774.2 Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС А.В. <...> Романов2 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2ОАО «Ангстрем» (г. Москва) Increasing Breakdown Voltage of N-MOS Transistors for Radiation-Resistant CMOS LSI A.V. <...> Romanov2 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2JSC «Angstrem», Moscow Для повышения рабочего диапазона функционирования КМОП БИС, выполненных по радиационно стойкой технологии КНС, требуется повышение пробивных напряжений n-канальных МОП-транзисторов. <...> Представлены результаты модернизации конструкции и технологического маршрута формирования n-МОПтранзисторов с улучшенным пробивным напряжением, полученные средствами приборно-технологического моделирования TCAD Synopsys. <...> Ключевые слова: кремний на изоляторе; кремний на сапфире; LDD-области; пробивное напряжение; приборно-технологическое моделирование; TCAD Synopsys. <...> To increase the functioning operating range of CMOS LSI, designed according to the radiation-resistant technology SOS, an increase of the breakdown voltages pf the Nchannel MOS transistors is required. <...> The results of the construction modernization and that one of the technological route of formation of N-MOS transistors with an improved breakdown voltage, obtained by means of the device-technological modeling TCAD Synopsys, have been presented. <...> Keywords: silicon-on-insulator (SOI); silicon on sapphire (SOS); LDD (Lightly Doped Drain); the breakdown voltage; device-technological modeling; TCAD Synopsys. <...> Наиболее распространенной конструкцией МОП-транзистора в полупроводниковой промышленности является структура LDD. <...> Ее особенность – наличие мелких слаболегированных областей, удлиняющих области истока и стока в сторону канала. <...> Концентрацию легирующей примеси в этих областях (фосфор и бор) и режим ее разгонки выбирают таким образом, чтобы получить плавный p–n-переход. <...> Полученное таким способом снижение значения напряженности электрического поля в канале на границе со стоком уменьшает энергию горячих электронов, вызывающих долговременную деградацию параметров транзистора. <...> Слаболегированные LDD-области также повышают напряжение прокола, инжекционного и лавинного пробоя транзистора, уменьшают DIBL-эффект и эффект модуляции длины канала [1]. <...> ЭЛЕКТРОНИКА <...>