621.38Электроника. Микроэлектроника. Полупроводниковая электроника. Оптоэлектроника. Фотоэлектроника. Рентгенотехника. Ускорители частиц. Вакуумная электроника
← назад
Свободный доступ
Ограниченный доступ
Автор: Панфилов Юрий Васильевич
Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана: М.
Дано описание основных физических явлений при воздействии ускоренных потоков электронов, ионов и газоразрядной плазмы на поверхность обрабатываемых изделий. Рассмотрены ключевые операции изготовления микро- и наноструктур: нанесение тонких пленок в вакууме, вакуумно-плазменное травление и ионная имплантация. Акцентировано внимание на взаимосвязи между характеристиками технологических операций и показателями качества получаемых микро- и наноструктур. Приведены физико-химические модели расчета основных режимов элионной обработки.
Предпросмотр: Формирование функциональных слоев .pdf (0,2 Мб)
Автор: Дорогой С. В.
Изд-во НГТУ
Учебно-методическое пособие предназначено для проведения аудиторных практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники» для студентов II курса по направлениям 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств» и 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».
Предпросмотр: Физические основы электроники. Контакты металл-полупроводник.pdf (0,3 Мб)
Изд-во ЮФУ: Ростов н/Д.
В пособии рассмотрены элементы электронной теории металлов, классической и квантовой статистики. Даны общие сведения о полупроводниках, описаны механизмы кинетики носителей заряда и проводимость полупроводников. Рассмотрено явление сверхпроводимости. Достаточно подробно изложены контактные явления. Обсуждаются особенности гетеропереходов.
Предпросмотр: Физика. Введение в твердотельную электронику..pdf (0,6 Мб)
Изд-во ЮФУ: Ростов н/Д.
В данной монографии представлены основанные на принципах функциональной интеграции методы построения элементной базы интегральных схем и микросистем: быстродействующих логических и коммутирующих элементов ультрабольших интегральных схем, элементов интегральных систем оптической коммутации ядер в многоядерных УБИС, функционально интегрированных микромеханических гироскопов-акселерометров, элементов распределенных сенсорных систем мониторинга состояния поверхности конструкций.
Предпросмотр: Функционально интегрированные элементы интегральных схем и микросистем.pdf (0,1 Мб)
Автор: Зебрев Г. И.
Лаборатория знаний: М.
Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».
Предпросмотр: Физические основы кремниевой наноэлектроники.pdf (0,4 Мб)
Автор: Толмачев В. В.
Институт компьютерных исследований: М.
В пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твердотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-переходом и pnp-транзистор.
Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,4 Мб)
Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана: М.
Даны краткие сведения из отдельных разделов физики и смежных наук, составляющих физические основы микро- и нанотехнологий. Рассмотрены основные законы, понятия и определения физических явлений, процессов и сред, являющихся основой этих технологий. Приведены методы преобразования фундаментальных физических законов в прикладные технологические зависимости, расчеты физических закономерностей, определяющих параметры процессов микро- и нанотехнологий.
Предпросмотр: Физические основы микро- и нанотехнологий.pdf (0,1 Мб)
Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана: М.
Настоящее издание соответствует учебной программе курса «Специальные технологические методы в нанотехнологии». Рассматриваются методы выращивания 2D-наноструктур (нанослоев), 1D-наноструктур (нанонитей) и 0D-наноструктур (наночастиц) с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии для их применения в наноприборах радиоэлектронных систем.
Предпросмотр: Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ.pdf (0,1 Мб)
Автор: Глазачев А. В.
Изд-во ТПУ
В учебном пособии изложены физические процессы в
полупроводниковых приборах, их основные свойства, характеристики и
параметры, конструктивно-технологические особенности. Рассмотрена
схемотехника усилительных каскадов, операционных усилителей,
преобразовательных устройств средней и большой мощности.
Предпросмотр: Физические основы электроники.pdf (0,6 Мб)
Автор: Милантьев В. П.
РУДН: М.
В данном пособии изложены основные физические механизмы
ускорения заряженных частиц, как традиционные, так и альтернативные,
и рассмотрены основные типы ускорителей, использующих эти механизмы. Пособие представляет собой введение в физику ускорителей. Вопросы техники ускорителей не рассматриваются. Для более полного изучения проблемы ускорителей следует обратиться к специальным руководствам.
Предпросмотр: Физические принципы ускорения заряженных частиц.pdf (0,6 Мб)
ФГБОУ ВПО "ШГПУ"
В работе представлен материал, раскрывающий физические основы нанотехнологий: рассмотрена классификации наноматериалов, физические свойства наиболее изученных наноматериалов, физические основы электронной микроскопии и принципы работы зондовых атомно-силовых микроскопов.
Предпросмотр: Физические основы нанотехнологий.pdf (0,7 Мб)