ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
2014, № 5
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
Основан в 1994 г.
С О Д Е Р Ж А Н И Е
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Войцеховский А. В., Горн Д. И. Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами .................................................... 5
Роках А. Г., Шишкин М. И., Вениг С. Б., Матасов М. Д., Аткин В. С. Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и
вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках .................................................................................................................. 11
Логунов М. В., Неверов В. А., Мамин Б. Ф. Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом
малоуглового рентгеновского рассеяния ........................................................................................................................................ 15
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Пляка П. С., Алихаджиев С. Х., Толмачев Г. Н. Исследование пылевых частиц, образующихся при распылении сложного
оксида в кислородном высокочастотном разряде ...................................................................................................................... 19
ЭЛЕКТРОННЫЕ, ИОННЫЕ И ЛАЗЕРНЫЕ ПУЧКИ
Кулиш В. В., Лысенко А. В., Алексеенко Г. А., Коваль В. В., Ромбовский М. Ю. Супергетеродинные плазменно-пучковые
ЛСЭ с винтовыми электронными пучками ..................................................................................................................................... 24
Крылов В. И., Хомяков В. В. Тормозное излучение электронов, проходящих через многослойную структуру кулоновых
центров и ускоряемых электрическим полем ................................................................................................................................. 29
Чебан А. Ю., Хрунина Н. П., Леоненко Н. А. Результаты экспериментальных исследований по резанию карбонатных
горных пород мощным лазерным излучением ............................................................................................................................... 34
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Холоднов В. А., Бурлаков И. Д., Другова А. А. Аналитический подход к выбору оптимальной структуры лавинных гетерофотодиодов
на основе прямозонных полупроводников ............................................................................................................ 38
Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников
и солнечных элементов с квантовыми точками ........................................................................................................ 45
Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов Е. А. Вольтамперные характеристики фотодиодов
матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP ..................................... 50
Балиев Д. Л., Лазарев П. С., Болтарь К. О. Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата
320×256 на основе InGaAs ....................................................................................................................................................... 54
Роках А. Г., Шишкин М. И., Скапцов А. А., Пузыня В. А. О возможности плазменного резонанса в пленках CdS-PbS в
средней инфракрасной области спектра .......................................................................................................................................... 58
Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И. Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической
эллипсометрии ....................................................................................................................................................... 61
Кашуба А. С., Пермикина Е. В., Головин С. В. Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе
после полирующего травления ........................................................................................................................................................ 67
Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И. Исследование условий выращивания
монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену ........................ 72
Мадатов Р. С., Алекперов А. С., Гасанов О. М., Байрамов Р. Б. Влияние атомов примеси Sm и гамма-излучения на
спектры фотопроводимости слоистых монокристаллов GeS ........................................................................................................ 76
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА И ЕЁ ЭЛЕМЕНТЫ
Бедарева Е. А., Горелик Л. И., Колесова А. А., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Шкетов А. И. Светосильный двухдиапазонный
инфракрасный объектив .................................................................................................................................................. 80
Тиранов Д. Т., Гусева А. А., Филиппов В. Л. Моделирование полей яркости объектов на фоне разорванной облачности
атмосферы при наблюдении из нижней полусферы....................................................................................................................... 85
ИНФОРМАЦИЯ
Правила для авторов журнала «Прикладная физика» .............................................................................................................. 88
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике .................................................................................................................. 90
Бланк-заказ для подписки ............................................................................................................................................................... 92
Москва
Стр.1
Учредители журнала:
Федеральное государственное унитарное предприятие
"Всероссийский научно-исследовательский институт межотраслевой информации —
федеральный информационно-аналитический центр оборонной промышленности" (ФГУП "ВИМИ")
Государственный научный центр Российской Федерации —
Открытое акционерное общество
«Научно-производственное объединение "Орион"» (ОАО «НПО "Орион"»)
Межрегиональная общественная организация
«Московское физическое общество» (МОО «МФО»)
Журнал зарегистрирован в Роскомпечати. Регистрационный № 018354
Международный стандартный сериальный номер ISSN 1996-0948
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А.М. Филачёв, д.т.н., член-корреспондент РАН, профессор
Редакционная коллегия
А.Ф. Александров, д.ф.-м.н., профессор
С.Н. Андреев, к.ф.-м.н.
В.И. Баринов, к.ф.-м.н., доцент (зам. гл. ред.)
А.С. Бугаев, д.ф.-м.н., академик РАН, профессор
Л.М. Василяк, д.ф.-м.н., профессор (зам. гл. ред.)
И.С. Гайдукова, к.т.н., (отв. секретарь)
В.А. Иванов, к.ф.-м.н., доцент
В.И. Конов, д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН
Ю.А. Лебедев, д.ф.-м.н.
М.Л. Лямшев, к.ф.-м.н.
Ю.К. Пожела, д.ф.-м.н., академик РАН
В.П. Пономаренко, д.ф.-м.н., профессор
А.А. Рухадзе, д.ф.-м.н., профессор
М.А. Тришенков, д.ф.-м.н., профессор
Г.М. Фрайман, д.ф.-м.н.
В.Ю. Хомич, д.ф.-м.н., академик РАН
В.А. Ямщиков, д.т.н.
Адрес редакции журнала "Прикладная физика":
111123, Москва, шоссе Энтузиастов, д. 46/2,
ОАО «НПО «Орион».
Телефон: 8 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Подписано в печать 20.10.2014.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 10,7. Уч.-изд. л. 11,5
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии Издателя журнала
Адрес: 119991, Москва, Ленинский проспект, 53
Издатель журнала —
ООО «Издательский дом МФО»,
119991, Москва, Ленинский проспект, 53.
Подписной индекс в Объединенном Каталоге
«Пресса России» — 40779
© Редколлегия журнала "Прикладная физика",
составление, 2014
Стр.2
PRIKLADNAYA FIZIKA
(APPLIED PHYSICS)
2014, No. 5
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
Founded in 1994
C O N T E N T S
GENERAL PHYSICS
A. V. Voitsekhovskii and D. I. Gorn Laser generation in the structures with CdHgTe quantum wells ................................................ 5
A. G. Rokakh, M. I. Shishkin, S. B. Venig, M. D. Matasov, and V. S. Atkin Analogies between exoelectroniс photoemission and
secondary ionic photoeffect in semiconductors ................................................................................................................................... 11
M. V. Logunov, V. A. Neverov, and B. F. Mamin Investigation of structural inhomogeneity of silicon carbide by the low-angle
X-ray scattering method ...................................................................................................................................................................... 15
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
P. S. Plyaka, S. H. Alikhadjiev, and G. N. Tolmachev Investigation of dust particles, forming by complex oxide sputtering in
oxygen radiofrequency discharge ........................................................................................................................................................ 19
ELECTRON, ION, AND LASER BEAMS
V. V. Kulish, A. V. Lysenko, G. A. Oleksiienko, V. V. Koval, and M. Yu. Rombovsky Plasma-beam superheterodyne FELs with
helical electron beams ......................................................................................................................................................................... 24
V. I. Krylov and V. V. Khomyakov Bremsstrahlung of electrons passing through the multilayer structure of Coulomb centers and
accelerated by a homogeneous electric field ....................................................................................................................................... 29
A. Y. Cheban, N. P. Khrunina, and N. A. Leonenko Improvement of technology of continuous extraction of rocks with the use of
laser radiation ...................................................................................................................................................................................... 34
PHOTOELECTRONICS
V. A. Kholodnov, I. D. Burlakov, and A. A. Drugova Analytical approach to the selection of the optimal structure of avalanche
heterophotodiodes on the basis of direct bandgap semiconductors ..................................................................................................... 38
A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko, and K. A. Lozovoy Optimization of growth conditions for improvement of parameters
of photoreceivers and solar cells with quantum dots ........................................................................................................................... 45
V. M. Akimov, D. S. Andreev, S. S. Demidov, N. A. Irodov, and E. A. Klimanov The current-voltage characteristics of photodiodes
of the planar type FPA based on p-InP/InGaAs/n-InP structure ................................................................................................. 50
D. L. Baliev, P. S. Lazarev, and K. O. Boltar Research of main photoelectric characteristics of the 320 256 InGaAs FPA’s .......... 54
A. G. Rokakh, M. I. Shishkin, A. A. Skaptsov, and V. A. Puzynya On the possibility of the plasma resonance in CdS-PbS films in
the middle infrared region ................................................................................................................................................................... 58
P. S. Skrebneva, I. D. Burlakov, and N. I. Iakovleva Investigation of the heteroepitaxial CdHgTe structures by spectroscopic
ellipsometry ......................................................................................................................................................................................... 61
A. S. Kashuba, E. V. Permikina, and S. V. Golovin Investigation of the surfaces of CdхHg1-хTe epitaxial heterostructures after
etching ................................................................................................................................................................................................. 67
M. B. Grishechkin, I. A. Denisov, A. A. Silina, N. A. Smirnova, and N. I. Shmatov Investigation of growing conditions of
Cd1-xZnxTe single crystals (x 0,04) by the vertical directed сrystallization (Bridgman) method ...................................................... 72
R. S. Madatov, A. C. Alekbarov, O. M. Hasanov, and R. B. Bayramov Influence of the Sm atom impurity and gamma irradiation
on photoconductivity spectrum of layered GeS monocrystals ............................................................................................................. 76
PHYSICAL APPARATUS AND ITS ELEMENTS
E. A. Bedareva, L. I. Gorelik, A. A. Kolesova, A. V. Polesskiy, N. A. Semenchenko, A. I. Shketov High-aperture dual-band infrared
lens ................................................................................................................................................................................................ 80
D. T. Tiranov, A. A. Guseva, and V. L. Philippov Modeling objects brightness fields against the background of the broken cloud
cover of atmosphere at observing from a lower hemisphere ............................................................................................................... 85
INFORMATION
Rules for authors ................................................................................................................................................................................ 88
Three Volumes on Photoelectronics .................................................................................................................................................. 90
Subscription ........................................................................................................................................................................................ 92
Moscow
Стр.3
Founders of the Journal:
All-Russian Research Institute for Inter-Industry Information —
a Federal Informational and Analytical Center of the Defense Industry, a Federal State Unitary Enterprise
(VIMI FSUE)
Orion Research-and-Production Association,
a State Scientific Center of the Russian Federation
(Orion R&P Association, Inc.)
Moscow Physical Society
The bi-monthly journal
ISSN 1996-0948
Editor-in-Chief
А.М. Filachev,
D.Sc., Corresponding Member of the RAS, Professor
Editorial Board
A.F. Aleksandrov, D.Sc., Professor.
S.N. Andreev, Ph.D.
V.I. Barinov, Ph.D., Associate Professor (Deputy Editor-inChief).
A.S.
Bugaev, D.Sc., Academician of the RAS, Professor.
G.M. Fraiman, D.Sc.
I.S. Gayidukova, Ph.D. (Executive Secretary).
V.A. Ivanov, Ph.D., Associate Professor
V. A. Yamshchikov, D. Sc.
Yu.A. Lebedev, D.Sc.
M.L. Lyamshev, Ph.D.
V.Yu. Khomich, D.Sc., Academician of the RAS.
V.I. Konov, D.Sc., Corresponding Member of the RAS.
Yu.K. Pojela, D.Sc., Academician of the RAS.
V.P. Ponomarenko, D.Sc., Professor.
A.A. Rukhadze, D.Sc., Professor.
M.A. Trishenkov, D.Sc., Professor.
L.M. Vasilyak, D.Sc., Professor, (Deputy Editor-inChief)
Address
of the Editorial Staff:
Orion R&P Association,
46/2 Enthusiasts highway, Moscow, 111123, Russia
Phone: +7 (499) 374-82-40
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: applphys.orion-ir.ru
Стр.4