Прикладная физика, 2014, № 5 УДК 621.383.4 Аналогии между экзоэлектронной фотоэмиссией и вторично-ионным фотоэффектом в полупроводниках А. Г. Роках, М. И. Шишкин, С. Б. Вениг, М. Д. Матасов, В. С. Аткин Ранее нами было показано, что увеличение выхода вторичных ионов из полупроводника при подсветке связано с раскачкой кристаллической решетки за счет энергии рекомбинирующих электронно-дырочных пар в узкозонной фазе. <...> Применение подобных рассуждений к электронному газу в полупроводниках наводит на мысль о возможности туннельной фотоэмиссии электронов под действием плазменного резонанса в ближней и средней инфракрасной области спектра. <...> Необходимый рельеф поверхности может быть обеспечен в гетерофазных радиационно-стойких пленках типа CdS-PbS. <...> Fs, 78.70.-g, 79.75.+g Ключевые слова: вторично-ионный фотоэффект, гетерофазный пленочный полупроводник типа CdS-PbS, туннельная электронная фотоэмиссия, плазменный резонанс, характеристические потери электронов. <...> Введение В последние годы [1] понятие фотоэффекта, который был ранее связан исключительно с электронными явлениями, пополнилось понятием ионный (вторично-ионный) фотоэффект [2]. <...> Механизм этого явления, представляющего собой подавление или усиление с помощью освещения экзоионной эмиссии, обусловлен электронными процессами в мишени. <...> В этой статье предлагается дальнейшее расширение понятия «фотоэффект» в среднем инфракрасном (ИК) диапазоне путем включения в арсенал актуальных процессов явления плазменного резонанса в полупроводниках. <...> Поверхность пленки типа CdS-PbS Величина возможной электронной экзоэмиссии на исследуемых пленках CdS-PbS зависит от рельефа поверхности, сведения о котором дают исследования на электронном микроскопе. <...> 1, а, сделанной во вторичных электронах, узкозонная фаза выглядит светлее фона, поскольку в ее состав входит более тяжелый элемент (свинец), который уменьшает Роках Александр Григорьевич, профессор. <...> E-mail: rokakhag@mail.ru Статья поступила в редакцию <...>