621.38Электроника. Микроэлектроника. Полупроводниковая электроника. Оптоэлектроника. Фотоэлектроника. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Вакуумная электроника
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
Автор: Важенин В. Г.
Издательство Уральского университета
Представлен материал, необходимый для изучения операционных усилителей: структура, элементы схемотехники, основные характеристики и параметры. Рассмотрены вопросы построения аналоговых устройств на операционных усилителях с резистивной и комплексной обратной связью. Приводятся справочные данные по параметрам отечественных и зарубежных ОУ (прил. 1–4).
100 70 100 1,1 LM318 4 10 150 500 25 200 100 80 15 LM324 2 7 20 150 50 100 80 110 1,3 LM348 2 6 80 500 <...> 80 – 1 10 фА 4 пА 200 4000 85 100 0,1 LMC6064 100 80 – 1 10 фА 4 пА 200 4000 85 100 0,1 LMC6081 150 80 <...> – 1 10 фА 4 пА 200 1400 85 85 1,3 LMC6082 150 80 – 1 10 фА 4 пА 200 1400 85 85 1,3 LMC6084 150 80 – <...> 80 1,9 AD822A 2 25 2 20 0,4 2 500 2000 80 80 1,9 AD823A 3 25 2 20 0,2 0,8 20 45 76 80 16 AD825A 15 40 <...> 20 30 1 2 3 6 80 88 46 CA3130 5 50 0,5 30 8 15 50 320 90 90 15 CA3140 10 50 0,5 30 5 15 20 100 90 80
Предпросмотр: Аналоговые устройства на операционных усилителях.pdf (0,1 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
/5 (125) 0,55 APTGL30H120G 2011 1200 30 80 170 2,25 (150) 0,2 35/80 3/2,2 (150) 0,9 Trench+Fiels Stop <...> 2010 1200 60 80 280 2,25 (150) 0,38 35/80 5,5/4,5 (150) 0,53 APTGL120TDU120TPG 2010 1200 120 80 517 <...> 2,15 (150) 0,85 35/80 10,5/9,5 (150) 0,29 APTGL700DA120D3G 2010 1200 700 80 3000 2,2 (125) 3,4 40/70 <...> 2009 1200 100 80 595 2 (125) 0,9 50/90 10/10 (125) 0,21 APTGT100A602G 2009 600 100 80 340 1,7 (150) <...> Uкон PΣпот.зв.пост.= 172+191+159+303+103+80 = 1008 Вт при Pн = 12 кВт (150 В, 80 А).
Предпросмотр: Силовая электроника №4 2012.pdf (1,1 Мб)
Автор: Кочетов Владимир Иванович
РИЦ СГСХА
Методические указания содержат примеры решения типовых задач, индивидуальные задания для самостоятельного решения; справочные таблицы, позволяющие студентам решать задачи без дополнительных справочных материалов.
8·10-9 15 1.1 30 80 ? ? ? ? ? ? ? 15 40 ? ? 16 1.2 20 30 50 ? ? ? ? ? ? ? ? ? 6·10-9 17 1.1 40 ? ? <...> 12 2.6 120 1 16 50 80 40 90 13 2.7 86 1,5 18 100 20 80 120 14 2.8 220 2 24 80 10 70 60 15 2.9 90 1 36 <...> 19 80 0,76 0 7 1100 0,90 360 20 380 0,86 90 8 600 0,77 80 21 700 0,91 70 9 500 0,75 200 22 20 0,88 0 <...> Пример решения задачи Дано: Р = 320 Вт; 𝑈 = 80 В; Д224 Б; Д302; Д205. Решение 1. <...> Определяем ток потребителя: 𝐼 = Р 𝑈 = 320 80 = 4 А. Найти: 𝐼д,𝑈обр. 2.
Предпросмотр: Электротехника и электроника.pdf (1,0 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
4500 нейтральный EHP-A22/KM01H-PU5/40K/J5/TR 49 80 4000 нейтральный EHP-A22/KM01H-PU5/35K/J5/TR 48 80 <...> 3500 нейтральный EHP-A22/KM01H-PU5/30K/J5/TR 48 80 3000 теплый EHP-A22/KM01H-PU5/27K/J4/TR 43 80 2700 <...> 80 3500 нейтральный EHP-A22/KM35H-P01/30K/K51/TR 114 80 3000 теплый EHP-A22/KM35H-P01/27K/K43/TR 107 <...> 3500 нейтральный ELSWD-F91M1-1LPHE-C3000 90 80 3000 теплый ELSWD-F81M1-1LPHE-C2700 80 80 2700 теплый <...> до 70 до 80 Индекс цветопередачи 80 ≥80 95 Цветовая температура, К 3000 2700 2700 Световой поток, лм
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2013.pdf (0,8 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
Тогда, G 1 G 2 G 3 G 1 3 3 2 2 90 90 80 80 80 70 70 60 70 80 70 60 60 60 (а) (б) (в) (г) 50 50 50 <...> Приведем только результат вычислений: 1 3 3 2 2 90 90 80 80 80 70 70 60 70 80 70 60 60 60 (а) (б) (в) <...> Y, нм 80 70 60 50 40 Y, нм 50 60 70 80 X, нм 40 Рис. 3. <...> 80 80 70 70 60 70 80 70 60 60 60 (а) (б) (в) (г) 50 50 50 40 40 40 X, нм X, нм Y, нм Y, нм 40 50 30 <...> 20 30 4 4 5 80 80 70 70 60 60 50 40 50 40 X, нм Y, нм 80 70 60 50 40 Y, нм 50 60 70 80 X, нм 40 Рис.
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №5 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
350 2700–5000 3,1 95 80 80 керамический SMD с линзой LCW CR7P.PC 112–164 65000–75000 350 4000–5000 3,1 <...> 115 70 80 керамический SMD с линзой LUW CR7P 121–164 350 5000–6000 3,1 123 70 80 керамический SMD с <...> –0,5 56–180 10 0,32 0,31 6200 3,1 14 80 170/130 SMT 0603 LW L28G 1,01 224–450 10 0,3 0,28 8200 30 80 <...> Общее количество одноваттных диодов может достигать 80. <...> 12; 36 60; 100 60; 100 Индекс цветопередачи >80 >80 Цветовые температуры, К 3000; 4000 Степень защиты
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 2012.pdf (0,3 Мб)
ФГБОУ ВПО "ИГЛУ"
Методические рекомендации содержат основные теоретические сведения, необходимые для расчёта усилительного каскада с общим эмиттером и блока питания к нему, порядок расчёта, а также варианты домашнего задания.
Учебно-методическое пособие предназначено студентам бакалавриата направления подготовки 090900 Информационная безопасность для выполнения расчетного задания по дисциплине «Электроника и схемотехника».
10 100 40 0,15 −20В 10 30 12 300 30 0,2 −25В 11 20 10 25 20 0,05 +5B 12 30 8 50 30 0,1 +10В 13 30 8 80 <...> 20 0,15 +20В 15 20 12 60 30 0,2 +25В 16 20 8 200 30 0,05 −5B 17 30 10 100 50 0,1 −10В 18 30 12 400 80 <...> емкостью не 19 Copyright ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» менее C 200 мкФ 16 15 600 80 <...> Рассчитаем силовой трансформатор, для этого определяем: Ом I U I R U мА мА тр 16 , 7 80 16 80 500 500 <...> 12 16 2 ( ) 0 ( ) = + ⋅ = ⋅ + + ⋅ = ⋅ + В I R R U U i тр 11 , 2 265 0 , 7 16 80 10 ( 12 , 5 16 , 7 )
Предпросмотр: Методические рекомендации к выполнению расчетного задания по дисциплине Электроника и схемотехника.pdf (0,5 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
В Воздействие агрессивной среды 240 ч, +25 °С, 75% RH, 80 В, 10 ppm H2S Критерий отказа Ток утечки > <...> 100 120 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 -40-30-20-100102030405060708090100 Относительная влажность, <...> 100 20 30 40 50 60 RH (модуль), % Температура (модуль), °С 18 A 20 30 40 50 60 80 15 10 5 0 20 40 60 <...> 80 100 20 30 40 50 60 18 A 20 30 40 50 60 80 15 10 5 0 20 40 60 80 100 20 30 40 50 60 18 A 20 30 40 <...> 50 60 80 15 10 5 24 40 AH (модуль), г/м3 RH (модуль), % Температура (модуль), °С AH (модуль), г/м3 RH
Предпросмотр: Силовая электроника №2 2022.pdf (0,1 Мб)
Автор: Малюков С. П.
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В книге рассмотрены современные физико-технологические основы создания электронных устройств с высокоплотной записью информации.
-70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 20 40 60 80 100 20 40 60 80 200 20 40 60 80 300 20 40 60 80 400 <...> 20 40 60 80 500 20 40 60 80 600 1 2 3 T,0 C 2 кг см Рис. 2.12. <...> -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 0 10 20 30 20 40 60 80 100 20 40 60 80 200 20 40 60 80 300 20 40 60 80 400 <...> 20 40 60 80 500 20 40 60 80 600 20 40 60 80 700 1 2 3 T,0 C 2 кг см Рис. 2.13. <...> С.80. 76. Малюков С.П., Малюков А.С.
Предпросмотр: Физико-технологические основы создания электронных устройств с высокоплотной записью информации.pdf (0,4 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
0,41 0,41 105 80 18,5 60 NS3W183AT 0,344 0,355 125 не норм. 3,3 350 NS3W183AT-H3 0,344 0,355 110 80 <...> 0,41 0,39 44 80 3,2 150 NS2W157ART 0,344 0,355 57 не норм. 6,1 75 NS2W157ART-H3 0,344 0,355 50 80 6,1 <...> 27 80 3 80 NSSL157AT-H3 0,41 0,39 25 80 3 80 NESW157AT 0,344 0,39 14,5 не норм. 3 40 NESW157AT-H3 0,344 <...> 0,344 0,355 6,5 80 3,1 20 NHSL157AT-H3 0,41 0,39 6 80 3,1 20 NS2W157ART 0,3 0,295 43 не норм. 5,95B <...> до 22; до 45 ПИК 22 80 до 15; до 30 ПИК 23 80 0,03/∅30×30 12±0,2/4,8 до 7; до 14 ПИК 40 80 0,3/48×98
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2011.pdf (0,5 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
.77 Промэлектроника ТД, ООО. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .80 <...> мОм, 20 В (Vgs) при +25 °С; 100 мОм, 20 В (Vgs) при +200 °С SiC JFET normally-off, TO-247 80 мОм, 3 <...> Оба ключа имеют сопротивление открытого канала 80 мОм, причем SCH2080KE является первым промышленным <...> Напряжение 18 В — это минимум, требуемый для достижения номинального сопротивления канала 80 мОм. <...> Оба имеют рабочее напряжение 1200 В и сопротивление канала 80 мОм.
Предпросмотр: Силовая электроника №6 (57) 2015.pdf (0,1 Мб)
Автор: Юзова В. А.
Сиб. федер. ун-т
Представлены лабораторные работы, позволяющие освоить основы конструирования модулей первого структурного уровня электронных средств, изложены краткие теоретические сведения и даны рекомендации к выполнению всех необходимых этапов конструирования и технологии производства печатных плат.
включительно 758724 Св. 50 до 80 включительно 758715 Св. 80 до 125 включительно 758725 Св. 80 до 125 <...> У; УХЛ 1; 2 80 % при 20 °С 6 100 % при 25 °С 1.1 80 % при 20 °С 2 98 % при 25 °С 2.1; 3; 3.1 80 % при <...> % при 20°С 6 98 % при 25 °С 4.1 65 % при 20 °С 12 80 % при 25 °С 4.2 80 % при 20 °С 2 98 % при 25 °С <...> –120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 ПРИЛОЖЕНИЕ 9 Условия эксплуатации для малых <...> –120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 80–120 29,5 ПРИЛОЖЕНИЕ 10 Числовые характеристики условий
Предпросмотр: Основы проектирования электронных средств учебное пособие (гриф УМО).pdf (1,4 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
станций охлаждения для установок индукционного нагрева металлов . . . . . . . . . . . . . . . . . .80 <...> Так, сопротивление открытого канала транзисторов APT40SM120х и APT50SM120х составляет 80 и 50 мОм при <...> Тип корпуса APT40SM120B N 1200 40 80 273 TO-247 APT40SM120S 40 80 D3PAK APT50SM120B 50 50 TO-247 APT50SM120S <...> 20 208 66 D3PAK APT30SCD120B 30 291 200 TO-247 APT30SCD120S 30 291 200 D3PAK APT10SCD65K 650 10 63 80 <...> ток до 180 А; – р-канальные транзисторы — более 70 типов приборов на напряжение до –60 В и ток до –80
Предпросмотр: Силовая электроника №2 (53) 2015.pdf (0,1 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Rw1 = 0,089 Ом, W2 = 12, Rw2 = 0,0036 Ом – – 5,6 7,4 VD4, VD5 83CNQ100A (IR) URRM = 100 В, IF(AV) = 80 <...> ), проводится при нормальных условиях: температура окружающего воздуха 20 ±5 °С, влажность не более 80% <...> Контроль оптотиристорных модулей МТОТО80-ХХ: 2 оптотиристора в корпусе; ITmax = 80 A, XX — 8У3 (URRM <...> 11 500 3000 2500 2П829Е – КТ43А1.01 2П829Е9 – КТ951 (аналог SMD2) 2П829Ж 2П829Ж9 80 25 80 70 155 <...> 170 120 50 80 11 000 600 500 2П829И9 – КТ942 (аналог SMD1) Таблица 2.
Предпросмотр: Силовая электроника №3 2009.pdf (1,7 Мб)
Ростов н/Д.: Изд-во ЮФУ
В книге представлены результаты исследований бинарных систем твердых
растворов на основе мультиферроиков феррита висмута, феррониобата свинца
и манганита висмута. При помощи современных методов исследований получены данные о кристаллической и зеренной структуре, пиросегнетоэлектрических, диэлектрических, магнитных и магнитоэлектрических свойствах полученных соединений. Рассматриваются вопросы практического применения разработанных материалов.
При этом видно, что ФП сильно размыт и происходит, как и в [190], при T ~ (4080) К. <...> СЭ фазу в них происходит при температурах Т < 80 К; 3. <...> С. 80–74. 79. <...> С. 806–812. 80. Rosenman G. <...> Phys Rev Lett 80:1988. 138.
Предпросмотр: Пироэлектрические, электроупругие и магнитные свойства сегнетоэлектриков, сегнетоэлектриков-релаксоров и мультиферроиков».pdf (0,5 Мб)
Автор: Зиновьев Г. С.
Изд-во НГТУ
Данное учебно-методическое пособие по расчетно-графическому заданию является новой версией пособия, взамен ранее изданных нами, по дисциплине «Основы силовой электроники» и охватывает все основные этапы электротехнического проектирования электронного конвертора электрической энергии на примере проектирования тиристорного выпрямителя, включая формализованную методику выбора силовой схемы (этап структурного синтеза), расчет параметров элементов схемы (этап параметрического синтеза), расчет основных характеристик выпрямителя, определение структуры системы управления, оценку удельных технико-экономических показателей выпрямителя. Приведены краткие справочные данные по элементам силовой схемы для их выбора по результатам расчета.
Copyright ООО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 12 н max max 0 Δ 600 46,9 cosα 5 0,2 α 80 <...> Точка 5: I d = 0 А; UU d α2 2sin ψ 2 2 3 276,5 sin ππ α 2 3 276,5 π π 80 597,7 22 m 3 <...> 100-1200 6 80 1.50 1.65/250 3.0 150 125 125 125 0.30 0.048 Т152-63 1400-2000 17 63(85) 1.30 1.95/200 <...> 3.0 150 200 200 125 0.40 0.084 Т152-80 1400-2000 17 80(87) 1.50 1.85/250 3.0 150 200 200 125 0.32 0.084 <...> 100-1200 6 80(85) 1.20 1.75/3.0 2.5 60 70 40-200 125 3.40 0.045 Т15-32 400-1800 10 32(85) 0.80 2.10/
Предпросмотр: Основы силовой электроники.pdf (0,3 Мб)
Автор: Богачков И. В.
Изд-во ОмГТУ
Учебное пособие состоит из четырёх частей. Рассмотрены методы анализа, описаны основные классы СВЧ-устройств и линий передачи УВЧ и СВЧ, приведены при-меры практических конструкций. Во второй части учебного пособия рассмотрены основные классы направляющих сред, применяемых в диапазонах УВЧ и СВЧ, и их элементы, проанализированы электромагнитные явления в направляющих средах.
Но при h / b = 0.4 (при w / b > 0.2) – уже более 80 % [10]. <...> Y(s) Y(s) s, мм s, мм 1 5 9 13 17 − 100 − 80 − 60 − 40 − 20 0 0 2 4 6 8 0 3 6 9 12 Copyright ООО «ЦКБ <...> Таблица 3 № варианта 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Zв, Ом 50 45 55 75 60 70 100 80 90 30 ε 2.0 1.8 1.2 3.0 2.4 <...> 120 160 70 140 180 90 130 ε 2.0 1.3 1.2 1.0 2.4 1.4 1.7 1.5 2.5 1.2 Rн, Ом 80 90 65 90 120 80 95 200 <...> Таблица 4 № варианта 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Zв1, Ом 50 45 55 75 60 70 100 80 90 30 Zв2, Ом 80 75 95 100
Предпросмотр: Устройства СВЧ в 4 ч., Ч. 2 Направляющие среды УВЧ и СВЧ.pdf (0,7 Мб)
Автор: Кейт Бриндли
М.: Додэка-XXI
В справочнике собраны сведения об основах современной электронной техники. Достаточно полно представлена элементная база полупроводниковой электроники, рассмотрены основы построения практически всех возможных узлов, образующих электронные схемы, приведены данные о функциональных назначениях и цоколевке интегральных схем популярных серий. Не обойдены вниманием основы оптоэлектроники — свето- и фотоэлектрические приборы, лазеры и оптические волноводы. Немалую часть книги занимает разнообразный справочный материал — физические величины, их единицы и коэффициенты преобразования этих единиц из одной системы в другую, аббревиатуры терминов, используемых в электронике, данные о радиотехнических кабелях и разъемах, выпускаемых промышленностью, и много других полезных сведений. Kнигу завершают толковый и англо-русский словари, содержащие около 1400 терминов, используемых в электронике.
80 12 А 2.5 5А 1000 8А 7 5А 117 Вт Выходные каскады на паре Дарлингтона BDX64A TO3 P/S 80 80 12 А 2.5 <...> 70 70 70 70 2 2 1 А 100 100 350 350 350 350 4 А 4 А 30…100 50…150 50…150 80…400 80…400 80…400 80...400 <...> P/S 60 70 15 А 1.1 4А 20…70 4 А 4 500 115 Вт Выходные каскады высокой мощности MJ2501 TO3 P/S 80 80 <...> 80 3 A 1.2 3A 20 500 3 500 40 Вт Мощный переключатель TIP31B TOP66 N/S 80 80 3 A 1.2 3A 20 500 3 500 <...> 1.2 2 80 20 1 200 30 2 80 20 1 80 20 2 50 5 1 40 5 0.5 200 10 0.5 500 20 0.5 5000 2000 2 (продолжение
Предпросмотр: Карманный справочник инженера электронной техники.pdf (0,5 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
, RAWNOM 10 (SME]ENIE MEVDU STROKAMI NA OBRAZCE 0,375 MKM), BYSTRODEJSTWIE SISTEMY SOSTAWLQET OKOLO 80 <...> FOKUSNYM RASSTOQNIEM 165 SM. lATERALXNOE UWELI^ENIE SOSTAWILO 90. rAZMER ODNOJ OBLASTI SKANIROWANIQ 80 <...> Îòí. åä. 0 50 100 150 200 510152025 0 ìêì 40 80 120 160 510152025 B A D C rIS. 4. iZOBRAVENIQ OB_EKTOW <...> GRANIC. dLQ PRIMERA NA RIS. 4, a PRIWEDENY DWE SOWME]80 <...> P. 5132{5136. 80. Chen Y., Zhao X., Jia X.
Предпросмотр: Автометрия №6 2018.pdf (0,2 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
ASMT-Jx1x ASMT-JW11-NTV01 Холодный 90 80 ASMT-JN11-NTV01 Нейтральный 90 80 ASMT-JY11-NSU01 Теплый 78 <...> ASMT-JY32-NUW01 105 94 ASMT-Jx33 ASMT-JW33-NSU01 Холодный 70 63 80 ASMT-JW33-NUV01 100 89 80 ASMT-JN33 <...> -NSU01 Нейтральный 70 63 80 ASMT-JN33-NUV01 100 89 80 ASMT-JY33-NQS01 Теплый 45 40 90 ASMT-JY33-NRS01 <...> (80×1000 ч). <...> Угол светового пучка составляет 120°, индекс цветопередачи (CRI) 80.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2012.pdf (0,7 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
C POMO]X@ limp NA KWARCEWOM STEKLE WOZMOVNO IZGOTOWLENIE MASSIWOW MIKROLINZ DIAMETROM OT 80 DO 300 MKM <...> P. 72{80. 22. sPEKTOR b. i. oB ODNOM METODE SINTEZA FAZOWOJ STRUKTURY KINOFORMOW // aWTOMETRIQ. 1985. <...> Plasmalab 80 Plus. <...> X 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 -80 -40 0 40 80 rIS. 3. kWANTOWAQ TO^KA SPEKTRALXNOGO DIAPAZONA 770 NM: a | <...> 108 80 49 100 79 80 49 80 74 50 33 100 63 50 33 50 50 20 17 150 60 20 17 100 47 20 17 50 34 07/2012
Предпросмотр: Автометрия №2 2018.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
OT GORIZONTALI, PRI^80 | K WERHNIM. w SREDNEJ <...> f 0 (t) d 20 40 60 80 100 t -0,67 0,17 -1,5 1,00 0 f 0 (t) S 0 (t) S 0 (t) 0 f1(0 ti) b 20 40 60 80 100 <...> 85 90 95 100 105 110 80 85 90 95 100 105 110 80 85 90 95 100 105 110 80 85 90 95 100 105 110 75 Äîçà <...> 55 +5,2 80 39 +5,3 80 27 +4,7 160 27 1;2 160 19 1;4 160 12 2;2 QAM-16 QAM-64 QAM-256 M N Ps1, DbM <...> M N Ps1, DbM M N Ps1, DbM 40 26 +11,2 40 11 +10,9 40 5 +10,3 80 13 +5,4 80 5 +3,2 80 2 +1,4 160 6
Предпросмотр: Автометрия №3 2016.pdf (0,3 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
BXRC-35E1000-B-2X 3500 80 1074 120 BXRC-35G1000-B-2X 90 932 104 BXRC-40E1000-B-2X 4000 80 1128 126 BXRC <...> BXRC-35E2000-C-2X 3500 80 1947 124 BXRC-35G2000-C-2X 90 1620 104 BXRC-40E2000-C-2X 4000 80 1996 138 <...> BXRC-35E4000-F-2X 3500 80 3770 126 BXRC-35G4000-F-2X 90 3216 107 BXRC-40E4000-F-2X 4000 80 3833 128 <...> 80 9597 124 BXRC-35G10K0-L-2X 90 8146 105 BXRC-40E10K0-L-2X 4000 80 9820 127 BXRC-40G10K0-L-2X 90 8285 <...> Индекс цветопередачи CRI составляет 80–90 для исполнений с Тцв = 2700/3500 К, 70–80 для исполнений с
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №1 2016.pdf (0,1 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
стробированием, устойчива к воздействию УФ излучения, класс защиты IP55 3 XPERT SL E100-42882-48-C 80 <...> –30 27 15 4 СД-модуля × 6 Вт + 2 СД-модуля х 1,5 Вт 16 44 LED 10-30V 52 см 8 модулей, 44 СД 520×140×80 <...> LED 10-30V 122 см 80 СД 1000×120×80 10–30 120 21 6 СД × 6 Вт секций сбоку и 1 × 1 Вт секций × 4 СД Примечания <...> /– 10–30 14,4 2 режима IP65 Ж, Δt = –40…+50 °С для ТС 10 Auer Signal Люстра 4-опорная 72 СД 310×170×80 <...> СД Ø224×285/0,5 50–265 и 30–350 80 IP54 33-45/12,5 Корпус из поликарбоната с УФ стабилизацией 20 СД
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №3 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
Автор: Быкова Ю. А.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана
В пособии рассмотрены способы, используемые для оценки твердости нанопокрытий. Для студентов специальности «Материаловедение в машиностроении», специализации «Наноматериалы» и слушателей Межотраслевого института повышения квалификации кадров по новым направлениям развития техники и технологии МГТУ им. Н.Э. Баумана,
а также специалистов, занимающихся разработкой нанопокрытий и
оценкой их свойств.
для того чтобы более точно учесть влияние температуры на показания прибора, после снятия нагрузки на 80 <...> Толщина нанопокрытия WC составляет hпок = 80 нм. <...> Для нашего случая n = 30 нм / 80 нм = 0,375; HVпок = (1 + 2n)HV = (1 + 2 ⋅ 0,375) ⋅ 2100 = 3675; Р = <...> «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 29 № п/п hпок, нм HVком d, мкм 1 0 74,8 — 2 50 74,5 15,7 3 80 <...> Воронеж: Издво Воронежского гос. ун-та, 2000. 80 с. 8. Быков Ю.А., Карпухин С.Д., Газукина Е.И.
Предпросмотр: Определение твердости нанопокрытий.pdf (0,3 Мб)
Автор: Бараночников М. Л.
М.: ДМК Пресс
Посвящается новому направлению техники — микромагнитоэлектронике. Приводятся основные параметры и характеристики наиболее известных и типичных изделий микромагнитоэлектроники, выпускаемых отечественными и зарубежными производителями. В том числе преобразователей магнитного поля, магниточувствительных и магнитоуправляемых ИС, датчиков положения, скорости вращения, угла поворота и угла наклона, датчиков тока и напряжения и др. Приводятся рисунки их внешнего вида, функциональные схемы и таблицы назначения выводов. Приводятся характеристики некоторых типов постоянных магнитов, используемых в составе изделий микромагнитоэлектроники. Всего в книге приведены основные характеристики более 3000 типономиналов изделий микромагнитоэлектроники.
±0,15 0,4 ~1 -80… +80 б/к 74 Х114 Ge 8x4x 0,25 18…30 50 4…8 ±0,15 0,3 ~1 -80… +80 б/к 75 Х200 InAs 0,8 <...> Õ-73...Õ-80. <...> 80 80 6 Íåëèíåéíîñòü õàðàêòåðèñòèêè ïðåîáðàçîâàíèÿ, % , íå áîëåå ±1 7 Íà÷àëüíîå âûõîäíîå íàïðÿæåíèå ( <...> В А3515 0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 -100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 U,ВЫХ. <...> ì 20 ì 40 60 80 ì Ðèñ. 27.9.
Предпросмотр: Микромагнитоэлектроника.pdf (1,3 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Индекс цветопередачи этой лампы превышает 80, а угол излучения равен 180°. <...> До 80-х мы продолжали получать материалы хлорид-гидридным методом, а они — уже МОС-гидридным. <...> Цветовые температуры приборов находятся в пределах 2700–5000 К, индексы цветопередачи 70–80 [9]. <...> -13400-DFB 13,4 80 20…+50 Таблица 6. <...> Есть ряд моделей семейства HLG мощностью от 80 до 185 Вт, поставляемых под заказ.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №5 2014.pdf (0,6 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
W Ge PROWEDENA IMPLANTACIQ MONOKRISTALLA p-Ge DWUHZARQDNYMI IONAMI SURXMY (Sb ++ ) S \NERGIEJ E = = 80 <...> ), SNQTYJ W GEOMETRII {2 W OBLASTI PIKA Ge(004), DLQ OBRAZCA POSLE IMPLANTACII IONAMI Sb++ (E = = 80 <...> Îòðàæåíèå, îòí. åä. 0,42 rIS. 5. sPEKTR ik-OTRAVENIQ OBRAZCA Ge POSLE IMPLANTACII IONAMI Sb++ (E = 80 <...> 1 2 0,694 ýÂ 0,771 ýÂ rIS. 6. sPEKTRY fl (T = 300 k) OBRAZCA Ge POSLE IMPLANTACII IONAMI Sb++ (E = 80 <...> 100 120 140 160 180 012345 X, ìêì Y, íì 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0123 rIS. 2.
Предпросмотр: Автометрия №5 2019.pdf (0,2 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
новое поколение светодиодов OSLON SSL 80 и SSL 150. <...> Тип. 4000 115 150 2,7 3,0 3,4 70 70 77 5000 5700 6500 2700 80 3000 55 80 3500 4000 60 82 5000 83 5700 <...> Тип. 2700 115 80 24 48 37 41 53 3000 39 43 55 4000 42 48 60 5000 2700 71 80 102 3000 75 84 107 4000 83 <...> Тип. 4000 240 5,8 6,1 6,6 70 101 111 95 5000 5700 6500 2700 80 80 96 82 3000 85 98 83 3500 101 95 4000 <...> 90 105 89 5000 5700 6500 2700 90 72 80 68 3000 75 82 70 Таблица 6.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 (36) 2015.pdf (0,1 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
Показатели улучшились после проведения лучевой терапии, у 1/3 больных он вырос до 80 баллов. <...> Из 12 пациенток у 3 индекс до лечения составлял 80 баллов, у 9 – 70 баллов. <...> Индекс 80 баллов имела только 1 больная с поражением костей тазобедренного сустава. <...> АД 130/80 мм рт. ст., ЧСС 100 уд/мин. <...> Инсульт в подавляющем большинстве случаев (80%) носит ишемический характер [5].
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №2 2020.pdf (0,5 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
100 120 140 160 0,1 0,2 0,4 0,3 0,5 0,7 0,6 0,8 40 60 80 100 120 140 160 020 -0,10 -0,05 0,05 0 0,05 <...> -0,05 0 -0,10 0,10 0,10 80 Âðåìÿ, ñ Âðåìÿ, ñ 40 60 100 120 140 160 020 40 60 80 100 120 140 160 -4 _ <...> ОАО «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» s. m. bORZOW, o. i. pOTATURKIN 37 0 30 40 50 60 70 80 <...> «ЦКБ «БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 40 awtometriq. 2017. t. 53, 1 0 40 30 20 10 50 60 70 80 <...> 100 Q, äÁ 0 5101520 20 40 60 80 rIS. 7. zAWISIMOSTI Q-FAKTORA OT DALXNOSTI PEREDA^I DLQ WDM-PON S 32
Предпросмотр: Автометрия №1 2017.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
ÀÖÏ KK, % 70 75 80 85 90 95 100 60 80 40 20 1600 1800 2000 2200 2400 0 60 65 60 65 70 75 80 85 90 95 <...> 80 -200 -100 100 200 t 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -0,8 0 0,4 -0,4 t 0 10 20 30 40 50 60 70 80 -12 -8 <...> 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 <...> 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t Ðèñ. 6 Ðèñ. 7 0 <...> 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 20 40 60 80 100 t 0 50 100 150 200 250 300 t 0 0 0 0
Предпросмотр: Автометрия №2 2011.pdf (0,3 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
100 100 80 60 40 20 0 Общая привлекательность Купите ли вы это? <...> 90 100 60 70 80 90 100 60 70 80 90 100 60 70 80 90 100 60 70 80 90 100 60 70 80 90 100 0% 25% 50% 75% <...> 100% 0 1 2 3 4 5 60 80 100 120 60 80 100 120 60 80 100 120 60 80 100 120 60 80 100 120 60 80 100 120 <...> Цветовая температура СХА2 варьируется от 2700 до 6500 K, а индекс цветопередачи составляет 70, 80 или <...> Срок службы L10 обычно составляет 60–80 тыс. ч.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №2(46) 2017.pdf (0,1 Мб)
Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
УНТ, синтезированных при различных вариантах подачи водорода в газовую смесь. 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> –60 –40 –20 20 40 60 80 100 120 –80 –60 –40 –20 0 20 40 60 80 U, мВ/В 1 2 Н, Э Усиление магнитного поля <...> V. 80. № 1. С. 6–9. 26. Muller A., Breguet J., Gisin N. <...> × 80 мм и состоит из 126 пар ТЭ. <...> V. 80. P. 388–399. 19. Erturun U., Mossi K.
Предпросмотр: Микроэлектроника №2 2017.pdf (0,0 Мб)
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
Особое развитие технология производства светодиодов на основе АlInGаР получила в конце 80-х. <...> совершенствованию технологии выращивания AlInGaP-структур и добились значительных успехов: к концу 80 <...> Если задаться достаточно высоким значением общей эффективности светильника, например более 80 лм/Вт ( <...> Учитывая ограничения методики LM-80/ TM-21 (гарантированный срок — не более шести периодов наблюдения <...> Входное постоянное напряжение 30–80 В формирует отдельный модуль сетевого питания.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №2 2012.pdf (0,4 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
В случае 75 10 20 30 40 1 2 3 50 4 Pȼɬ 80 85 90 95 100 fȽȽɰ Рис. 4. <...> Это позволяет исследователям проводить CɩɎ :· 1021Ɏ2ȼ2 0.0 100 80 60 40 20 0 20 40 60 80 <...> 0 20 40 60 80 100 Рис. 4. <...> GY,ɦɤɦ 'tmax,ɩɫ tmax,ɩɫ t,ɩɫ 17.5 60 0 0 1 4 1 1 2 2 3 1 2 4 50 60 60 1000 0 80 80 100 120 ɦɤɦ <...> На вставке — хронограммы для δY = 80 (1) и 85 мкм (2).
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №7 (0) 2024.pdf (0,1 Мб)
Публикуются статьи по широкому спектру теоретических и прикладных проблем радиоэлектроники, связи и физической электроники.Тематические рубрики журнала охватывают все важнейшие области радиотехники и электроники, такие как электродинамика, теория распространения радиоволн, обработка сигналов, линии передачи, теория и техника связи, физика полупроводников и физические процессы в электронных устройствах, применение методов радиоэлектроники и радиоэлектронных устройств в биологии и медицине, микроэлектроника, наноэлектроника, электронная и ионная эмиссия и т.д.
90 θ, град 1 0.1 10 100 рас E Q пог E Q 0 10 20 30 (б) 1 2 3 4 40 50 60 70 80 90 θ, град 1 0.1 10 100 <...> 100 6.2 6.3 6.4 6.5 0 20 40 60 (б) 80 100 Δ1 → 2/Δt 22 s 2 × 10 22 s 2 × 10 1.6 2.0 1.8 2.2 2.4 0 20 <...> 40 60 (а) Q 80 100 22 s k × 10 ω= 1 0.95, ω= 2 1.05 Δ= 12 → 40 Δ221 t , G (ϕϕ ,) 0.1sin( ϕϕ 21 , ) ξ <...> 120 1 〈M〉/Δt 0 2 3 1 2 Dξ 1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1 fош 0 2 3 1 2 0 Δ0 Δ1 → 2 2 s 2 20 60 100 80 40 1 <...> –60 –40 –20 0 20 40 60 80 Δϕ, град A ΔT, °C Рис. 9.
Предпросмотр: Радиотехника и электроника №3 2017.pdf (0,1 Мб)
Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
Осциллограмма ВАХ ДШ на основе контакта PtSi–p–Si при температуре 300 К (а), 80 К (б). <...> При охлаждении структуры до 80 К ВАХ приобретает сильно униполярный вид (рис. 2.) <...> На рис. 4 представлено спектральное распределение чувствительности PtSi–p–Si структуры при 80 К. <...> Обратная ВАХ-структур PtSi–p–Si (1 – без освещения и 2 – при освещении) при 80 К. <...> Спектральная характеристика PtSi–p–Si при 80 К.
Предпросмотр: Микроэлектроника №2 2018.pdf (0,0 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
& ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 8 awtometriq. 2016. t. 52, 4 a 0,11 0 100 0,2 0,4 0,6 0,8 20 40 60 80 <...> 100 80 60 40 20 0,23 0 0,34 0,46 0,57 0,69 0,80 0,92 b x y mC rIS. 4. fUNKCIQ S(x; y) PODS^80 <...> /75 dWUHSLOJNAQ RB mONOHROMNAQ R 655 90 90 633 35 80 B 488 40 80 473 25 95 dWUHCWETNAQ R=B 655/473 90 <...> /25 90/95 633/488 35/40 85/75 dWUHSLOJNAQ GB mONOHROMNAQ G 514 40 90 B 488 35 80 dWUHCWETNAQ G=B 514/
Предпросмотр: Автометрия №4 2016.pdf (0,2 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80 <...> 100 20 40 60 80 100 _5 0 25 20 15 10 5 b 0 0 20 40 60 80 100 20 40 60 80 100 _5 0 25 20 15 10 5 c 0 <...> 0 20 40 60 80 100 20 40 60 80 100 _5 0 25 20 15 10 5 d 0 0 20 40 60 80 100 20 40 60 80 100 _5 0 25 20 <...> 100 20 40 60 80 100 _1,0 1,0 0,5 0 _0,5 100 _1,0 1,0 0,5 0 _0,5 b 0 0 20 40 60 80 100 20 40 60 80 rIS <...> Lett. 1998. 80, N 1. P. 185{188. 11. Fattahov Ya. V., Galyautdinov M. F., L`vova T.
Предпросмотр: Автометрия №1 2021.pdf (0,2 Мб)
Журнал «Электросвязь» — ежемесячный научно-технический журнал по проводной и радиосвязи, телевидению и радиовещанию, предназначенный для широкого круга специалистов в области связи и информатизации. Основан в 1933 г.
Журнал «Электросвязь» — это:
- результаты новейших научных исследований, обеспечивающих повышение эффективности сетей связи, методы их проектирования с использованием перспективных технологий как отечественных, так и зарубежных;
- вопросы создания экономически эффективных служб связи, внедрения новых услуг, управления сетями, их технического обслуживания на основе современных решений;
- оперативная информация о деятельности и технической политике Министерства информационных технологий и связи РФ, администраций связи других стран СНГ, Регионального содружества в области связи, Международного союза электросвязи.
Публикации в «Электросвязи» учитываются Высшей Аттестационной Комиссией при Министерстве Образования РФ при защите диссертаций на соискание ученой степени кандидата и доктора наук.
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26 Иванюк В.В. ФГУП РСВО: 80 <...> Прошедшие 80 лет истории «ЭЛЕКТРОСВЯЗИ» не были безоблачными. <...> «Электросвязи» — 80 лет И.В. Ковалева, И. <...> «ЭЛЕКТРОСВЯЗЬ» № 11 2013 ФгУп рсво: 80 ЛЕТ В МИРЕ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ В. В. <...> За 80 лет существования ваш журнал снискал заслуженное уважение со общества связистов.
Предпросмотр: Электросвязь. №11 2013.pdf (0,4 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
Стандарты Модель VDC, В RDC(on)_typ, мОм Idmax@25°C, А Корпус SiC-MOSFET AEC-Q101 BM080N120SJ 1200 80 <...> 38 ТО-247-3 BM040N120SJ 40 68 BM022N120SJ 22 102 – BM080N120S 80 38 BM040N120S 40 68 BM022N120S 22 102 <...> Стандарты Модель VDC, В RDC(on)_typ, мОм Idmax@25°C, А Корпус SiC-MOSFET AEC-Q101 BM080N120KJ 1200 80 <...> 38 ТО-247-4 BM040N120KJ 40 68 BM022N120KJ 22 102 – BM080N120K 80 38 BM040N120K 40 68 BM022N120K 22 102 <...> ITAV Максимально допустимый средний прямой ток в открытом состоянии, А 540 (ТС = +85 °С) 700 (ТС = +80
Предпросмотр: Силовая электроника №6 2020.pdf (0,1 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
.: Прима Принт; 2019: 80 c. 4. Невзорова М.С., Чепкасова Н.И., Ботало Н.С. <...> На КТ-изображениях у пациентки визуализировалось овальной формы одно100 100 100 80 80 80 60 60 60 40 <...> 40 40 20 20 20 0 0 0 0 0 0 20 20 20 40 40 40 60 60 60 80 80 80 100 100 100 Чувствительность, % / Sensitivity <...> Смертность от РЦМ колеблется от 25% до 80% [5]. <...> М.; 2013. та – 90% (80%).
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №4 2022.pdf (0,5 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
.: Прима Принт; 2019: 80 c. 4. Невзорова М.С., Чепкасова Н.И., Ботало Н.С. <...> На КТ-изображениях у пациентки визуализировалось овальной формы одно100 100 100 80 80 80 60 60 60 40 <...> 40 40 20 20 20 0 0 0 0 0 0 20 20 20 40 40 40 60 60 60 80 80 80 100 100 100 Чувствительность, % / Sensitivity <...> Смертность от РЦМ колеблется от 25% до 80% [5]. <...> М.; 2013. та – 90% (80%).
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №6 2022.pdf (0,5 Мб)
«Силовая электроника» информирует читателей о последних исследованиях и разработках в области электроники, об основных направлениях и перспективах развития отечественного и мирового рынка силовой электроники. Тематически журнал охватывает все разделы силовой электроники, затрагивая не только традиционные темы, такие как компоненты силовой электроники, источники питания, электроприводы, схемотехническое моделирование, но и сферы применения элементной базы силовой электроники в системах индукционного нагрева, испытательном оборудовании, автомобильной электронике. Журнал освещает и такие пограничные сферы, как качество электроэнергии.
(Х)-16-У2 80 1600 0,412 СВ 8.3-МЗ-40(40Х)-6; СВ8.10-М3-80(80Х)-6 ДМ 1.2-80Л(Х)-16-У2 80 1600 0,412 СВ <...> Диодный модуль ДМ 1.180(Х)16У2 Рис. 3. <...> …+90 °С; m120 — масса образца после 120-ч экспозиции в теплоносителе при Т = +80…+90 °С. <...> –90 –100 300 200 250 100 150 40 50 Te (Nm) wm (rad/s) Uacd (V) 60 80 100 120 140 –20 –40 –60 –80 –100 <...> 220 200 180 160 140 120 100 80 60 40 300 200 250 100 120 140 60 40 80 50 100 150 wm (rad/s) Te (Nm)
Предпросмотр: Силовая электроника №4 2022.pdf (0,1 Мб)
Цель: разработка метода обнаружения изменения локальных свойств сигналов и процессов с использованием
вейвлет-преобразования в интересах решения прикладных задач обработки информации и анализа динамики систем.
Методы: использование инвариантности относительно сдвига и масштабирования и частотно-временной локализации.
Результаты: представлено формализованное описание метода обнаружения локальных свойств произвольных сигналов с
использованием многомасштабного вейвлет-анализа. Основными операциями обработки сигналов при обнаружении их
локальных свойств (особенностей) является анализ вейвлет-коэффициентов малых масштабов и определение интервала
корреляции функции, описывающей сигнал. Линии локальных максимумов, объединяющие вдоль оси масштабов
на частотно-временной плоскости точки, в которых модули коэффициентов вейвлет-преобразования имеют локаль-
ные максимумы, сходятся к некоторым точкам, в которых присутствует особенность. Путем исследования характера
изменения локальных максимумов вейвлет-преобразования на различных масштабах определяется расположение
и характер локальных особенностей анализируемых сигналов и процессов. Представлен пример использования
вейвлет-преобразования спектральных образов наблюдаемых объектов для выбора наиболее информативных
спектральных каналов в многоспектральных системах дистанционного зондирования Земли. Практическая значимость:
представленное математическое описание разработанного метода может быть положено в основу алгоритмов обработки
сигналов и процессов. Метод может быть использован при обработке данных, полученных системами сбора информации,
такими как системы дистанционного зондирования, телеметрии, контроля технологических процессов. doi:10.15217/issn1684-8853.2015.1.21
вейвлет-преобразования исходной функции f(m) с базисным вейв0,7 0,6 0,5 0,4 0,3 0,2 0,1 0 20 40 60 80 <...> и алгоритма оптимального оценивания I(m) Haar Gauss1 Gauss2 Gauss3 Morlet Opt 10 20 30 40 50 60 70 80 <...> 150 160 170 180 190 m Haar 31 79 102 111 115 123 128 138 146 151 158 169 176 192 Gauss1 13 31 45 64 80 <...> 138 144 158 164 169 174 192 Morlet 29 73 77 81 85 109 113 121 133 137 145 149 157 169 Opt 29 33 53 80
Издание посвящено новому, стремительно развивающемуся направлению светотехники - твердотельным источникам света, светодиодам. Журнал посвящен тематике полупроводниковых источников света: от проблем роста излучающих гетероструктур и кристаллов, производства светодиодов и устройств на их основе, метрологии и измерениям параметров, до применения светодиодов в различного рода осветительных устройствах.
напряжение 12 В (20; 35; 50 Вт) 25–30 Ртутные лампы высокого давления с люминофором (типа ДРЛ) (50; 80 <...> Световой поток LEDVANCE S — 325 лм, угол излучения 80°, питание 220 В от сети переменного тока. <...> Световой поток, лм Downlight S Алюминий 160 50 6,5 ~200–240 OSLON 3 20000 80 3000, 4000 80 325 Downlight <...> 12 50000 80 3000, 4000 60, 100 1000 Downlight XL 2400 50 32 ~200–240 OSLON 18 50000 80 3000, 4000 60, <...> Получен результат по светоотдаче не хуже — 75–80 лм/Вт.
Предпросмотр: Полупроводниковая светотехника №4 2010.pdf (0,4 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
[80 <...> t. 54, 1 Äëèíà âîëíû, íì Ïðîïóñêàíèå, % 450 475 500 525 550 575 600 625 0 10 20 30 50 40 70 60 90 80 <...> RIS. 3). zNAa Z, ìì Îòêðûòàÿ àïåðòóðà -80 -40 0 40 80 0,5 1,1 1,0 0,9 0,8 0,7 0,6 0,4 0,3 0,2 0,1 Z, <...> ìì -80 -40 0 40 80 Z, ìì -80 -40 0 40 80 b Îòêðûòàÿ àïåðòóðà 0,6 0,5 0,3 1,0 0,9 0,4 0,8 0,7 1,1 0,2 <...> -40 0 40 80 0,5 1,0 1,1 0,9 0,8 0,7 0,6 0,4 0,3 0,2 0 0,1 Z, ìì -80 -40 0 40 80 Z, ìì -80 -40 0 40 80
Предпросмотр: Автометрия №1 2018.pdf (0,3 Мб)
Научный журнал Сибирского отделения РАН. В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам: - суперкомпьютерные системы анализа и синтеза изображений (сигналов); - методы и средства искусственного интеллекта в научных исследованиях; - вычислительные сети и системы передачи данных; - автоматизация проектирования в микро- и оптоэлектронике; - микропроцессорные системы реального времени для научных и промышленных применений; - физика твердого тела, оптика и голография в приложениях к компьютерной и измерительной технике; - физические и физико-технические аспекты микро- и оптоэлектроники; - лазерные информационные технологии, элементы и системы.
В редакционную коллегию входят признанные специалисты ведущих академических институтов России. Журнал адресован научным работникам, аспирантам, инженерам и студентам, интересующимся результатами фундаментальных и прикладных исследований в области высоких информационных технологий на базе новейших достижений физики, фотохимии, материаловедения, информатики и компьютерной техники. Круг авторов журнала широк: от ведущих научных центров и вузов России до ближнего и дальнего зарубежья. Все без исключения статьи рецензируются.
В журнале публикуются оригинальные статьи и обзоры по следующим разделам:
* анализ и синтез сигналов и изображений;
* системы автоматизации в научных исследованиях и промышленности;
* вычислительные и информационно-измерительные системы;
* физико-технические основы микро- и оптоэлектроники;
* оптические информационные технологии;
* моделирование в физико-технических исследованиях;
* нанотехнологии в оптике и электронике.
Журнал практикует выпуск специализированных номеров.
Журнал включен в Перечень ведущих рецензируемых научных журналов, рекомендованных для публикаций Высшей аттестационной комиссией.
Журнал переводит и издает фирма “Аллертон Пресс” (США) под названием “Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing”.
Учредителями журнала являются: Сибирское отделение РАН и Институт автоматики и электрометрии СО РАН.
30 40 60 80 100 2 4 6 8 10 10 20 30 40 60 80 100 12 14 16 18 20 0 2 4 6 8 10 10 20 30 40 60 80 100 12 <...> 14 16 18 20 1 2 3 4 5 6 7 8 0 10 20 30 40 60 80 100 0 0 10 20 30 40 60 80 100 2 4 6 8 10 10 20 30 40 <...> 100 0 ×àñòîòà -10 -5 5 10 15 0 20 40 60 80 100 0 ×àñòîòà -15 -10 -5 5 10 0 20 40 60 80 0 ×àñòîòà -10 <...> -5 5 10 0 20 40 60 80 100 0 ×àñòîòà 510 20 25 0 20 40 60 80 100 15 a Ãåîìåòðè÷åñêèé öåíòðîèä ×àñòîòà <...> 0 20 40 60 80 140 120 100 0 ×àñòîòà -10 -5 5 0 20 40 60 80 120 100 0 ×àñòîòà 20 0 40 60 80 120 100 ×àñòîòà
Предпросмотр: Автометрия №6 2016.pdf (0,3 Мб)
Журнал является официальным журналом Российской Ассоциации Радиологов (РАР). История старейшего в России медицинского журнала начинается с 1920 года. Журнал, посвященный в настоящее время вопросам лучевой диагностики и лучевой терапии, стоит у истоков развития Российской рентгенологии и радиологии. В журнале находят отражение такие методы медицинской визуализации как традиционная рентгенодиагностика, рентгеновская компьютерная и магнитно-резонансная томография, ультразвуковая и радионуклидная диагностика, ангиография и рентгенохирургия.
В журнале освещаются наиболее актуальные вопросы медицинской визуализации в кардиологии, неврологии, онкологии, лучевой диагностики заболеваний скелетно-мышечной системы, органов дыхания, желудочно-кишечного тракта, малого таза. Большое место занимают научные статьи и обзоры по вопросам радиобиологии, дозиметрии и радиационной защиты. Традиционно широко освящаются проблемы рентгенохирургии и рентгеноэндоваскулярных методов диагностики и лечения в различных областях медицины.
Circulation. 2000; 101: 570–80. 3. Herrmann J. Periprocedural myocardial injury: 2005 update. Eur. <...> Cardiol. 2007; 20: 474–80. 5. Шахнович Р.М. Острый коронарный синдром с подъемом сегмента ST. <...> Исторически сложилось так, что для выполнения этой процедуры применяют низкое V (80–100 кВ) [18]. <...> Med. 2012; 35: 71–80. 23. Hamer O.W., Sirlin C.B., Strotzer M. et al. <...> Soc. 2011; 80: 342–7. 33. Song S.J., Lee J.M., Kim Y.J., Kim S.H., Lee J.Y., Han J.K. et al.
Предпросмотр: Вестник рентгенологии и радиологии №1 2018.pdf (0,2 Мб)