Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 570285)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки  / №1 2007

Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si (90,00 руб.)

0   0
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц11
ID269732
АннотацияИсследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (=8 нм) пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x], сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO[2]/Si и HfO[2] + SiO[2]/Si, от состава пленок x. Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. Шероховатость поверхности пленок составила для Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x]0, 23+[-]0, 05 нм и 0, 49+х[-]0, 5 нм, соответственно, и не зависела от x. Работа выхода в слоях Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] варьировалась в пределах 4, 9-5, 0 эВ и 4, 3-4, 8 эВ, соответственно, в зависимости от x. Удельное сопротивление пленок Hf[x]Si[1-x] и Ni[x]Si[1-x] изменяется в пределах (4Х10{-5}) - (2Х10{-3}) Ом {. } см и (5Х10{-6}) - (3Х10{-5}) Ом {. } см, соответственно, в зависимости от x.
УДК539.2
ББК22.37
Электрофизические свойства пленок Ni[x]Si[1-x] и Hf[x]Si[1-x] на подложках HfO[2]/Si и SiO[2]/Si // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2007 .— №1 .— С. 89-99 .— URL: https://rucont.ru/efd/269732 (дата обращения: 25.09.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

* И HfxSi1–x НА ПОДЛОЖКАХ HfO2/Si И SiO2/Si Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (8 нм) пленок HfxSi1–x и NixSi1–x, сформированных методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО) на подложках SiO2/Si и HfO2+SiO2/Si, от состава пленок x. <...> Электронографические исследования показали, что сформированные пленки являются аморфными. <...> Шероховатость поверхности пленок составила для NixSi1–x и HfxSi1–x 0,23±0,05 нм и 0,49±0,05 нм, соответственно, и не зависела от х. <...> Работа выхода в слоях NixSi1–x и HfxSi1–x варьировалась в пределах 4,9–5,0 эВ и 4,3–4,8 эВ, соответственно, в зависимости от х. <...> Проведенные исследования показали, что пленки HfxSi1–x и NixSi1–x являются перспективными для использования в качестве материалов затворов МОП-транзисторов в интегральных схемах нового поколения. <...> Введение В настоящее время совершенствование приборов микроэлектроники, в частности увеличение быстродействия логических элементов интегральных схем (ИС) и степени интеграции ИС, достигается за счет уменьшения характерных размеров активных элементов ИС [1]. <...> Однако миниатюризация ИС на базе комплиментарных полевых транзисторов типа металл–оксид–полупроводник (КМОП) привела к тому, что традиционная технология формирования КМОП-структур в ближайшее время достигнет фундаментального предела. <...> В частности эквивалентная толщина подзатворного диэлектрика в ближайшем будущем уменьшится до 1 нм [2], что возможно только при замене используемого сегодня оксинитрида кремния на материалы с более высокой диэлектрической проницаемостью (так называемые high-k диэлектрики) [3]. <...> Вместе с тем, в силу ряда причин, рассматриваемых ниже, встает вопрос о приемлемости использования поликристаллического (сильнолегированного) кремния в качестве материала затвора КМОП-транзистора. <...> К их потенциальным преимуществам относятся <...>