В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МОРФОЛОГИИ
САМОФОРМИРУЮЩИХСЯ НАНОКЛАСТЕРОВ GeSi/Si,
ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ
МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В СРЕДЕ GeH4, <...> *
ОТ УСЛОВИЙ РОСТА
Методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) на воздухе исследована
зависимость параметров морфологии поверхностных нанокластеров
GeSi/Si(001) (размеры, форма, поверхностная плотность, однородность по размерам и пр.), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой
эпитаксии (СМЛЭ) в среде GeH4, от параметров технологического процесса
выращивания структур (температура подложки, парциальное давление GeH4 в
ростовой камере, время роста). <...> Установлено, что закономерности трансформации морфологии кластеров с увеличением количества осажденного Ge отличаются от таковых для традиционной МЛЭ. <...> Нанокластеры, выращенные в определенных условиях, характеризуются би- и тримодальным распределением
по размерам. <...> Определены условия роста, обеспечивающие получение однородных массивов кластеров с заданными геометрическими параметрами. <...> Введение
Гетероструктуры с нанокластерами GeSi/Si, получаемыми методом самоформирования, являлись в последние 15 лет объектами интенсивных исследований и разработок в физике и технологии полупроводников [1]. <...> Другое важное направление исследований – фотопроводимость GeSi структур в области энергий световых квантов, меньших
ширины запрещенной зоны Si, связано с расширением спектрального диапазона фотоприемников на основе Si в инфракрасную область [3]. <...> Обычно нанокластеры GeSi получают методом молекулярно-лучевой
эпитаксии (МЛЭ) [4]. <...> Менее широко используются методы газофазной эпитаксии и МЛЭ с использованием металлоорганических источников [5]. <...> В
данной работе исследованы гетероструктуры с нанокластерами GeSi/Si(001),
выращенные методом сублимационной МЛЭ (СМЛЭ) в среде GeH4 [6]. <...> В
этом методе слои Si осаждаются из сублимационного источника, а для осаждения Ge в ростовую <...>