Прикладная физика, 2014, № 5 УДК 621.383.4/5 Исследование гетероэпитаксиальных структур CdHgTe методом спектроскопической эллипсометрии П. С. Скребнева, И. Д. Бурлаков, Н. И. Яковлева Исследуются возможности метода спектроскопической эллипсометрии как бесконтактного метода изучения важнейших параметров полупроводниковых гетероструктур с наноразмерными слоями. <...> Методом неразрушающей спектроскопической эллипсометрии определен состав, толщина, коэффициент преломления рабочих и вспомогательных слоев гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии. <...> Введение Для промышленного производства матричных фотоприемных устройств (ФПУ) наиболее перспективным исходным материалом являются гетероэпитаксиальные структуры (ГЭС) тройного соединения кадмий-ртуть-теллур (КРТ), выращиваемые методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [1—4]. <...> Этот метод позволяет получать структуры большого диаметра с задаваемыми в процессе роста свойствами слоев, хорошей морфологией и плоскостностью поверхности, максимально пригодной для дальнейших технологических операций [5—8]. <...> Эпитаксиальный слой фоточувствительного материала КРТ выращивается на оптически прозрачной в рабочем спектральном диапазоне подложке. <...> Конструкция фотодиодной матрицы такова, что детектируемое фотодиодами излучение, вводится через подложку. <...> Метод МЛЭ к настоящему времени активно вытесняет остальные методы выращивания эпитаксиальных структур КРТ, что отмечается в маркетинговых исследованиях [9]. <...> Основными преимуществами метода МЛЭ, обеспечившими выход этого метода на лидирующие позиции, являются: Скребнева Полина Станиславовна, инженер НИЦ1. <...> Статья поступила в редакцию 11 августа 2014 г. © Скребнева П. С., Бурлаков И. Д., Яковлева Н. И., 2014 возможность выращивания слоев КРТ как на совместимой по параметру кристаллической решетки подложке, так и на альтернативных подложках со значительным рассогласованием <...>