Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология"  / №1 2011

Кинетика атомно-молекулярных реакций и концентрации нейтральных частиц в плазме HCI, его смесях с хлором и водородом (90,00 руб.)

0   0
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц4
ID267354
АннотацияРабота посвящена изучению механизмов физико-химических процессов, определяющих стационарные концентрации активных частиц плазмы и их потоки на обрабатываемую поверхность.
УДК544.4
ББК24.542
Кинетика атомно-молекулярных реакций и концентрации нейтральных частиц в плазме HCI, его смесях с хлором и водородом // Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология" .— 2011 .— №1 .— С. 36-39 .— URL: https://rucont.ru/efd/267354 (дата обращения: 27.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

XXIII Международная Чугаевская конференция по координационной химии. <...> УДК 537.525 А.М. Ефремов, В.И. Светцов, А.В. Юдина, С.С. Лемехов КИНЕТИКА АТОМНО-МОЛЕКУЛЯРНЫХ РЕАКЦИЙ И КОНЦЕНТРАЦИИ НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ В ПЛАЗМЕ HCL ЕГО СМЕСЯХ С ХЛОРОМ И ВОДОРОДОМ (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: efremov@isuct.ru Проведено исследование стационарного состава плазмы в смесях HCl/Cl2 и HCl/H2 переменного состава в условиях тлеющего разряда постоянного тока (р = 30–250 Па, ip=10-30 мА). <...> Найдено, что баланс нейтральных частиц в значительной степени формируется атомно-молекулярными процессами. <...> Показано, что добавки Cl2 или H2 к хлоровододороду до 20% не приводят к существенным изменениям электрофизических параметров плазмы, но вызывают неаддитивные изменения концентраций нейтральных частиц. <...> Ключевые слова: плазма, моделирование, диссоциация, скорость, концентрация ВВЕДЕНИЕ Низкотемпературная газоразрядная плазма хлорсодержащих газов нашла широкое применение в технологии микро- и наноэлектроники при проведении процессов «сухого» травления и очистки поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев [1, 2]. <...> Известно, что при разряде в HCl имеют место более низкие концентрации атомов хлора по сравнению с плазмой Cl2 [3, 4], что дает преимущество в анизотропии и селективности процесса при незначительной потере в скорости травления. <...> Кроме этого, плазма HCl позволяет получать полирующее травление GaAs за счет химических реакций атомов водорода [1, 5]. <...> Тем не менее, полноценное технологическое использование плазмы HCl затруднено недостаточной изученностью механизмов физикохимических процессов, определяющих стационарные концентрации активных частиц плазмы и их потоки на обрабатываемую поверхность. <...> От36 сутствие такой информации не обеспечивает оптимальных режимов проведения процессов травления и не определяет пути их оптимизации. <...> Целью данной работы является исследование скорости и механизмов процессов <...>