Силовая электроника, № 3’2016 Силовая элементная база Силовые SiC-приборы в транспортных применениях Впервые SiCкомпоненты были применены в источниках питания телекоммуникационного оборудования, светодиодах и преобразователях для индукционного нагрева. <...> Спустя некоторое время карбидокремниевые ключи проникли в инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания (UPS), приводы и в авиационную технику. <...> Совсем недавно силовые SiCприборы нашли свое применение в производстве автомобилей в качестве компонентов встроенных и внешних зарядных устройств, а также как компоненты источников питания в электрических (EV) и гибридных (HEVs) транспортных средствах. <...> Джеффри Касади (Jeffrey B. Casady) Перевод: Евгений Карташов Валерия Смирнова cree@macrogroup.ru П риборы на основе карбида кремния стали проникать на многие рынки, с тех пор как появились первые SiC-диоды в 2001 г. и SiC силовые модули в 2012 г. [1–4]. <...> Теперь впервые SiC MOSFET транзисторы с напряжением 900 В рассматриваются в качестве силовых ключей для применения в инверторах электрической и гибридной трансмиссии, а также в повышающих преобразователях. <...> SiCдиоды В трансмиссии современных электрических и гибридных автомобилей используются силовые полупроводники, имеющие диапазон рабочих напряжений 600–900 В. <...> Компания Cree производит более 70 типов диодов с номинальным напряжением 600–1700 В и током 1–50 А в различных корпусах: с выводами под сквозные отверстия, для поверхностного монтажа, а также в виде кристаллов. SiC-диоды на ряду с ней выпускают и другие производители. <...> Компания Cree поставляет разработанные ее специалистами SiC-диоды с напряжением 650 и 1200 В для распределенных встроенных и внешних зарядных устройств, используемых в коммерческих автомобильных приложениях. <...> С помощью карбидокремниевых компонентов разработчики могут существенно повысить плотность мощности и снизить тепловыделение до уровня, недостижимого для кремниевых приборов. <...> Более чем 13 лет опыта эксплуатации <...>