Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 573497)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки  / №1 2007

Исследование зависимости морфологии самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста (90,00 руб.)

0   0
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц9
ID269730
АннотацияМетодом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на воздухе исследована зависимость параметров морфологии поверхностных нанокластеров GeSi/Si (001) (размеры, форма, поверхностная плотность, однородность по размерам и пр. ), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeH[4], от параметров технологического процесса выращивания структур (температура подложки, парциальное давление GeH[4] в ростовой камере, время роста). Установлено, что закономерности трансформации морфологии кластеров с увеличением количества осажденного Ge отличаются от таковых для традиционной МЛЭ. Нанокластеры, выращенные в определенных условиях, характеризуются би- и тримодальным распределением по размерам. Определены условия роста, обеспечивающие получение однородных массивов кластеров с заданными геометрическими параметрами.
УДК539.2
ББК22.37
Исследование зависимости морфологии самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], от условий роста // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2007 .— №1 .— С. 71-79 .— URL: https://rucont.ru/efd/269730 (дата обращения: 06.12.2021)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МОРФОЛОГИИ САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНОКЛАСТЕРОВ GeSi/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ GeH4, <...> * ОТ УСЛОВИЙ РОСТА Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на воздухе исследована зависимость параметров морфологии поверхностных нанокластеров GeSi/Si(001) (размеры, форма, поверхностная плотность, однородность по размерам и пр.), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeH4, от параметров технологического процесса выращивания структур (температура подложки, парциальное давление GeH4 в ростовой камере, время роста). <...> Установлено, что закономерности трансформации морфологии кластеров с увеличением количества осажденного Ge отличаются от таковых для традиционной МЛЭ. <...> Нанокластеры, выращенные в определенных условиях, характеризуются би- и тримодальным распределением по размерам. <...> Определены условия роста, обеспечивающие получение однородных массивов кластеров с заданными геометрическими параметрами. <...> Введение Гетероструктуры с нанокластерами GeSi/Si, получаемыми методом самоформирования, являлись в последние 15 лет объектами интенсивных исследований и разработок в физике и технологии полупроводников [1]. <...> Другое важное направление исследований – фотопроводимость GeSi структур в области энергий световых квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si, связано с расширением спектрального диапазона фотоприемников на основе Si в инфракрасную область [3]. <...> Обычно нанокластеры GeSi получают методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [4]. <...> Менее широко используются методы газофазной эпитаксии и МЛЭ с использованием металлоорганических источников [5]. <...> В данной работе исследованы гетероструктуры с нанокластерами GeSi/Si(001), выращенные методом сублимационной МЛЭ (СМЛЭ) в среде GeH4 [6]. <...> В этом методе слои Si осаждаются из сублимационного источника, а для осаждения Ge в ростовую <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически