Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : монография (190,00 руб.)

Стр.2

Стр.3

Стр.95

Стр.96

УДК 539.21 ББК 22.36 С 95 Рецензенты: доктор химических наук, профессор Д. П. Валюхов, доктор технических наук, профессор А. Е. Панич Сысоев И. А., Лунин Л. С. С 95 Градиентная эпитаксия для получения микрои наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону: монография. – Ставрополь: Изд-во СКФУ, 2015. – 97 с. ISBN 978-5-9296-0785-1 В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, асптирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Минобрнауки России в рамках государственного задания по проекту №2014/16, код проекта: 2516. УДК 539.21 ББК 22.36 © Сысоев И. А., Лунин Л. С. ISBN 978-5-9296-0785-1 © ФГАО УВПО СевероКавказский Федеральный университет, 2015 - 2 -

Стр.2

Введение В данной работе рассматриваются физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводятся факторы, влияющие на процесс эпитаксиального роста в поле температурного градиента, а также особенности термодинамического анализа при массопереносе в газовой фазе твердых растворов АIIIВV. Рассматривается влияние состава и структуры источника при перекристаллизации на условия роста и распределение компонентов в твердых растворах АIIIВV [23]. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Рассматриваются результаты расчета распределения компонентов в эпитаксиальных слоях при различных технологических режимах. Обсуждаются возможности получения различных микрои наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Поскольку процесс диффузии в газовой области существенно интенсивнее, чем в жидкой фазе, изменение состава и соответственно, изменение параметров твердых растворов соединений АIIIВV при изменении состава источника происходят быстрее, чем в жидкой зоне. Это обстоятельство позволяет получать гетероструктуры с более быстрым изменением параметров в области границ между твердыми растворами или соединениями. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Прежде всего, в зависимости от задачи, выполняемой полупроводниковой структурой, необходимо получать или ненапряженные эпитаксиальные пленки, или, напротив необходимые напряжения при соответствующих толщинах слоев. Это дает возможность формировать слои с минимальным количеством дислокаций, или наноструктуры (квантовые точки и т. д.) для широкого класса полупроводниковых приборов. - 3 -

Стр.3

Содержание Введение………………………………………………………. 3 1 глава Основные свойства гетероструктур твердых растворов на основе соединений АIIIВV………….. 4 1.1. Основные параметры двухи трехкомпонентных гетероструктур соединений АIIIВV……………………………... 4 1.2. Основные параметры четырехкомпонентных гетероструктур соединений АIIIВV…………… 9 2 глава Основы градиентной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов АIIIВV в газовой фазе………………………………………. 13 2.1. Особенности термодинамического анализа при массопереносе в газовой фазе твердых растворов АIIIВV в поле температурного градиента……………………………………… 13 2.2. Моделирование процесса градиентной эпитаксии через тонкую газовую зону применительно к соединениям АIIIВV………... 24 3 глава Технические аспекты получения многокомпонентных соединений АIIIВV методом градиентной эпитаксии через тонкую газовую зону………………………………………… 39 3.1. Технологическая оснастка и оборудование градиентной газофазной эпитаксией………... 39 3.2. Система управления технологическим процессом градиентной газофазной эпитаксией…………………………………….. 50 3.3. Особенности программного обеспечения системы управления процессом градиентной эпитаксией…………………………………….. 56 - 95 -

Стр.95

4 глава Особенности получения многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV с микрои наноструктурой градиентной эпитаксией через тонкую газовую зону……………………….. 71 4.1. Градиентная эпитаксия микроструктур через тонкую газовую зону применительно к соединениям АIIIВV………………………….. 71 4.2. Получение наноструктур многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV градиентной эпитаксией через тонкую газовую зону…………………………………... 77 Заключение………………………………………………….. 87 Литература…………………………………………………… 88 Перечень обозначений……………………………………… 93 - 96 -

Стр.96