Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.

Физические основы электроники (150,00 руб.)

0   0
Первый авторТолмачев В. В.
АвторыСкрипник Ф. В.
ИздательствоМ.: Институт компьютерных исследований
Страниц496
ID301533
АннотацияВ пособии на элементарном уровне излагаются основы квантовой механики и статистики, необходимые для понимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе твердотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-переходом и pnp-транзистор.
Кому рекомендованоПособие предназначено студентам младших курсов технических вузов и университетов, изучающим курсы твердотельной электроники, а также всем, интересующимся основами твердотельной электроники.
ISBN978-5-93972-889-8
УДК530.145
ББК32.85
Толмачев, В.В. Физические основы электроники : [учеб. пособие] / Ф.В. Скрипник; В.В. Толмачев .— 2-е изд., испр. и доп. — Москва : Институт компьютерных исследований ; Ижевск : Регулярная и хаотическая динамика, 2011 .— 496 с. : ил. — ISBN 978-5-93972-889-8 .— URL: https://rucont.ru/efd/301533 (дата обращения: 18.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Вычисление функции µ(T) при малых температурах T . <...> Тепло¨ емкость системы свободных электронов проводимости при малых температурах . <...> . . . . . . 343 Решение уравненияШредингера в случае слабой связи . <...> Одноэлектронные состояния системы свободных электронов 353 Задача об электроне в тр¨ ехмерном кубическом ящике . <...> Равновесные концентрации электронов и дырок в чистом полупроводнике . <...> Классическаятеория кристаллической реш¨ ет кубический закон при низких температурах. <...> 7 подробно и полно изложена теорияточно решаемой традиционной в теории полупроводников одномерной модели Кронига –Пенни длясистемы свободных электронов тв¨ ясняются зонная структура спектра одноэлектронных состояний,понятия ердого тела, в рамках которой объ ВВЕДЕНИЕ 13 валентной зоны и зоны проводимости, понятие «дырки» — особого элементарного носителяэлектрического тока в тв¨ вс¨ ердотельном полупроводнике, во ному. теорияэлектропроводности собственных (чистых) и примесных (донорных и акцепторных) полупроводников. <...> Подробно рассматриваетсяупрощ¨ полуколичественнаятеория Шокли pn-перехода, вычисляются контактная разность потенциалов pn-перехода, зависимость ширины обедн¨ pn-перехода от внешнего электрического поляи его электро¨ жена теория pnp-транзистора. енного слоя емкость. <...> Согласно соотношению λν = c,где λ — длина волны, ν — частота волны, c — скорость распространенияволны, при c = 300 м/с и ν = 100 Гц имеем λ =3 ми при ν =10.000 Гц имеем λ =3 см. На смену корпускулярной теории света, господствовавшей весь XVIII в., с самого начала XIX в. пришла волноваятеория, развитаяпервоначально как теорияупругих волн в упругом тв¨ редавать поперечные волны, должна была быть тв¨ ердом теле. <...> Тв¨ пространялись световые волны, считался так называемый «светоносный эфир», который должен был быть очень тв¨ ердым телом, в котором расердым (так как скорость света — 1.1. <...> Связанный, по Лоренцу, в молекуле атомный электрон, совершающий затухающие колебания, является <...>
Физические_основы_электроники.pdf
Стр.2
Стр.3
Стр.4
Стр.5
Стр.6
Стр.7
Стр.8
Физические_основы_электроники.pdf
УДК 530.145 Интернет-магазин http://shop.rcd.ru • физика • математика • биология • нефтегаз о вые т ехноло гии Толмач¨ ев В.В., Скрипник Ф.В. Физические основы электроники. — Изд. 2-е., испр. и доп. — М.–Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», Институт компьютерных исследований, 2011. — 496 с. и статистики, необходимые дляпонимания квантовой теории полупроводников, лежащей в основе тв¨ В пособии на элементарном уровне излагаютсяосновы квантовой механики ердотельной электроники. Также в пособии подробно рассмотрены основные вопросы физики полупроводниковых приборов, в частности диод с pn-переходом и pnp-транзистор. Пособие предназначено студентам младших курсов технических вузов и униердотельной электроники, а также всем, интересуверситетов, изучающим курсы тв¨ ющимсяосновами тв¨ ISBN 978-5-93972-889-8 c В. В.Толмач¨ c http://shop.rcd.ru http://ics.org.ru ердотельной электроники. ев, Ф.В.Скрипник, 2011 Ижевский институт компьютерных исследований, 2011
Стр.2
Оглавление Предисловие к первому изданию .. ... .. ... .. .. ... .. 9 Предисловие ко второму изданию . ... .. ... .. .. ... .. 10 Введение . . . ... .. ... .. .. ... .. ... .. .. ... .. 11 ГЛАВА 1. Корпускулярно-волновой дуализм фотонов .. ... .. 14 1.1. Cтановление корпускулярных и волновых представлений о природе света .... ... .... .... .... ... .... 14 1.2. Эксперименты по тепловому излучению и по излучению разреженных газов .... ... .... .... .... ... .... 27 1.3. Вывод формулы Планка дляравновесного теплового электромагнитного излучения.. .... .... .... ... .... 34 Метод суперпозиции и разделенияпеременных Фурье . . 34 М´ оды электромагнитного излученияв кубической полости 39 Распределение мод по частотам .... .... ... .... 46 Связь u(ω) c E(ω) ... .... .... .... ... .... 48 Применение теоремы о равномерном распределении энергии ... .... ... .... .... .... ... .... 56 Энергияклассического или квантового осциллятора . . . 60 Вывод законов Стефана –Больцмана и Вина . ... .... 65 1.4. Квантоваяприрода света. Фотоэффект и эффект Комптона . . 68 Фотоэффект .... ... .... .... .... ... .... 69 Эффект Комптона . ... .... .... .... ... .... 74 Дополнение 1 к гл. 1 . ... .... .... .... ... .... 76 Ранние исследованияпо физической оптике . . . . .... 76 Исследованиятеплового излучения .. .... ... .... 79 Исследованияоптического излучения . .... ... .... 82 Дополнение 2 к гл. 1 . ... .... .... .... ... .... 88 Историяоткрытия формулы Планка . .... ... .... 88 Распределение энергии по степеням свободы ... .... 100 Исследованиятепло¨ емкости тв¨ ердых тел ... ... .... 103
Стр.3
4ОГЛАВЛЕНИЕ ГЛАВА 2. Корпускулярно-волновой дуализм электронов ... .. 108 2.1. Дебройлевскаядлина волны .... .... .... ... .... 108 2.2. Корпускулярные свойства электрона ... .... ... .... 111 Эксперимент Дж.Дж.Томсона с катодно-лучевой трубкой 111 Измерение заряда электрона.. .... .... ... .... 119 Эксперимент Кауфмана . .... .... .... ... .... 121 Спин электрона. ЭкспериментШтерна –Герлаха . .... 126 2.3. Волновые свойства электрона ... .... .... ... .... 129 Измерение длины волны света и рентгеновских лучей . . 130 Эксперимент Дэвиссона и Джермера . .... ... .... 133 Эксперимент Дж.П.Томсона . . .... .... ... .... 138 2.4. Атомный электрон ... ... .... .... .... ... .... 140 ТеорияБора атома водорода .. .... .... ... .... 140 Дополнение к гл. 2 ... ... .... .... .... ... .... 148 Исследованияэлектрического газового разряда .. .... 148 ГЛАВА 3. Физика корпускулярно-волнового дуализма . ... .. 152 3.1. Квантоваямеханика . . ... .... .... .... ... .... 152 3.2. Соотношение неопредел¨ енностей . .... .... ... .... 153 3.3. Копенгагенскаяинтерпретацияквантовой механики . . .... 158 ГЛАВА 4. Модельные одномерные квантово-механические задачи 162 4.1. Задача об одномерном свободном движении частицы . .... 163 4.2. Задача об одномерной прямоугольной потенциальной яме с бесконечными стенками . . .... .... .... ... .... 171 Условие Борна –К´ армана .... .... .... ... .... 175 4.3. Задача об одномерном прямоугольном потенциальном барьере 177 4.4. Задача о двойной одномерной прямоугольной потенциальной яме . .... .... ... .... .... .... ... .... 183 Дополнение 1 к гл. 4 . ... .... .... .... ... .... 192 Дельта-функцияДир´ ака .... .... .... ... .... 192 Дополнение 2 к гл. 4 . ... .... .... .... ... .... 194 Операторы физических величин .... .... ... .... 194 Проблема на собственные значенияи собственные функции . .... .... ... .... .... .... ... .... 196 Физический смысл собственных значений и собственных функций оператора физической величины .. .... 198 Соотношение непредел¨ енностей .... .... ... .... 211
Стр.4
ОГЛАВЛЕНИЕ ГЛАВА 5. Распределение Ферм´ 5.1. Вывод распределенияФерм´ и–Дир´ и–Дир´ 5 ака .. ... .. .. ... .. 214 ака по Больцману .. .... 215 Cостояния электрона в кубическом ящике .. ... .... 216 Больцмановский способ описаниямакроскопических состояний ... .... ... .... .... .... ... .... 220 Применение рассужденияБольцмана к электронному газу 222 Нахождение значений α и β .. .... .... ... .... 226 5.2. Получение распределенияМаксвелла из распределения Ферм´ Дир´ и– Дополнение 1 к гл. 5 . ... .... .... .... ... .... 231 Метод неопредел¨ ака . .... .... ... .... .... .... ... .... 228 енных множителей Лагранжа . . .... 231 Дополнение 2 к гл. 5 . ... .... .... .... ... .... 234 Вывод формулы Планка по Больцману .... ... .... 234 Математическое описание неравновесных состояний газа 235 Применение рассужденияБольцмана к фотонному газу . 237 Нахождение значениямножителя β .. .... ... .... 242 Дополнение 3 к гл. 5 . ... .... .... .... ... .... 246 Вывод формулы Больцмана о связи энтропии с вероятностью состояния . ... .... .... .... ... .... 246 Неравновесные состояния газа . .... .... ... .... 247 Неравновесные состояния, однородные по плотности . . 248 Отыскание равновесного состояния .. .... ... .... 252 Распределение Максвелла ... .... .... ... .... 255 Неравновесные состояния, однородные по температуре . 258 Отыскание равновесного состояния .. .... ... .... 259 Формула Больцмана ... .... .... .... ... .... 260 ГЛАВА 6. Основыквантовой теории металлов .. .. .. ... .. 265 6.1. Модель свободных электронов ... .... .... ... .... 265 6.2. Вычисление функции µ(T) при малых температурах T .... 270 6.3. Тепло¨ емкость системы свободных электронов проводимости при малых температурах . . .... .... .... ... .... 271 6.4. Термоэлектроннаяэмиссия . .... .... .... ... .... 273 Формула Ричардсона –Дэшмана .... .... ... .... 273 ТеорияШоттки . . ... .... .... .... ... .... 277 6.5. Контакт двух металлов ... .... .... .... ... .... 279 Дополнение 1 к гл. 6. Вычисления µ(T) . .... ... .... 281 Дополнение 2 к гл. 6. Вычисление U/V .. .... ... .... 286
Стр.5
6ОГЛАВЛЕНИЕ ГЛАВА 7. Модель Кронига–Пенни ... .. ... .. .. ... .. 290 А. МОДЕЛЬ КРОНИГА–ПЕННИ БЕЗ ВНЕШНЕГО ПОЛЯ . . 290 7.1. Решение уравненияШредингера модели Кронига –Пенни . . 290 Исходнаязадача .. ... .... .... .... ... .... 291 Измен¨ еннаязадача ... .... .... .... ... .... 292 Оператор трансляции .. .... .... .... ... .... 294 Теорема Блоха ... ... .... .... .... ... .... 297 7.2. Вывод трансцендентного уравнениямодели Кронига –Пенни 300 7.3. Исследование энергетического спектра в пределе бесконечно сильной связи . .... ... .... .... .... ... .... 304 7.4. Исследование энергетического спектра в пределе нулевой связи .. .... .... ... .... .... .... ... .... 306 Исследование трансцендентного уравнениядля различных значений константы распространения.. ... .... 307 Исследование трансцендентного уравнениядля различных значений проекции волнового вектора .. ... .... 310 Зоны Бриллюэна . ... .... .... .... ... .... 313 енное отыскание энергетического спектра в случае 7.5. Приближ¨ сильной связи . .... ... .... .... .... ... .... 314 Б. МОДЕЛЬ КРОНИГА–ПЕННИ С МНОГИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ . .... .... ... .... .... .... ... .... 318 7.6. Модель Кронига –Пенни с многими электронами ... .... 318 В. МОДЕЛЬ КРОНИГА–ПЕННИ ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ .. ... .... .... .... ... .... 321 7.7. Модель Кронига –Пенни при наличии внешнего электрического поля... .... ... .... .... .... ... .... 321 Строгий вывод формулы длягрупповой скорости электрона .... .... ... .... .... .... ... .... 324 Движение электрона во внешнем поле .... ... .... 328 Эффективнаямасса электрона . .... .... ... .... 330 Голые и одетые электроны ... .... .... ... .... 334 Движение дырки во внешнем поле .. .... ... .... 335 Дополнение 1 к гл. 7 . ... .... .... .... ... .... 341 Оператор Гамильтона в пространстве периодических функций .. .... ... .... .... .... ... .... 341 Дополнение 2 к гл. 7 . ... .... .... .... ... .... 343 Решение уравненияШредингера в случае слабой связи . 343 Построение решений при V0 =0 ... .... ... .... 344 Построение решений при малом V0 =0 ... ... .... 345
Стр.6
ОГЛАВЛЕНИЕ 7 ГЛАВА 8. Теория электропроводности полупроводников ... .. 353 А. КОНЦЕНТРАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ ... ... .... .... .... ... .... 353 8.1. Одноэлектронные состояния системы свободных электронов 353 Задача об электроне в тр¨ ехмерном кубическом ящике . . 355 8.2. Экспериментальное доказательство существованиядырок . . 358 Эксперимент Хайнеса иШокли .... .... ... .... 358 Эффект Холла ... ... .... .... .... ... .... 360 8.3. Равновесные концентрации электронов и дырок в чистом полупроводнике . .... ... .... .... .... ... .... 362 Закон действующих масс .... .... .... ... .... 366 Химический потенциал . .... .... .... ... .... 367 имесных 8.4. Равновесные концентрации электронов и дырок в пр´ полупроводниках ... ... .... .... .... ... .... 371 Пр´ имесные полупроводники . . .... .... ... .... 371 Энергии ионизации и электронного сродства атомов примеси .... .... ... .... .... .... ... .... 371 Концентрацияэлектронов в донорном полупроводнике . . 375 Концентрации дырок в акцепторном полупроводнике . . . 382 Б. СИСТЕМА ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫХ УРАВНЕНИЙ ЛОКАЛЬНЫХ БАЛАНСОВ .. .... .... .... ... .... 385 8.5. Система уравнений локальных балансов . .... ... .... 385 Дрейф носителей электрического тока .... ... .... 385 Диффузияносителей тока ... .... .... ... .... 387 Генерацияи рекомбинация носителей тока . . ... .... 390 Уравнениялокальных балансов электронов и дырок . . . 391 8.6. Примеры решениясистемы уравнений балансов электронов и дырок . .... .... ... .... .... .... ... .... 393 В. ТЕОРИЯ PN-ПЕРЕХОДА И PNP-ТРАНЗИСТОРА .... 397 8.7. Теория pn-перехода . . ... .... .... .... ... .... 397 Контактнаяразность потенциалов . . . .... ... .... 397 Качественное объяснение контактной разности потенциалов . .... .... ... .... .... .... ... .... 398 ТеорияШокли равновесного pn-перехода . . ... .... 400 Вольт-ампернаяхарактеристика .... .... ... .... 405 Основные законы pn-перехода . .... .... ... .... 406 ФормулаШокли .. ... .... .... .... ... .... 407 Качественное объяснение выпрямляющего действия pn-перехода ... .... ... .... .... .... ... .... 410
Стр.7
8ОГЛАВЛЕНИЕ Зависимость границ a и b обедн¨ женного напряжения Va. Электрическая ¨ енного слояот прилоемкость pn-перехода ... .... ... .... .... .... ... .... 413 8.8. Транзистор с pnp-переходом .... .... .... ... .... 416 Дополнение 1 к гл. 8 . ... .... .... .... ... .... 423 Графическое изображение искривл¨ ина .. ... .... .... .... ... .... 433 енных зон pn-перехода 423 Дополнение 2 к гл. 8 . ... .... .... .... ... .... 426 Контакт полупроводник–металл ... .... ... .... 426 ТеорияШоттки . . ... .... .... .... ... .... 427 ТеорияБард´ Контакт металл–диэлектрик–полупроводник ... .... 434 Полевой транзистор ... .... .... .... ... .... 438 Дополнение 3 к гл. 8 . ... .... .... .... ... .... 440 Полупроводниковые приборы . .... .... ... .... 440 Туннельный диод . ... .... .... .... ... .... 440 Диод Зинера и лавинный диод . .... .... ... .... 443 Фоторезистор ... ... .... .... .... ... .... 444 Фотодиод .. .... ... .... .... .... ... .... 445 Светодиод и лазерный диод .. .... .... ... .... 446 Солнечные батареи ... .... .... .... ... .... 451 Дополнение 4 к гл. 8 . ... .... .... .... ... .... 452 Фазовое и химическое равновесия.. .... ... .... 452 Открытые и закрытые термодинамические системы . . . 453 Принципы минимумов потенциалов . .... ... .... 462 Использование принципа минимума . .... ... .... 464 Дополнение 5 к гл. 8 .. .... .... .... ... .... 470 Электрохимическое равновесие .... .... ... .... 470 Гальванический элемент .... .... .... ... .... 470 Условие электрохимического равновесия... ... .... 471 Химические потенциалы .... .... .... ... .... 475 Закон разбавленияОствальда и формула Нернста . .... 478 Рекомендуемая литература . . . . . ... .. ... .. .. ... .. 483 Предметный указатель ... .. .. ... .. ... .. .. ... .. 484 Именной указатель .. ... .. .. ... .. ... .. .. ... .. 493
Стр.8