УДК 53.083.8:53.089.5;539.1.074 Исследование механизмов образования и переноса поверхностных молекулярных загрязнений Е.А. Севрюкова Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Investigation of Mechanisms of Formation and Transport of Surface Molecular Contamination E.A. <...> Sevryukova National Research University of Electronic Technology, Moscow Исследована кинетическая модель формирования поверхностных молекулярных загрязнений в результате двумерного зародышеобразования. <...> Получены решения для описания структурных характеристик растущих загрязнений через физические константы системы и параметров процесса роста в чистых помещениях индустрии высоких технологий. <...> Для контроля эксплуатационных характеристик многофункциональных блоков с требуемыми параметрами, применяемых в чистых помещениях микро- и оптоэлектроники, аэрокосмической отрасли и других сферах индустрии высоких технологий, необходимо развитие детальной кинетической теории формирования и переноса поверхностных молекулярных загрязнений (ПМЗ). <...> При исследовании коагуляции агломератов используется геометрико-вероятностная модель кристаллизации Колмогорова [1], применяемая в случае двумерного роста [2–4]. <...> Теория полислойного роста ПМЗ базируется на модели кристаллизации, описанной в [5], и ее обобщениях [6]. <...> Механизм формирования ПМЗ изучен с помощью компьютерного моделирования [7,8]. <...> Цель настоящей работы разработка кинетической модели формирования и роста ПМЗ, осаждаемых на поверхность твердого тела из газообразной фазы, позволяющая получить аппроксимации для структурных характеристик агломератов. <...> Температура поверхности изделия T и скорость осаждения загрязняющих веществ V являются необходимыми условиями формирования ПМЗ. <...> Скорость осаждения на поверхность изделия измеряется в единицах монослоя в секунду. <...> Тогда VS = J, где σ – площадь, занимаемая атомом на поверхности, J – поток атомов, направленный на поверхность. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 6 2016 543 Е.А. Севрюкова ПМЗ характеризуются такими параметрами <...>