Жаднов (140,00 руб.)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю. <...> О новых типах волн Стоунли и возможности их использования в интегральной акустоэлектронике . 493 Материалы электронной техники Вигдорович Е. <...> Влияние структурного совершенства слоев квантовых ям гетероструктур на основе нитрида галлия на их излучательные характеристики . 503 Костишко Б. <...> Выделение галлия из многокомпонентной эвтектики при утилизации технологических отходов . 537 Севрюкова Е. <...> V., Ageev O.A. Research of Modes of Ion Beam Included Deposition of Platinum Nanostructures Using the Method of Focused Ion Beams . 529 Известия вузов. <...> Address: 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. <...> Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016 ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ FUNDAMENTAL RESEACHES УДК 621.37/39:534 О новых типах волн Стоунли и возможности их использования в интегральной акустоэлектронике А. <...> Рожков Национальный исследовательский университет «МИЭТ» On New Types of Stonely Waves and Opportunity to Apply Them in Integrated Electronics A.K. Morocha, A.S. Rozhkov National Research University of Electronic Technology, Moscow Теоретически исследованы новые типы волн Стоунли, которые могут быть использованы в интегральной акустоэлектронике. <...> Ключевые слова: волны Стоунли; поверхностные волны; фазовая скорость; эллиптическая поляризация; акустический волновод; акустоэлектронные интегральные схемы. <...> Изучение волн Стоунли первоначально было связано с проблемами сейсмологии [2]. <...> Внешняя поверхность полупроводникового контактирующего слоя может быть использована для создания интегральной схемы усиления, преобразования и обработки переносимой информации. <...> Общее уравнение движения упругой изотропной среды имеет вид u && = 2∇ + , (1) 2 vl u <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника_№6_2016.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. Зам. главного редактора Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, акад. РАН, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Тихонов А.Н., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. © “Известия вузов. Электроника”, 2016 © МИЭТ, 2016 СОДЕРЖАНИЕ Фундаментальные исследования Мороча А.К., Рожков А.С. О новых типах волн Стоунли и возможности их использования в интегральной акустоэлектронике ................................................................ 493 Материалы электронной техники Вигдорович Е.Н., Ермошин И.Г. Влияние структурного совершенства слоев квантовых ям гетероструктур на основе нитрида галлия на их излучательные характеристики ....................................................................................... 503 Костишко Б.Б., Светухин В.В., Явтушенко И.О. Модификация поверхности никеля фемтосекундными лазерными импульсами ........................................................ 510 Неустроев С.А. Влияние упаковки на воспроизводство сингонии кристалла кубического углерода ........................ 515 Технология микро- и наноэлектроники Солнышкин А.В., Кислова И.Л., Белов А.Н., Сыса А.В., Строганов А.А., Шевяков В.И., Силибин М.В., Михалчан А.А., Лысенко А.А. Электропроводность пленочных композитов на основе поливинилиденфторида с углеродными нанотрубками ................ 520 Лисицын С.А., Коломийцев А.С., Ильин О.И., Ильина М.В., Коноплев Б.Г., Быков Ал.В., Агеев О.А. Исследование режимов ионно-стимулированного осаждения наноразмерных структур платины методом фокусированных ионных пучков ................................................. 529 2016 ноябрь–декабрь Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 09.12.2016. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 13,48 усл.печ.л., 12,372 уч.-изд.л. Заказ 92. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Включен в Russian Science Citation Index на базе Web of Science. От Российской академии наук ........................................... 593 Юбилеи Таирову Юрию Михайловичу – 85 лет ............................. 594 Асееву Александру Леонидовичу – 70 лет ....................... 596 Конференции 2017 IEEE Conference of Russia Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering ........... 3 стр. обложки Тематический указатель статей, опубликованных в 2016 году ................................................................................ 598 К сведению авторов ............................................................ 603 Кольцов В.Б., Ларионов Н.М., Слесарев С.А., Баркинхоева Т.А. Выделение галлия из многокомпонентной эвтектики при утилизации технологических отходов ...................................................................................... 537 Севрюкова Е.А. Исследование механизмов образования и переноса поверхностных молекулярных загрязнений ......................................................................................... 543 Микроэлектронные приборы и системы Морозова Е.В., Шулежко В.В. Моделирование переходного тока в неоднородных органических полупроводниковых системах .......................................................... 551 Информационные технологии Матюшкин И.В., Жемерикин А.В., Заплетина М.А. Клеточно-автоматные алгоритмы сортировки строк и умножения целых чисел по схеме Атрубина .................... 557 Зо Вин Хтет, Колдаев В.Д. Агломеративные алгоритмы выделения инвариантных характеристик изображений ........................................................................................ 566 Интегральные радиоэлектронные устройства Широ Г.Э., Романов С.П. Проектирование COS/SINпреобразователей в цифровых вычислительных устройствах синтеза радиолокационных сигналов ...................... 574 Краткие сообщения Соловьев А.В., Крупкина Т.Ю., Романов А.А. Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС ..................... 583 Карташёв С.С., Лосев В.В. Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзистора .................................... 586 Жаднов В.В., Иванов И.А., Королев П.С., Полесский С.Н. Оценка уточненного ресурса оптических кабелей с учетом условий эксплуатации ................................................... 589 490 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016
Стр.2
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Volume 21 N 6 Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Deputy Editor-in-Chief Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. NAS, Acad. RAS Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2016 © MIET, 2016 CONTENTS Fundamental reseaches Morocha A.K., Rozhkov A.C. On New Types of Stonely Waves and Opportunity to Apply Them in Integrated Electronics ..................................................................................... 493 Electronic engineering materials Vigdorovich E.N., Ermoshin I.G. Impact of Structural Perfection of Layers of Quantum Wells of Heterostructures Based on Gallium Nitride on Their Radiative Characteristics 503 Kostishko B.B., Svetukhin V.V., Yavtushenko I.O. Modification of Nickel Surface Due to Femtosecond Laser Pulses 510 Neoustroev S.A. Influence of Packing on Reproduction of Singonia of c-C Crystal ........................................................... 515 Micro- and nanoelectronics technology Solnyshkin A.V., Kislova I.L., Belov A.N., Sysa A.V., Stroganov A.A., Shevjakov V.I., Silibin M.V., Mihalchan A.A., Lysenko A.A. Electrical Conductivity of the Composite Films Based on Polyvinylidene Fluoride and Carbon Nanotubes ........................................................................................ 520 Lisitsyn S.A., Kolomiytsev A.S., Ilin O.I., Ilina M.V., Konoplev B.G., Bykov Al.V., Ageev O.A. Research of Modes of Ion Beam Included Deposition of Platinum Nanostructures Using the Method of Focused Ion Beams ...... 529 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016 491 2016 November–December The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.3
Head of editorial staff Zvereva S.G. Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis. Koltsov V.B., Larionov N.M., Slesarev S.A., Barkinkhoeva T.A. Allocation of Gallium from a Multicomponent Eutectic Disposal Recycle of Technological Wastes ................................................................................... Sevryukova E.A. Investigation of Mechanisms of Formation and Transport of Surface Molecular Contamination .. 543 Microelectronic devices and systems Morozova E.V., Shulezhko V.V. Simulation of Transient Current in Nonhomogeneous Organic Semiconductor Systems ....................................................................................... 551 Information technologies Matushkin I.V., Zhemerikin A.V., Zapletina M.A. Cellular Automata Algorithms for String Sorting and Integer Multiplication by Atrubin’s Scheme .................. 557 Zaw Win Htet, Koldaev V.D. Agglomerative Algorithm of Invariant Characteristics of Images ....................................... 566 Integrated radioelectronic devices Shiro G.E., Romanov S.P. Design of COS/SIN Generators in Digital Computing Devices of Synthesis of Radar Signals .................................................................................... 574 Brief reports Solovev A.V., Krupkina T.U., Romanov A.A. Increasing Breakdown Voltage of N-MOS Transistors for RadiationResistant CMOS LSI .............................................................. 583 Kartashev S.S., Losev V.V. Modeling of Memory Element with Account of discrete State of MOS Transistors Floating Gate ........................................................................................ 586 Zhadnov V.V., Ivanov I.A., Korolev P.S., Polesskiy S.N. Estimation of specified operating life of fiber cables taking into account operation conditions .......................................... 589 537 492 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016
Стр.4