79–84 УДК 544.022.4 ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ BaF2 НА СЛОЯХ СaF2/Si(100), ПОЛУЧЕННЫХ В ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ РЕЖИМЕ РОСТА © 2017 г. Н. И. Филимонова*, В. А. Илюшин, А. А. Величко Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия *E-mail: ninafilimonova@ngs.ru Поступила в редакцию 12.04.2016 г. Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование морфологии поверхности эпитаксиальных пленок BaF2, выращенных с использованием молекулярно лучевой эпитаксии при различных режимах роста на поверхности CaF2/Si(100). <...> Показано, что рост BaF2 при ТS = 600°C на начальной стадии приводит к образованию дефектов в виде “проколов” в эпитаксиальной пленке, в то время как рост при ТS = 750°C обеспечивает получение бездефектных пленок с морфологией поверхности, приемлемой для последующего осаждения полупроводников типа А4В6 и твердых растворов на их основе. <...> Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, фторид кальция, фторид бария, кремний, буферный слой, АСМ, морфология поверхности. <...> DOI: 10.7868/S0207352817010097 ВВЕДЕНИЕ Создание матричных фотоприемных устройств (МФПУ) основано на использовании гибридных технологий, при которых матрица фоточувствительных элементов соединяется со схемой обработки с помощью индиевых контактов. <...> Однако при такой технологии резко снижается надежность, чувствительность и другие параметры фотоприемных устройств (ФПУ) [1]. <...> Поэтому перспективным направлением развития современной оптоэлектроники является изготовление монолитных многоэлементных ФПУ ИК-диапазона, которые состоят, как правило, из матрицы фоточувствительных элементов и схемы обработки. <...> Но накопление, усиление и мультиплицирование сигналов датчиков невозможно осуществить в том же узкозонном материале, из которого изготавливаются фоточувствительные элементы. <...> Но непосредственный рост на кремнии узкозонных полупроводников, в которых формируются фоточувствительные элементы, приводит к низким структурным, электрофизическим <...>