Энергии и состояния электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике (60,00 руб.)

Первый автор	Миронов
Авторы	Серов А.С.
Страниц	5

ID	572470
Аннотация	Решена задача о модельном описании состояний электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике. Потенциал примесного центра выбран в виде суперпозиции кулоновского поля и сферической ямы с плоским дном. Точным методом и вариационным методом Ритца для модели находится уровень энергии и волновая функция основного состояния в широком диапазоне параметров ямы. Указывается алгоритм нахождения энергий и волновых функций первых возбужденных состояний. Обосновывается преимущество использования вариационного метода по сравнению с точным решением
УДК	621.315.592.3.

Миронов, А.Г. Энергии и состояния электрона на глубоком примесном уровне в полупроводнике / А.Г. Миронов, А.С. Серов // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2011 .— №3 .— С. 69-73 .— URL: https://rucont.ru/efd/572470 (дата обращения: 25.05.2025)