95–99 УДК 539.1 ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ В ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКА МЕТОДАМИ РЕНТГЕНОФЛУОРЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА И ЭЛЛИПСОМЕТРИИ © 2017 г. Ш. А. Калмыков Кабардино-Балкарский государственный университет им. <...> Х.М. Бербекова 360004 Нальчик, Россия E-mail: shagir@kbsu.ru Поступила в редакцию 17.05.2016 г. Разработан метод определения распределения по глубине ионно-имплантированных атомов примеси в полупроводниках. <...> Метод заключается в измерении концентрации примеси рентгенофлуоресцентным анализом при эллипсометрически контролируемом удалении тонких слоев полупроводника. <...> Обнаружено, что длительное облучение низкоэнергетическим рентгеновским излучением ионно-имплантированного слоя полупроводника приводит к изменению профиля распределения ионно-внедренных атомов примеси. <...> Ключевые слова: ионная имплантация, рентгенофлуоресцентный анализ, профиль распределения атомов, глубина проникновения, анодное окисление, эллипсометрия. <...> DOI: 10.7868/S020735281703009X ВВЕДЕНИЕ Ионная имплантация давно стала традиционным и высокоэффективным способом управления свойствами полупроводников, что, в свою очередь, обеспечило быстрый прогресс полупроводниковой электроники и микроэлектроники [1]. <...> В настоящее время ионная имплантация – основной технологический прием создания интегральных микросхем и других полупроводниковых приборов. <...> Наиболее распространенным применением ионной имплантации является процесс ионного легирования кремния в технологии формирования СБИС. <...> Достижение необходимого профиля распределения примеси для получения нужных микро- и наноструктур осуществляется либо управлением параметрами процесса ионного легирования, либо послеимплантационной обработкой имплантированного слоя полупроводника различными внешними воздействиями (термический и лазерный отжиги, облучение электронами и протонами и т.д.) <...> . В связи с этим поиск новых способов определения профиля распределения примеси <...>