МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.372.852.5 Влияние структурного совершенства слоев квантовых ям гетероструктур на основе нитрида галлия на их излучательные характеристики Е. <...> Г. Ермошин2 1Физико-технологический институт Московского технологического университета 2ЗАО «Элма-Малахит» (г. Москва) Impact of Structural Perfection of Layers of Quantum Wells of Heterostructures Based on Gallium Nitride on Their Radiative Characteristics E.N.Vigdorovich1, I.G.Ermoshin2 1Physics and Technology Institute of Moscow Technological University, Moscow 2SO «Elma-Malakhit» (Moscow) Приведены результаты исследования структурного совершенства слоев гетероструктуры GaN/GaInN/Al2O3 и влияния их дефектности на характеристики излучателя на их основе. <...> Для определения дефектности слоев использован метод рентгеновской дифрактометрии. <...> Разработаны новая методика и устройство на основе фотодиода ФД-24К для определения квантового выхода. <...> Основным методом получения нитрида галлия (GaN) на сапфире (Al2O3) в настоящее время является эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОС-гидридная эпитаксия) [1]. <...> При высоком пересыщении и в момент перехода к автоэпитаксии, резко уменьшая пересыщение в системе, переходят на условия более совершенного двумерного зародышеобразования. <...> После этого проводят эпитаксию активных областей гетероструктуры (барьеров, квантовых ям, гетеропереходов, подконтактных областей). <...> Принцип контроля роста основан на отражении света от подложки. <...> В зависимости от состояния отражающего слоя (температуры, морфологии поверхности) изменяется его отражательная способность, а также интенсивность рефлекса для разных длин волн. <...> Система позволяет записывать значения интенсивностей отраженного сигнала для трех длин волн. <...> Так, по рефлексу длины волны 930 нм оценивается температура поверхности подложки, по осцилляции сигнала отражения для длины волны 600 нм можно определять скорость роста. <...> 1. приведена рефлектограмма, на которой представлены все фазы формирования гетероструктуры при МОС-гидридной эпитаксии <...>