41–46 УДК 541.123:54621 ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ РЕЗЕРФОРДОВСКОГО ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ В ПЛЕНКАХ, НАПЫЛЕННЫХ НА УСТАНОВКЕ ТИПА “ПЛАЗМЕННЫЙ ФОКУС” © 2017 г. В. <...> А.А. Байкова РАН, 119991 Москва, Россия 2Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына МГУ, 119991 Москва, Россия 3Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”, 101000 Москва, Россия 4Физический институт им. <...> П.Н. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия 5Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ, 115409 Москва, Россия *E-mail: subzerno@gmail.com Поступила в редакцию 20.04.2016 г. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов He+ с энергией 2 МэВ изучены профили распределения элементов C, Cu и W в пленках, напыленных на электроразрядной установке типа “плазменный фокус”. <...> Пленки наносили на стеклянные подложки в плазмообразующем газе Ar. <...> Соответствующие профили распределения элементов по толщине стекла являются нелинейными. <...> Для каждого элемента существует максимальная глубина залегания слоя под поверхностью стекла. <...> Особенностью пленок, получаемых на установке типа “плазменный фокус”, является образование слоев из элементов Cu, W и C под поверхностью стекла и их взаимное перекрытие. <...> Такое расположение слоев существенно отличает описываемый метод нанесения пленок от традиционно используемых методов нанесения при низких скоростях осаждения атомов, а также за счет диффузии. <...> Ключевые слова: метод резерфордовского обратного рассеяния, плазменное напыление, пленки, пинч-эффект, плазменный фокус. <...> DOI: 10.7868/S0207352817010139 ВВЕДЕНИЕ При напылении тонких пленок часто помимо легирующих атомов в них содержатся примесные атомы, поступающие с конструкционных элементов напылительных установок. <...> Так, исследования оптически тонких пленок на установке типа “плазменный фокус” показали, что они “загрязняются” неконтролируемыми примесями: атомами C, Cu, Fe, W, Si, поступающими с электродов и изолятора установки [4–6]. <...> Обнаружено <...>