80 УДК 621.315.5 Химико-механическая обработка поверхности теллурида кадмия-цинка с использованием травителя на основе серной кислоты А. В. Погожева, С. В. Головин, М. Р. Лакманова, Э. Ф. Захаров, А. С. Кашуба Приведены результаты исследования характеристик поверхности теллурида кадмия-цинка ориентации {111} после химико-механической полировки с использованием полирующего травителя на основе серной кислоты. <...> Наличие полирующего эффекта травления устанавливалось наблюдением поверхности образцов после химико-механической полировки с помощью атомно-силовой микроскопии (АСМ) и профилометров. <...> Шероховатость профилей поверхности определялись при помощи анализа АСМ изображений и профилограмм. <...> Введение Монокристаллический теллурид кадмияцинка (CdуZn1-уTe, КЦТ) — полупроводниковый материал, широко применяемый в качестве подложек при эпитаксиальном выращивании теллурида кадмия-ртути (CdXHg1-хTe, КРТ) — основного материала для изготовления матричных фотоприемников (МФП) ИК-диапазона. <...> В МФП регистрируемое ИК-излучение направляется на матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) со стороны подложки CdZnTe [1]. <...> Необходимость стыковки МФЧЭ с кремниевым мультиплексором, которая проводится при помощи холодной сварки индиевых микроконтактов под давлением, также требует ровной и бездефектной поверхности тыла структур. <...> По указанным причинам в производственный маршрут изготовления МФЧЭ на основе эпиПогожева Анна Владимировна, инженер 2 кат. <...> E-mail: apogozheva87@gmail.com Статья поступила в редакцию 21 июля 2015 г. © Погожева А. В., Головин С. В., Лакманова М. Р., Захаров Э. Ф., Кашуба А. С., 2015 таксиальных структур CdxHg1-xTe/CdZnTe [1] вводятся операции по обработке обратной стороны подложки перед нанесением АОП. <...> Одним из вариантов обработки является механическая полировка с последующим химическим травлением в полирующем бромистом травителе. <...> Другой вариант заключается в химико-механической полировке в слабом бромсодержащем травителе [4]. <...> Недостатком <...>