Прикладная физика, 2014, № 5 УДК 621.31:535.215 Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой Анализируются возможности создания фоточувствительных структур с квантовыми точками Ge/Si для оптоэлектроники. <...> Даются рекомендации по условиям роста, необходимым для получения максимальных обнаружительной способности фотоприемников и КПД солнечных элементов на квантовых точках. <...> Показано, что для достижения оптимальных характеристик фотоприемников следует выращивать квантовые точки при достаточно высоких температурах, а для увеличения коэффициента преобразования солнечных элементов при относительно низких температурах роста. <...> Введение В последние годы исследователи проявляют очень большой интерес к созданию различных оптоэлектронных устройств на основе материала с квантовыми точками германия в кремнии [1—7]. <...> Такими приборами могут быть фотоприемники инфракрасного диапазона и солнечные элементы. <...> К преимуществам данной материальной системы можно отнести продление спектрального отклика в инфракрасную область по сравнению с чистым кремнием, относительную дешевизну, безвредность для здоровья человека, работу в широком температурном интервале и совместимость с высокоразвитой технологией кремниевых интегральных микросхем. <...> Столь высокий интерес к наногетероструктурам с квантовыми точками германия на кремнии обусловлен рядом уникальных свойств, характеризующих подобного рода структуры. <...> К этим свойствам можно отнести увеличение времени жизни носителей из-за уменьшения рассеяния на фононах, снижение скорости тепловой генерации, поВойцеховский Александр Васильевич, профессор, зав. кафедрой. <...> E-mail: vav43@mail.tsu.ru Статья поступила в редакцию 18 августа 2014 г. © Войцеховский А. В., Коханенко А. П., Лозовой К. А., 2014 явление так называемой промежуточной зоны, чувствительность к нормально падающему <...>