УДК 004.076.4 Моделирование элемента памяти с учетом дискретного зарядового состояния плавающего затвора МОП-транзистора С.С. <...> Карташёв, В.В. Лосев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Modeling of Memory Element with Account of Discrete State of MOS Transistor Floating Gate S.S. <...> Losev National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрены основные варианты моделирования транзисторов с плавающим затвором. <...> Представлен новый метод моделирования транзистора с плавающим затвором, учитывающий дискретный спектр состояния заряда на плавающем затворе. <...> Метод позволяет сократить время моделирования, снизить требования к ресурсам (библиотекам и средствам проектирования) и обеспечивает компромиссную точность расчета. <...> The main variants of simulation transistors with a floating gate have been reviewed. <...> A new method for modeling the analog transistor with a floating gate, taking into account a discrete spectrum of the charge state on the floating gate has been presented. <...> Основным элементом современной энергонезависимой памяти является транзистор с плавающим затвором. <...> Методы моделирования данного транзистора – важная техническая задача при разработке flash-памяти NOR-типа [1]. <...> Актуальность настоящей работы обусловлена появлением в России нанометровой технологии изготовления интегральных микросхем, а также активным развитием производства ПЛИС и микроконтроллеров, в которых массивы транзисторов с плавающим затвором используются в качестве конфигурационной памяти. <...> Транзистор с плавающим затвором представляет собой классический МОП-транзистор, дополненный еще одним слоем поликремния в затворе транзистора (плавающий затвор) и тонким слоем оксида. <...> При подаче достаточно высокого уровня напряжения (~12 В) на затвор транзистора тонкий слой оксида становится туннельно прозрачным, что позволяет заряженным частицам поступать на плавающий затвор. <...> Соответственно, наличием или отсутствием заряда на плавающем затворе определяется состояние транзистора в качестве ячейки памяти (логический «ноль» и логическая «единица»). <...> Основная причина потери работоспособности <...>