Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634757)
Контекстум
.
Светотехника  / №4 2009

Разработка эталонного инфракрасного излучателя с планарной структурой (143,00 руб.)

0   0
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц5
ID262960
АннотацияОжидается, что углеродные нанотрубки (УНТ), используемые в качестве поглотителей оптического излучения, будут обладать большим коэффициентом излучения в инфракрасной (ИК) области спектра. Это соответствует закону Кирхгофа и обусловлено тем, что благодаря своей обеспечивающей многократные отражения структуре они обладают высокой спектральной поглощающей способностью в видимой области. Кроме того, благодаря планарности излучателей с УНТ, можно ожидать что они будут иметь малые размеры, вес и энергопотребление и большую площадь. Задача данного исследования заключалась в разработке на основе УНТ эталонного ИК излучателя с планарной структурой. УНТ нагревали плоским нагревателем и исследовали как вторичный источник излучения. При предполагаемой температуре нагрева 200 оС измеренные в девяти точках поверхностные температуры лежали в пределах 200, 5 + 0, 5 оС. К тому же, спектральный коэффициент излучения в диапазоне длин волн от 4 до 10 мкм оказался равным 0, 92 + 0, 01. Это показывает, что новый излучатель имеет такие же присущие эталонным ИК излучателям характеристики как и ранее разработанный керамический цилиндрический излучатель на основе SiC. УНТ окисляются после нагрева до 250 оС на воздухе, и поэтому не подходит для измерений коэффициентов излучения с точностью 1 % на меньших 4 мкм длинах волн. На поверхность УНТ наносят золото. При толщине золотой пленки 100 нм не окисляется вся подложка иУНТ не окисляются при нагреве до 350 оС. При этом можно измерять коэффициенты излучения в диапазоне длин волн от 10 до 2, 5 мкм с точностью 1 %.
УДК621.32
ББК31.294
Разработка эталонного инфракрасного излучателя с планарной структурой // Светотехника .— 2009 .— №4 .— С. 47-51 .— URL: https://rucont.ru/efd/262960 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Разработка эталонного инфракрасного излучателя с планарной структурой ТАМАКИ ЙАДЖИ, СУНСУКЕ МИЦУМА1, ФУМИО ОТАНИ, ХИДЕКАЦУ УЧИДА, Ю ХАРАДА, ЮКИ ХАСЕГАВА Научно-техническая аспирантура Саитамского университета, Япония Аннотация 1 Ожидается, что углеродные нанотрубки (УНТ), используемые в качестве поглотителей оптического излучения, будут обладать большим коэффициентом излучения в инфракрасной (ИК) области спектра. <...> Это соответствует закону Кирхгофа и обусловлено тем, что благодаря своей обеспечивающей многократные отражения структуре они обладают высокой спектральной поглощающей способностью в видимой области. <...> Задача данного исследования заключалась в разработке на основе УНТ эталонного ИК излучателя с планарной структурой. <...> УНТ нагревали плоским нагревателем и исследовали как вторичный источник излучения. <...> При предполагаемой температуре нагрева 200 оС измеренные в девяти точках поверхностные температуры лежали в пределах 200,5 ± 0,5 оС. <...> К тому же, спектральный коэффициент излучения в диапазоне длин волн от 4 до 10 мкм оказался равным 0,92 ± 0,01. <...> Это показывает, что новый излучатель имеет такие же присущие эталонным ИК излучателям характеристики, как и ранее разработанный керамический цилиндрический излучатель на основе SiC. <...> УНТ окисляются после нагрева до 250 оС на воздухе, и поэтому не подходят для измерений коэффициентов излучения с точностью 1 % на меньших 4 мкм длинах волн. <...> При толщине золотой плёнки 100 нм не окисляется вся подлож1 По материалам доклада на 6-й Международной светотехнической конференции стран Тихоокеанского региона LUX PACIFICA 2009, 23–25 апреля 2009 г., Бангкок. <...> Ключевые слова: углеродные нанотрубки (УНТ), многократные отражения, планарная структура, эталонный ИК излучатель, ИК излучение, неокисляющееся покрытие. <...> Введение По мере непрерывного расширения применения инфракрасного (ИК) излучения возрастает и потребность в измерении его характеристик, причём для проведения таких измерений <...>